[發明專利]基板處理裝置及基板處理方法有效
| 申請號: | 201680031648.2 | 申請日: | 2016-04-15 |
| 公開(公告)號: | CN107636803B | 公開(公告)日: | 2021-06-11 |
| 發明(設計)人: | 田中裕二;淺井正也;春本將彥;金山幸司 | 申請(專利權)人: | 株式會社斯庫林集團 |
| 主分類號: | H01L21/027 | 分類號: | H01L21/027;G03F7/16;G03F7/30 |
| 代理公司: | 隆天知識產權代理有限公司 72003 | 代理人: | 向勇 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 處理 裝置 方法 | ||
本發明提供一種可以將不同種類的處理液分離并回收的基板處理裝置及基板處理方法。該基板處理裝置包括:旋轉卡盤,其保持基板;處理液供給單元,其對由基板保持部保持的基板的被處理面供給具有第一比重的第一處理液與具有第二比重的第二處理液;貯存部,其貯存對基板供給后的使用過的第一及第二處理液;處理液分離機構,其將貯存于貯存部的第一處理液與第二處理液基于比重而分離。以旋轉卡盤保持基板。在該狀態下,經由涂敷處理單元對基板的被處理面供給第一及第二處理液。第二處理液的比重小于第一處理液的比重。將對基板供給后的使用過的第一及第二處理液貯存于回收箱。經由處理液分離機構將貯存于回收箱內的第一處理液及第二處理液基于比重而分離。
技術領域
本發明涉及一種使用處理液來進行基板處理的基板處理裝置及基板處理方法。
背景技術
在半導體器件等的制造的光刻工序中,通過向基板上供給抗蝕液而形成抗蝕膜。在抗蝕膜被曝光后,通過向抗蝕膜供給顯影液來在抗蝕膜形成規定圖案(例如、參照專利文獻1)。
專利文獻1所記載的顯影處理裝置包括旋轉卡盤、可動杯以及兩個顯影液供給噴嘴。旋轉卡盤將形成有各種抗蝕膜的芯片(wafer)可旋轉地保持。可動杯以包圍旋轉卡盤且在上下方向上可進行移動的方式配置。兩個顯影液供給噴嘴配置于芯片的上方。
在芯片上的抗蝕膜為正型的情況下,可動杯上升,并且從一側的顯影液供給噴嘴向芯片供給正型顯影液。向芯片供給的正型顯影液是從可動杯的一側的排出口排出的。在芯片上的抗蝕膜為負型的情況下,可動杯下降,并且從另一側的顯影液供給噴嘴向芯片供給負型顯影液。向芯片供給的負型顯影液是從可動杯的另一側的排出口排出的。
專利文獻1:日本專利特開2014-75575號公報
發明內容
發明所要解決的問題
在專利文獻1中,記載了通過所述結構來無需使正型顯影液和負型顯影液混合,能夠進行顯影液的排出處理。然而,有正型顯影液和負型顯影液的排出流路部分地共享,因此正型顯影液和負型顯影液會少量混合。因此,無法將正型顯影液和負型顯影液進行分離并回收。
本發明的目的在于,提供一種可以將不同種類的處理液分離并回收的基板處理裝置及基板處理方法。
解決問題的技術方案
(1)根據本發明的一個方式的基板處理裝置,具備:基板保持部,其保持基板;處理液供給單元,其將具有第一比重的第一處理液、和具有小于第一比重的第二比重的第二處理液,向由基板保持部保持的基板的被處理面供給;貯存部,其貯存向基板供給后的使用過的第一處理液和第二處理液;以及處理液分離機構,其基于比重對貯存于貯存部的第一處理液和第二處理液進行分離。
在該基板處理裝置中,通過基板保持部保持基板。在該狀態下,通過處理液供給單元向基板的被處理面供給第一和第二處理液。向基板供給后的使用過的第一和第二處理液貯存于貯存部內。此處,由于第二處理液的比重小于第一處理液的比重,因此在貯存部內,第一處理液的層和第二處理液的層形成為上下分離的形式。據此,基于比重能夠對第一處理液和第二處理液進行分離。
根據該結構,即使在使用過的第一處理液和第二處理液經由共通的排出流路而排出的情況下,也能夠在貯存部內進行分離。其結果,能夠將第一處理液和第二處理液分離并回收。另外,經由將不同種類的處理液分離回收,可降低處理液的廢棄成本。
(2)處理液分離機構包括:第一排出配管,其將使用過的第一處理液從貯存部排出;第二排出配管,其將使用過的第二處理液從貯存部排出;第一排出閥,其安裝于第一排出配管;交界面檢測部,其檢測貯存于貯存部內的第一處理液和第二處理液之間的交界面;以及控制部,其獲取由交界面檢測部檢測的交界面,以在獲取到的檢測面為預設的下限位置以下的情況下關閉第一排出閥,在獲取到的檢測面高于下限位置的情況下打開第一排出閥的方式控制第一排出閥,第一排出配管連接于貯存部得比下限位置更靠近下方的位置,第二排出配管連接于貯存部的比下限位置更靠近上方也可。
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





