[發明專利]用于形成封裝結構中的溝槽的方法及由此形成的結構

在審

• 申請號: 201680030244.1
• 申請日: 2016-05-24
• 公開（公告）號: CN107646140A
• 公開（公告）日: 2018-01-30
• 發明（設計）人: N·S·亞格納默西;費輝陽;P·馬拉特卡爾;P·拉加萬;R·尼克森
• 申請（專利權）人: 英特爾公司
• 主分類號: H01L23/12
• 分類號: H01L23/12;H01L23/48
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司72002
• 代理人: 陳松濤,王英

1.一種微電子封裝結構，包括：

第一管芯，其設置在第一襯底上；

至少一個互連結構，其設置在所述第一襯底的邊緣區上；

模制化合物，其設置在所述第一襯底的一部分上和所述第一管芯上；

所述模制化合物中的開口，其位于所述第一襯底的所述邊緣區中，其中，所述至少一個互連結構設置在所述開口中；以及

所述模制化合物中的溝槽開口，其中，所述溝槽開口位于所述至少一個互連結構與所述第一管芯之間。

2.根據權利要求1所述的結構，其中，位于所述第一襯底的所述邊緣區中的所述模制化合物中的所述開口包括模穿互連(TMI)過孔，并且其中，第二襯底的互連結構耦合到設置在所述第一襯底上的所述至少一個互連結構。

3.根據權利要求2所述的結構，其中，所述第二襯底的所述互連結構利用TMI焊接接頭結構耦合到設置在所述第一襯底上的所述至少一個互連結構。

4.根據權利要求1-3中的任一項所述的結構，其中，所述溝槽開口能夠防止焊劑材料流過所述第一管芯。

5.根據權利要求2-3中的任一項所述的結構，其中，設置在所述第二襯底上的第二管芯包括存儲器，并且其中，所述第一管芯包括片上系統。

6.根據權利要求1-3中的任一項所述的結構，其中，所述溝槽開口包括連續形狀、不連續形狀和L形狀的其中之一。

7.根據權利要求1-3中的任一項所述的結構，其中，所述封裝結構包括堆疊式封裝(PoP)結構。

8.一種微電子封裝結構，包括：

板；以及

封裝結構，其耦合到所述板，其中，所述封裝結構包括：

第一管芯，其設置在第一襯底上；

模制化合物，其設置在所述第一襯底的一部分上和所述第一管芯上，其中，所述第一管芯至少部分地嵌入在所述模制化合物中；以及

所述模制化合物中的溝槽開口，其中，所述溝槽開口位于設置在所述第一襯底上的模穿互連(TMI)過孔與所述第一管芯之間。

9.根據權利要求8所述的結構，進一步包括耦合到所述第一襯底的第二襯底，其中，設置在所述第一襯底上的所述TMI過孔內的至少一個互連結構與設置在所述第二襯底上的互連結構電氣和物理地耦合。

10.根據權利要求8所述的結構，其中，所述TMI過孔包括設置在所述至少一個互連結構的一部分上的焊劑材料。

11.根據權利要求8所述的結構，其中，所述第一管芯選自于由中央處理單元(CPU)管芯、邏輯管芯和片上系統(SOC)構成的組。

12.根據權利要求8-10中的任一項所述的結構，其中，所述溝槽開口包括大約10μm到大約300μm的高度。

13.根據權利要求8-10中的任一項所述的結構，其中，所述溝槽開口能夠防止所述焊劑流過所述模制化合物的頂表面。

14.根據權利要求8-10中的任一項所述的結構，進一步包括系統，所述系統包括：

通信芯片，其通信地耦合到所述封裝結構；以及

DRAM，其通信地耦合到所述通信芯片。

15.根據權利要求8-10中的任一項所述的結構，其中，所述封裝結構包括PoP封裝結構。

16.根據權利要求8-10中的任一項所述的結構，其中，所述封裝結構包括3D可堆疊封裝結構。

17.一種形成微電子封裝結構的方法，包括：

將第一管芯放置在第一襯底的中心部分上，并且將至少一個焊球放置在所述第一襯底的邊緣部分上；

在所述第一襯底的一部分上和所述第一管芯上形成模制化合物；

在所述模制化合物中形成模穿過孔開口，其中，所述模穿過孔開口暴露所述至少一個焊球；以及

在所述模制化合物中形成溝槽開口，其中，所述溝槽開口形成在所述模穿過孔開口與所述第一管芯之間。

18.根據權利要求17所述的方法，進一步包括將第二襯底耦合到所述第一襯底，其中，設置在所述第二襯底上的互連結構與設置在所述第一襯底上的所述模穿過孔開口內的所述至少一個焊球耦合。