[發(fā)明專利]選擇性處理工件的方法及系統(tǒng)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201680039913.1
• 申請(qǐng)日: 2016-07-06
• 公開（公告）號(hào): CN107851562B
• 公開（公告）日: 2021-07-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 馬克·R·亞瑪多;威廉·戴維斯·李;吉蓮·雷諾
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 瓦里安半導(dǎo)體設(shè)備公司
• 主分類號(hào): H01L21/265
• 分類號(hào): H01L21/265;H01L21/02;H01L21/3065;H01L21/324
• 代理公司: 北京同立鈞成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205
• 代理人: 楊文娟;臧建明

1.一種處理工件的方法，其特征在于，包括：

在朝第一位置引導(dǎo)帶狀離子束的同時(shí)使所述工件在第一方向上繞中心旋轉(zhuǎn)，其中所述帶狀離子束在兩個(gè)第一定位處延伸超過所述工件的外邊緣且所述第一位置是距離所述工件的所述外邊緣的預(yù)定距離，以在所述工件旋轉(zhuǎn)的同時(shí)處理所述工件的外部部分的一部分，其中所述外部部分是環(huán)形圈，所述環(huán)形圈具有與所述預(yù)定距離相等的寬度；

相對(duì)于所述帶狀離子束移動(dòng)所述工件，以朝所述工件上的第二位置引導(dǎo)所述帶狀離子束，其中所述帶狀離子束在兩個(gè)第二定位處延伸超過所述工件的外邊緣且所述第二位置位于所述中心的與所述第一位置相對(duì)的側(cè)上且是距離所述工件的所述外邊緣的所述預(yù)定距離；以及

在朝所述第二位置引導(dǎo)所述帶狀離子束的同時(shí)使所述工件在與所述第一方向相反的第二方向上繞所述中心旋轉(zhuǎn)，以在所述工件旋轉(zhuǎn)的同時(shí)處理所述工件的所述外部部分的其余部分，以僅處理所述工件的所述外部部分。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述第一方向上將所述工件旋轉(zhuǎn)至少180°且在所述第二方向上將所述工件旋轉(zhuǎn)至少180°。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述帶狀離子束不在所述移動(dòng)期間撞擊所述工件。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，在所述移動(dòng)期間通過法拉第杯或蔭罩來(lái)阻擋所述帶狀離子束。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，在所述移動(dòng)期間將所述帶狀離子束消隱。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，重復(fù)進(jìn)行所述在所述第一方向上旋轉(zhuǎn)、所述移動(dòng)、及所述在所述第二方向上旋轉(zhuǎn)。

7.一種離子植入系統(tǒng)，其特征在于，包括：

離子源，自其提取帶狀離子束；

臺(tái)板，適應(yīng)于保持工件，所述臺(tái)板被配置成側(cè)向地且旋轉(zhuǎn)地移動(dòng)；

控制器，與所述臺(tái)板連通，且用以：

朝所述工件上的第一位置引導(dǎo)所述帶狀離子束，其中所述帶狀離子束在兩個(gè)第一定位處延伸超過所述工件的外邊緣，且所述第一位置是距離所述工件的所述外邊緣的預(yù)定距離；

在朝所述第一位置引導(dǎo)所述帶狀離子束的同時(shí)使所述工件在第一方向上繞中心旋轉(zhuǎn)，以在所述工件旋轉(zhuǎn)的同時(shí)處理所述工件的外部部分的一部分，其中所述外部部分是環(huán)形圈，所述環(huán)形圈具有與所述預(yù)定距離相等的寬度；

相對(duì)于所述帶狀離子束移動(dòng)所述工件，以朝所述工件上的第二位置引導(dǎo)所述帶狀離子束，其中所述帶狀離子束在兩個(gè)第二定位處延伸超過所述工件的外邊緣，且所述第二位置位于所述中心的與所述第一位置相對(duì)的側(cè)上且是距離所述工件的所述外邊緣的所述預(yù)定距離；以及

在朝所述第二位置引導(dǎo)所述帶狀離子束的同時(shí)使所述工件在與所述第一方向相反的第二方向上繞所述中心旋轉(zhuǎn)，以在所述工件旋轉(zhuǎn)的同時(shí)處理所述工件的所述外部部分的其余部分，其中所述外部部分的寬度是由所述預(yù)定距離而確定，且僅處理所述工件的所述外部部分。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的離子植入系統(tǒng)，其特征在于，在相對(duì)于所述帶狀離子束移動(dòng)所述工件的同時(shí)，防止所述帶狀離子束撞擊所述工件。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的離子植入系統(tǒng)，其特征在于，所述控制器致動(dòng)法拉第杯或蔭罩以在所述移動(dòng)期間阻擋所述帶狀離子束。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的離子植入系統(tǒng)，其特征在于，所述控制器修改所述離子源的參數(shù)，以使得所述帶狀離子束在所述移動(dòng)期間消隱。

11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的離子植入系統(tǒng)，其特征在于，所述工件旋轉(zhuǎn)至少180°。

12.根據(jù)權(quán)利要求7所述的離子植入系統(tǒng)，其特征在于，重復(fù)進(jìn)行所述引導(dǎo)、所述在所述第一方向上旋轉(zhuǎn)、所述移動(dòng)、及所述在所述第二方向上旋轉(zhuǎn)，以使得所述工件旋轉(zhuǎn)整數(shù)轉(zhuǎn)。