[發(fā)明專(zhuān)利]用于制造鈦鎢層中的特定終端角的方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201680034688.2
• 申請(qǐng)日: 2016-04-28
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107683521A
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-02-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: N·江;M·布萊希科;N·S·德拉斯;B·E·古德林
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 德克薩斯儀器股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/308
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/308
• 代理公司: 北京紀(jì)凱知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11245
• 代理人: 趙志剛,趙蓉民

1.一種形成半導(dǎo)體中的鈦鎢層中的終端角的方法，所述方法包括：

提供鈦鎢層；

將光致抗蝕刻材料施加到所述鈦鎢層；

在散焦條件下暴露所述光致抗蝕刻材料，以生成具有邊緣部分的抗蝕刻掩膜；以及

至少在所述抗蝕刻掩膜的所述邊緣部分處蝕刻所述鈦鎢層，以產(chǎn)生所述鈦鎢層的傾斜終端。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中提供鈦鎢層包括在氧化物層上形成鈦鎢層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括在所述鈦鎢層上形成氧化物層，其中所述氧化物層覆蓋所述終端角。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述終端角小于三十二度。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述終端角在二十八度和三十二度之間。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述蝕刻包括使所述鈦鎢層和所述光致抗蝕刻材料暴露于包括三氯化硼和六氟化硫的氣體。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中三氯化硼和六氟化硫的比率在1.25:1和1.80:1之間。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中三氯化硼和六氟化硫的比率近似1.60:1。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述散焦在+/-15um和+/-25um之間。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述散焦近似+17um或近似-17um。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述蝕刻包括施加在150瓦特和200瓦特之間的低變換耦合等離子。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述蝕刻包括施加在近似175瓦特的低變換耦合等離子。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述蝕刻包括施加-125峰值伏特和-185峰值伏特之間的偏置RF。

14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述蝕刻包括施加近似-150峰值伏特的偏置RF。

15.一種制造體聲波器件中的鈦鎢層的方法，所述方法包括：

提供所述鈦鎢層；

將光致抗蝕刻材料施加到所述鈦鎢層；

在散焦條件下暴露所述光致抗蝕刻材料以生成抗蝕刻掩膜，暴露的光致抗蝕刻材料的邊緣對(duì)應(yīng)于所述鈦鎢層的將變成傾斜終端的區(qū)域；以及

利用蝕刻材料蝕刻所述鈦鎢層，所述蝕刻材料具有三氯化硼和六氟化硫，其中所述蝕刻材料至少部分蝕刻在散焦條件下暴露的所述抗蝕刻掩膜，所述蝕刻產(chǎn)生所述鈦鎢層中的所述傾斜終端。

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中三氯化硼和六氟化硫的比率近似1.60:1。

17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中所述散焦在+/-15um和+/-25um之間。

18.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中所述蝕刻包括施加在近似175瓦特的低變換耦合等離子。

19.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中所述蝕刻包括施加近似-150峰值伏特的偏置RF。

20.一種制造體聲波器件中的鈦鎢層的方法，所述方法包括：

提供被制造到氧化物層上的鈦鎢層；

將光致抗蝕刻材料施加到所述鈦鎢層；

在+17um或-17um的散焦條件下暴露所述光致抗蝕刻材料以生成抗蝕刻掩膜，暴露的光致抗蝕刻材料的邊緣對(duì)應(yīng)于傾斜終端；以及

利用蝕刻材料蝕刻所述鈦鎢層，所述蝕刻材料具有比率近似為1.60:1的三氯化硼和六氟化硫，其中所述蝕刻包括施加在近似175瓦特的低變換耦合等離子和施加近似-150峰值伏特的偏置RF，并且其中所述蝕刻材料至少部分蝕刻在散焦條件下暴露的所述光致抗蝕刻材料，所述蝕刻產(chǎn)生所述鈦鎢層中的所述傾斜終端。