[發明專利]用于干式處理和濕式處理的混合基板處理系統及其基板處理方法

在審

• 申請號: 201680036075.2
• 申請日: 2016-05-27
• 公開（公告）號: CN108064413A
• 公開（公告）日: 2018-05-22
• 發明（設計）人: 崔大圭;王暉;王希;張曉燕;賈社娜
• 申請（專利權）人: ACN有限公司;盛美半導體設備（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/673
• 分類號: H01L21/673;H01L21/677
• 代理公司: 北京路浩知識產權代理有限公司 11002
• 代理人: 趙赫;張晶

可以使用配備在前端模塊中的單個基板輸送機械手根據處理特性而選擇性地通過真空或邊緣夾持方法來輸送基板。另外，在處理之后，可以使用緩沖室來裝載基板，以用于冷卻處理和輸送基板。

技術領域

本發明是一種用于干式處理和濕式處理的混合基板處理系統及其基板處理方法，更具體地，是一種能夠在執行濕式處理和干式處理的同時，防止用于處理晶片或基板中的半導體的處理系統中的基板污染的用于干式處理和濕式處理的混合基板處理系統及其基板處理方法。

背景技術

用于諸如晶片或玻璃的基板的半導體處理通過多個階段的半導體處理來進行。通過經由包括光刻工藝的各種工藝在基板上形成電路圖案來制造半導體。例如，工藝包括沉積、蝕刻、曝光工藝、顯影工藝、灰化工藝、清潔工藝等。在這些制造工藝中，產生顆粒、有機污染物、金屬雜質。這些外來雜質在基板中導致缺陷，這作為直接影響半導體元件的成品率的因素。因此，半導體制造工藝主要涉及用于從基板去除外來雜質的清潔工藝。

為了去除在光刻工藝中圖案化的光刻膠，使用了兩種方法。第一種方法使用在約200℃的溫度下混合硫酸(H2SO4)和過氧化氫(H2O2)的基于食人魚的化學物質。利用高溫的化學物質進行清潔會導致晶片表面損壞，并造成材料損失。第二種方法是使用四種設備進行洗滌，包括使用單個清潔裝置來保持恒溫(Soking)、使用灰化器灰化、使用濕式工作臺去除濕式光刻膠材料以及使用洗滌器清潔。在這些工藝中，灰化工藝使用等離子體干法蝕刻，并使用等離子體來選擇性地氧化光刻膠材料。濕式處理工藝在晶片或基板上添加化學溶液以去除未被等離子體灰化工藝去除的剩余光刻膠材料。

這些清潔工藝通過各自的處理設施進行。每種工藝在不同的設施中進行，因此處理后的基板在移動時暴露于外部。因此，出現處理后的基板被污染的問題。

另外，灰化工藝和濕式處理使用不同的設備來處理基板或晶片，因此需要為每種工藝建立單獨的設備。因此，這種清潔工藝耗時且復雜，并增加了生產成本。

發明內容

技術問題

本發明的目的在于提供一種用于濕式處理和干式處理的混合基板處理系統及其基板處理方法，因為基板的干式處理和濕式處理可以在單個平臺中進行，所以該混合基板處理系統可以防止基板污染。

本發明的另一個目的在于提供一種用于干式處理和濕式處理的混合基板處理系統及其基板處理方法，該混合基板處理系統能夠使用可以真空夾持或邊緣夾持方式輸送基板的基板輸送機械手根據干式處理和濕式處理選擇性地輸送基板。

本發明的另一個目的在于提供一種用于濕式處理和干式處理的混合基板處理系統及其基板處理方法，該混合基板處理系統能夠使用單個緩沖室冷卻或裝載基板。

問題的解決方案

用于實現上述技術問題的本發明的方面涉及一種用于濕式處理和干式處理的混合基板處理系統及其基板處理方法。本發明的用于干式處理和濕式處理的混合基板處理系統包括：具有備用基板的前端模塊；大氣搬運模塊，其用于裝載/卸載來自前端模塊的基板；一個或多個干式處理模塊，其用于干式處理從大氣搬運模塊裝載的基板；至少一個濕式處理模塊，其用于濕式處理上述基板；緩沖室，冷卻處理或裝載的基板在該緩沖室中等待；大氣壓力基板輸送機械手，其配備在上述大氣搬運模塊中用于在上述緩沖室與所述干式處理模塊之間輸送基板；以及第一基板搬運模塊，其配備有與所述大氣壓力基板輸送機械手交換基板并將基板裝載/卸載到干式處理模塊的第一基板輸送機械手；以及第二基板搬運模塊，其配備有裝載/卸載來自所述緩沖室的基板并將基板裝載/卸載到所述濕式處理模塊的第二基板輸送機械手。

所述干式處理模塊通過配備有等離子體源并對所述基板執行灰化工藝來去除在離子注入工藝中形成在所述基板表面上的光刻膠的碳化層。