[發(fā)明專利]用于制造鈦鎢層中的特定終端角的方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201680034688.2
• 申請日: 2016-04-28
• 公開（公告）號: CN107683521A
• 公開（公告）日: 2018-02-09
• 發(fā)明（設(shè)計）人: N·江;M·布萊希科;N·S·德拉斯;B·E·古德林
• 申請（專利權(quán)）人: 德克薩斯儀器股份有限公司
• 主分類號: H01L21/308
• 分類號: H01L21/308
• 代理公司: 北京紀凱知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11245
• 代理人: 趙志剛,趙蓉民

背景技術(shù)

集成電路中的一些組件具有由若干層制造的組件，這些若干層包括鉬(Mo)、鈦鎢(TiW)和氮化鋁(AlN)。一個這種器件是體聲波(BAW)器件，其具有由鉬、鈦鎢和氮化鋁的層制造的堆疊。氮化鋁形成聲學(xué)諧振器，其中鉬層用作聲學(xué)諧振器上的電觸點或電極。鈦鎢層和氧化物形成在聲學(xué)諧振器的每個側(cè)面上以形成布拉格鏡。

發(fā)明內(nèi)容

在描述的示例中，一種形成鈦鎢層中的終端角(termination angle)的方法包括提供鈦鎢層以及將光刻膠/光致抗蝕刻(photo resist)材料施加到鈦鎢層。光致抗蝕刻材料在散焦(defocus)條件下經(jīng)暴露生成抗蝕刻掩膜(resist mask)。暴露的光致抗蝕刻材料的邊緣對應(yīng)于傾斜終端。使用蝕刻材料蝕刻鈦鎢層。蝕刻材料至少部分地蝕刻在散焦條件下被暴露的光致抗蝕刻材料。蝕刻導(dǎo)致鈦鎢層中的傾斜終端。

附圖說明

圖1是基于氮化鋁壓電的體聲波器件的側(cè)向剖視圖。

圖2是圖1的鉬終端的擴展視圖。

圖3是圖1的另一個鉬終端的擴展視圖。

圖4是處于制造工藝中的器件的側(cè)視圖。

圖5是在應(yīng)用光刻步驟并且去除光致抗蝕刻層的殘余部分之后的圖4的器件的側(cè)視圖。

圖6是蝕刻之后的圖5的器件的視圖。

圖7是描述制造鈦鎢層的方法的流程圖。

圖8是基于氮化鋁壓電的(BAW)器件的示例，其類似于圖1的器件，但是該基于氮化鋁壓電的(BAW)器件由多層制造而成，該多層包括按照圖4-圖7中描述的技術(shù)制造的鈦鎢層。

具體實施方式

本文中描述通過具有包括鈦鎢層的多層的堆疊制造在集成電路上的組件。在堆疊中具有鈦鎢層的傳統(tǒng)的器件易于在鈦鎢層的終端處破裂和產(chǎn)生接縫。例如，在鈦鎢層以尖銳或陡峭的角度在堆疊中終止的情況下，具有鈦鎢層的器件易于破裂或產(chǎn)生接縫。尖銳的角度削弱了堆疊中的其它材料并且使得能夠形成破裂，該破裂可能通過堆疊擴散。在一些情形下，尖銳的角度使得在堆疊中形成接縫或折疊，其也通過堆疊擴散。破裂和接縫都能夠?qū)е露询B所位于的組件的故障。本文中描述的器件和方法減少鈦鎢層的終端處的角度，這降低了在堆疊中形成破裂或接縫的可能性。

利用具有多層的堆疊制造的組件的一個示例是體聲波(BAW)器件。圖1是由多層制造的基于氮化鋁壓電的(BAW)器件100的示例。BAW器件100可以是未被示出的較大集成電路的一部分。由層形成堆疊102，這導(dǎo)致增加接近BAW器件100所位于的區(qū)域。聲學(xué)諧振器106形成在堆疊102內(nèi)。在圖1的示例中，諧振器106包括氮化鋁(AlN)層110，氮化鋁(AlN)層110夾在頂部電極112和底部電極114之間，頂部電極112可以由鉬形成，底部電極也可以由鉬形成。頂部電極110和底部電極112是在堆疊102內(nèi)制造的層。本文中描述的層有時被稱為膜。在圖1的示例中，氧化物層116位于頂部電極112和AlN層110之間，并且用作諧振器106的溫度補償層。在一些實施例中，BAW器件100不包括氧化物層116。在頂部電極112和底部電極114之間的聲波彈回以在諧振器10內(nèi)諧振。

堆疊102包括上部布拉格鏡120和下部布拉格鏡122。布拉格鏡120和122阻止能量從諧振器106逸散，并且用于實現(xiàn)其它諧振器規(guī)格。下部布拉格鏡122通過交替的層或膜形成，在圖1的示例中，該交替的層或膜為鈦鎢和氧化物的交替層。圖1的下部布拉格鏡122具有第一氧化物層130，該第一氧化物層130鄰近底部電極114并且延伸BAW器件100的長度。第一鈦鎢層132位于第一氧化物層130和第二氧化物層134之間。第二氧化物層134，類似于第一氧化物層130，延伸BAW器件100的長度。第二鈦鎢層136位于第二氧化物134和第三氧化物層138之間。襯底(未示出)位于第三氧化物層138下方，并且是諸如硅的材料，其上制造有BAW器件100。第一鈦鎢層132和第二鈦鎢層136二者位于諧振器106下方，并且靠近諧振器106的邊緣終止。在一些實施例中，氮化鋁種子(seed)層(圖1中未示出)位于第一氧化物層130和底部電極114之間。