[發(fā)明專利]基板處理裝置及基板處理方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201680031648.2 | 申請日: | 2016-04-15 |
| 公開(公告)號: | CN107636803B | 公開(公告)日: | 2021-06-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 田中裕二;淺井正也;春本將彥;金山幸司 | 申請(專利權(quán))人: | 株式會社斯庫林集團(tuán) |
| 主分類號: | H01L21/027 | 分類號: | H01L21/027;G03F7/16;G03F7/30 |
| 代理公司: | 隆天知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003 | 代理人: | 向勇 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 處理 裝置 方法 | ||
1.一種基板處理裝置,其具備:
基板保持部,其保持基板;
處理液供給單元,其將具有第一比重的第一處理液和具有小于所述第一比重的第二比重的第二處理液,向由所述基板保持部保持的基板的被處理面供給;
貯存部,其貯存向基板供給后的使用過的所述第一處理液和所述第二處理液;以及
處理液分離機(jī)構(gòu),其基于比重對貯存于所述貯存部的所述第一處理液和所述第二處理液進(jìn)行分離,
所述處理液分離機(jī)構(gòu)包括:
第一排出配管,其將使用過的所述第一處理液從所述貯存部排出;
第二排出配管,其將使用過的所述第二處理液從所述貯存部排出;
第一排出閥,其安裝于所述第一排出配管;
第二排出閥,其安裝于所述第二排出配管;
交界面檢測部,其檢測貯存于所述貯存部內(nèi)的位于所述第一排出配管和所述第二排出配管之間的所述第一處理液和所述第二處理液之間的交界面;以及
控制部,其獲取由所述交界面檢測部檢測的交界面,以在獲取到的交界面為預(yù)設(shè)的下限位置以下的情況下關(guān)閉所述第一排出閥,在獲取到的交界面高于所述下限位置的情況下打開所述第一排出閥,在獲取到的交界面為位于高于所述下限位置的位置的上限位置以下的情況下打開所述第二排出閥,在獲取到的交界面高于所述上限位置的情況下關(guān)閉所述第二排出閥的方式,控制所述第一排出閥以及所述第二排出閥,
所述第一排出配管連接于所述貯存部的比所述下限位置更靠近下方的位置,所述第二排出配管連接于所述貯存部的比所述上限位置更靠近上方的位置。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理裝置,其中,
所述第一處理液包含水溶液,
所述第二處理液包含有機(jī)溶劑。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的基板處理裝置,其還包括:
涂敷液供給單元,其將含有金屬的涂敷液作為含金屬涂敷液噴出,
所述基板保持部,將基板保持為水平姿勢并使該基板旋轉(zhuǎn),
所述第一處理液使所述含金屬涂敷液的所述金屬溶解,
所述第二處理液使所述含金屬涂敷液的所述涂敷液溶解,
所述涂敷液供給單元通過向由所述基板保持部旋轉(zhuǎn)的基板的被處理面噴出所述含金屬涂敷液,來在基板的被處理面形成含金屬涂敷膜,
所述處理液供給單元以所述含金屬涂敷膜殘留在基板的被處理面的除周緣部以外的區(qū)域的方式,將所述第一處理液和第二處理液向由所述基板保持部旋轉(zhuǎn)的基板的被處理面的所述周緣部供給。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的基板處理裝置,其還包括:
背面處理單元,其將所述第一處理液和第二處理液向由所述基板保持部旋轉(zhuǎn)的基板的與被處理面相反側(cè)的背面供給。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的基板處理裝置,其中,
所述基板保持部選擇性地保持被處理面需接受正型顯影處理的基板、和被處理面需接受負(fù)型顯影處理的基板,
所述第一處理液是正型顯影用顯影液,
所述第二處理液是負(fù)型顯影用顯影液,
所述處理液供給單元在所述被處理面需接受正型顯影處理的基板被保持于所述基板保持部時噴出所述第一處理液,在所述被處理面需接受負(fù)型顯影處理的基板被保持于所述基板保持部時噴出所述第二處理液。
6.一種基板處理方法,其包括:
通過基板保持部保持基板的步驟;
通過處理液供給單元,將具有第一比重的第一處理液和具有小于所述第一比重的第二比重的第二處理液向由所述基板保持部保持的基板的被處理面供給的步驟;
將通過所述處理液供給單元向基板供給后的使用過的所述第一處理液和所述第二處理液貯存于貯存部的步驟;以及
基于比重對貯存于所述貯存部的所述第一處理液和所述第二處理液進(jìn)行分離的步驟;
所述進(jìn)行分離的步驟包括:由交界面檢測部檢測貯存于所述貯存部內(nèi)的位于第一排出配管和第二排出配管之間的所述第一處理液和所述第二處理液之間的交界面;以及
在由所述交界面檢測部檢測的所述交界面為預(yù)設(shè)的下限位置以下的情況下關(guān)閉安裝于所述第一排出配管的第一排出閥,在所述交界面高于所述下限位置的情況下打開所述第一排出閥,在所述交界面為位于高于所述下限位置的位置的上限位置以下的情況下打開安裝于所述第二排出配管的第二排出閥,在所述交界面高于所述上限位置的情況下關(guān)閉所述第二排出閥,
所述第一排出配管以將使用過的所述第一處理液從所述貯存部排出的方式,連接于所述貯存部的比所述下限位置更靠近下方的位置,
所述第二排出配管以將使用過的所述第二處理液從所述貯存部排出的方式,連接于所述貯存部的比所述上限位置更靠近上方的位置。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





