[發(fā)明專利]基板保持裝置、成膜裝置和基板保持方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201680034320.6 | 申請日: | 2016-06-07 |
| 公開(公告)號: | CN107710397B | 公開(公告)日: | 2021-02-19 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 織部愛美;萩原宗源;梅村博文;糟谷憲昭;小池潤一郎;小泉和彥;藤野英二 | 申請(專利權(quán))人: | 株式會社愛發(fā)科 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683;C23C14/04 |
| 代理公司: | 北京華夏正合知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11017 | 代理人: | 韓登營;蔣國偉 |
| 地址: | 日本神*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 保持 裝置 方法 | ||
1.一種基板保持裝置,其特征在于,具有掩膜板、中間板、保持板和推壓機構(gòu),其中,
所述掩膜板由磁性材料構(gòu)成;
所述中間板被構(gòu)成為:具有與所述掩膜板相向的第1表面和與所述第1表面相反一側(cè)的第2表面,且所述第1表面能與被配置于所述掩膜板上的基板接觸;
所述保持板以使所述中間板能在與所述掩膜板正交的軸向上相對移動的方式來支承該中間板,并且所述保持板具有磁鐵,該磁鐵被構(gòu)成為能隔著所述中間板和所述基板來對所述掩膜板進行磁吸附;
所述推壓機構(gòu)與所述第2表面相向配置,且所述推壓機構(gòu)被構(gòu)成為能沿著所述軸向?qū)λ龅?表面的至少局部進行推壓,
所述推壓機構(gòu)包含多個推壓單元,其中多個推壓單元被構(gòu)成為能分別對所述第2表面的多個部位進行推壓,
所述推壓單元具有推壓件和彈性部件,其中,
所述推壓件與所述第2表面相向配置;
所述彈性部件被配置于所述推壓件與所述第2表面之間,且能沿所述軸向彈性變形。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板保持裝置,其特征在于,
所述推壓機構(gòu)被設(shè)置于所述保持板。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的基板保持裝置,其特征在于,
所述中間板被構(gòu)成為能在接觸位置和保持位置之間移動,其中,
所述接觸位置是指:所述中間板的所述第1表面的至少局部與所述基板接觸且所述中間板相對于所述保持板的相對距離為第1距離的位置,
所述保持位置是指:所述中間板相對于所述保持板的相對距離為比所述第1距離小的第2距離的位置,
在所述中間板從所述接觸位置向所述保持位置移動的過程中,所述推壓機構(gòu)沿著所述軸向?qū)λ龅?表面進行推壓。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板保持裝置,其特征在于,
所述推壓單元被構(gòu)成為能推壓所述第2表面的中央部和/或周緣部。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板保持裝置,其特征在于,
所述中間板由非磁性材料構(gòu)成。
6.一種成膜裝置,其特征在于,具有成膜室、成膜源、掩膜板、中間板、保持板和推壓機構(gòu),其中,
所述成膜源被配置于所述成膜室;
所述掩膜板與所述成膜源相向配置,且所述掩膜板由磁性材料構(gòu)成;
所述中間板被構(gòu)成為:具有與所述掩膜板相向的第1表面和與所述第1表面相反一側(cè)的第2表面,且所述第1表面能與被配置于所述掩膜板上的基板接觸;
所述保持板以使所述中間板能在與所述掩膜板正交的軸向上相對移動的方式來支承該中間板,并且所述保持板具有磁鐵,該磁鐵被構(gòu)成為能隔著所述中間板和所述基板來對所述掩膜板進行磁吸附;
所述推壓機構(gòu)與所述第2表面相向配置,且所述推壓機構(gòu)被構(gòu)成為能沿所述軸向?qū)λ龅?表面的至少局部進行推壓,
所述推壓機構(gòu)包含多個推壓單元,其中多個推壓單元被構(gòu)成為能分別對所述第2表面的多個部位進行推壓,
所述推壓單元具有推壓件和彈性部件,其中,
所述推壓件與所述第2表面相向配置;
所述彈性部件被配置于所述推壓件與所述第2表面之間,且能沿所述軸向彈性變形。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





