[發(fā)明專利]層疊體基板、導(dǎo)電性基板、層疊體基板的制造方法及導(dǎo)電性基板的制造方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201680037017.1 | 申請(qǐng)日: | 2016-06-23 |
| 公開(公告)號(hào): | CN107709000B | 公開(公告)日: | 2020-05-19 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 永田純一 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 住友金屬礦山股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | B32B15/08 | 分類號(hào): | B32B15/08;G06F3/041;G06F3/044 |
| 代理公司: | 北京銀龍知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11243 | 代理人: | 鐘晶;鐘海勝 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 層疊 體基板 導(dǎo)電性 制造 方法 | ||
1.一種層疊體基板,具備:
透明基材;及
層疊體,形成在所述透明基材的至少一個(gè)表面?zhèn)龋?/p>
其中,所述層疊體具備黑化層和銅層,所述黑化層由氧、銅及鎳構(gòu)成,
所述黑化層所含的所述銅和所述鎳中的所述鎳的比例為11質(zhì)量%以上且60質(zhì)量%以下。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的層疊體基板,其中:
所述層疊體具有作為所述黑化層的第1黑化層和第2黑化層,
所述銅層配置在所述第1黑化層和所述第2黑化層之間。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的層疊體基板,其中:
波長為400nm以上且700nm以下的光的正反射率的平均值為55%以下。
4.一種導(dǎo)電性基板,具備:
透明基材;及
金屬細(xì)線,形成在所述透明基材的至少一個(gè)表面?zhèn)龋?/p>
其中,所述金屬細(xì)線為具備黑化配線層和銅配線層的層疊體,所述黑化配線層由氧、銅及鎳構(gòu)成,
所述黑化配線層所含的所述銅和所述鎳中的所述鎳的比例為11質(zhì)量%以上且60質(zhì)量%以下。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的導(dǎo)電性基板,其中:
所述金屬細(xì)線具有作為所述黑化配線層的第1黑化配線層和第2黑化配線層這兩層,
所述銅配線層配置在所述第1黑化配線層和所述第2黑化配線層之間。
6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的導(dǎo)電性基板,其中:
所述金屬細(xì)線的底部寬度(W2)和所述金屬細(xì)線的圖案寬度(W1)具有公式(1)
(W1-W2)/2W1≤0.075
的關(guān)系。
7.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的導(dǎo)電性基板,其中:
所述金屬細(xì)線之間設(shè)置了使所述透明基材露出的開口部,
所述開口部的波長為400nm以上且700nm以下的光的透過率的平均值相對(duì)于所述透明基材的波長為400nm以上且700nm以下的光的透過率的平均值的減少率為3.0%以下。
8.一種層疊體基板的制造方法,具有:
透明基材準(zhǔn)備步驟,對(duì)透明基材進(jìn)行準(zhǔn)備;及
層疊體形成步驟,在所述透明基材的至少一個(gè)表面?zhèn)刃纬蓪盈B體,
其中,所述層疊體形成步驟包括
銅層形成步驟,通過對(duì)銅進(jìn)行沉積的銅層成膜手段,形成銅層;及
黑化層形成步驟,通過對(duì)由氧、銅及鎳構(gòu)成的黑化層進(jìn)行沉積的黑化層成膜手段,對(duì)黑化層進(jìn)行成膜,
其中,在減壓環(huán)境氣體中實(shí)施所述黑化層形成步驟,所述黑化層所含的所述銅和所述鎳中的所述鎳的比例為11質(zhì)量%以上且60質(zhì)量%以下。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的層疊體基板的制造方法,其中:
所述黑化層成膜手段為濺射成膜法。
10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的層疊體基板的制造方法,其中:
所述黑化層的厚度為10nm以上。
11.一種導(dǎo)電性基板的制造方法,具有:
蝕刻步驟,對(duì)通過權(quán)利要求8或9所述的層疊體基板的制造方法所獲得的層疊體基板的所述銅層和所述黑化層進(jìn)行蝕刻,以形成具有金屬細(xì)線的配線圖案,所述金屬細(xì)線為具備銅配線層和黑化配線層的層疊體,
其中,通過所述蝕刻步驟在所述銅層和所述黑化層上形成開口部。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的導(dǎo)電性基板的制造方法,其中:
所獲得的導(dǎo)電性基板的波長為400nm以上且700nm以下的光的正反射率的平均值為55%以下。
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