[發明專利]用于干式處理和濕式處理的混合基板處理系統及其基板處理方法在審
| 申請號: | 201680036075.2 | 申請日: | 2016-05-27 |
| 公開(公告)號: | CN108064413A | 公開(公告)日: | 2018-05-22 |
| 發明(設計)人: | 崔大圭;王暉;王希;張曉燕;賈社娜 | 申請(專利權)人: | ACN有限公司;盛美半導體設備(上海)有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/673 | 分類號: | H01L21/673;H01L21/677 |
| 代理公司: | 北京路浩知識產權代理有限公司 11002 | 代理人: | 趙赫;張晶 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 處理 混合 系統 及其 方法 | ||
1.一種用于干式處理和濕式處理的混合基板處理系統及其基板處理方法,其包括:
前端模塊,板在所述前端模塊處等待;
大氣壓力搬運模塊,其用于裝載/卸載在所述前端模塊處的所述基板;
一個或多個干式處理模塊,其用于干式處理從所述大氣壓力搬運模塊裝載的所述基板;
一個或多個濕式處理模塊,其用于濕式處理所述基板;
緩沖室,冷卻處理后的基板或裝載的基板在所述緩沖室中等待;
大氣壓力基板輸送機械手,其設置在所述大氣壓力搬運模塊中,用于在所述緩沖室與所述干式處理模塊之間輸送所述基板;
第一基板搬運模塊,其設置有第一基板輸送機械手,所述第一基板輸送機械手用于與所述大氣壓力基板輸送機械手交換所述基板并用于將所述基板裝載到所述干式處理模塊/從所述干式處理模塊卸載所述基板;以及
第二基板搬運模塊,其設置有第二基板輸送機械手,所述第二基板輸送機械手用于將所述基板裝載到所述緩沖室/從所述緩沖室卸載所述基板并將所述基板裝載到所述濕式處理模塊/從所述濕式處理模塊卸載所述基板。
2.根據權利要求1所述的混合基板處理系統,其中所述干式處理模塊包括通過配備有等離子體源并對所述基板執行灰化工藝來去除在離子注入工藝中形成在基板表面上的光刻膠的碳化層。
3.根據權利要求1所述的混合基板處理系統,其進一步包括控制器,其控制所述干式處理模塊和所述濕式處理模塊的操作,并且控制所述大氣壓力基板輸送機械手以及所述第一基板輸送機械手和所述第二基板輸送機械手的操作來輸送所述基板。
4.根據權利要求1所述的混合基板處理系統,其中所述第一基板輸送機械手包括:
多個輸送臂;
旋轉軸,其用于使所述輸送臂旋轉;以及
末端執行器,所述基板通過連接到所述輸送臂的末端而安裝在所述末端執行器中。
5.根據權利要求4所述的混合基板處理系統,其中所述干式處理模塊包括設置在所述第一基板輸送機械手的輸送臂的旋轉路徑上的多個工作臺。
6.根據權利要求1所述的混合基板處理系統,其中所述緩沖室包括:
設置有多個冷卻緩沖槽的冷卻緩沖部;以及
配備有用于安裝所述基板的多個備用緩沖槽的備用緩沖部。
7.根據權利要求6所述的混合基板處理系統,其中所述冷卻緩沖槽包括:
第一冷卻緩沖槽,其配備有用于支撐所述基板的支撐構件;以及
第二冷卻緩沖槽,其配備有與所述基板接觸的限制部。
8.根據權利要求6所述的混合基板處理系統,其中所述冷卻緩沖部或所述備用緩沖部包括用于使所述基板對中對齊的多個推桿單元。
9.根據權利要求1所述的混合基板處理系統,其中所述大氣壓力基板輸送機械手包括:
多個輸送臂,其被安裝成能夠線性移動;
多個邊緣夾持末端執行器,其用于通過安裝在所述多個輸送臂中的第一組中以邊緣夾持方法來輸送所述基板;以及
多個真空夾持末端執行器,其用于通過安裝在所述多個輸送臂中的第二組中以真空夾持方法來輸送所述基板。
10.根據權利要求1所述的混合基板處理系統,其中所述濕式處理模塊包括一個或多個噴嘴,其用于噴灑氣態或蒸汽狀態的去離子水或清潔劑。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





