[發(fā)明專利]基板處理裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201680029796.0
• 申請日: 2016-06-13
• 公開（公告）號(hào): CN107710388B
• 公開（公告）日: 2021-08-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 莊盛博文;木村敦夫
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社JET
• 主分類號(hào): H01L21/306
• 分類號(hào): H01L21/306;H01L21/304
• 代理公司: 北京海智友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11455
• 代理人: 吳京順

一種基板處理裝置(10)，對以預(yù)定間隔配置的多個(gè)基板進(jìn)行處理，其特征在于，包括：處理槽(12)，用于存儲(chǔ)處理液，具有沿所述多個(gè)基板的厚度方向的側(cè)面(13)；排出部(14)，配置在所述處理槽(12)的底部，朝向所述側(cè)面(13)向上方排出處理液。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體晶片等的基板處理裝置。

背景技術(shù)

在半導(dǎo)體器件的制造工藝中，為了去除基板上的部分被膜以形成所需圖案、去除整個(gè)被膜或洗凈基板表面，進(jìn)行用清洗液處理基板的清洗處理。作為進(jìn)行這種清洗處理的處理裝置，已知的有將基板逐個(gè)進(jìn)行清洗的單片式裝置和將多個(gè)基板以保持預(yù)定間隔的狀態(tài)浸漬在處理槽內(nèi)的處理液中進(jìn)行清洗的批處理式裝置，(例如，專利文獻(xiàn)1)。

另外，在半導(dǎo)體器件的制造工藝中，多實(shí)施通過利用清洗處理進(jìn)行的蝕刻，在硅片等基板上形成的氮化硅膜(Si₃N₄膜)和氧化硅膜(SiO₂膜)中選擇性地去除氮化硅膜。作為去除氮化硅膜的處理液，多利用磷酸(H₃PO₄)水溶液。由于磷酸水溶液的性質(zhì)，不僅蝕刻氮化硅膜，而且氧化硅膜也會(huì)被輕微蝕刻。如今的半導(dǎo)體器件要求微細(xì)的圖案，因此為了控制蝕刻量，重要的是保持預(yù)定的蝕刻率和作為氮化硅膜和氧化硅膜的各蝕刻率的比例的選擇比。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：專利第3214503號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容

發(fā)明要解決的課題

現(xiàn)有的批處理式處理裝置中，存在基板表面的局部蝕刻率降低的問題。例如，為了去除基板表面的預(yù)定被膜，用現(xiàn)有的批處理式處理裝置來處理多個(gè)基板時(shí)，已得到確認(rèn)被膜的去除特性在基板表面內(nèi)表現(xiàn)出不均勻，因此要求批處理式處理裝置的去除特性變得均勻。

如果處理液被均勻地供給到基板表面，則可期待蝕刻率的均勻化，但這樣的批處理式處理裝置尚未得到。

由此，本發(fā)明的目的在于，提供一種對以預(yù)定間隔配置的多個(gè)基板進(jìn)行處理時(shí)，處理液能夠更加均勻地被供給到基板的表面和背面的基板處理裝置。

用于解決課題的技術(shù)手段

涉及本發(fā)明的基板處理裝置，對以預(yù)定間隔配置的多個(gè)基板進(jìn)行處理，其特征在于，包括：處理槽，用于存儲(chǔ)處理液，具有沿所述多個(gè)基板的厚度方向形成的側(cè)面；排出部，配置在所述處理槽的底部，朝向所述側(cè)面向上方排出處理液。

發(fā)明效果

根據(jù)本發(fā)明，在基板處理裝置，從排出部朝向處理槽的側(cè)面向上方排出的處理液水流沿基板表面和背面以較大流速循環(huán)在處理槽內(nèi)部，幾乎覆蓋了基板的整個(gè)表面和背面。

由于處理液在基板的表面和背面的幾乎整個(gè)區(qū)域中更加均勻地被供給，因此對以預(yù)定間隔配置的多個(gè)基板進(jìn)行處理時(shí)，能夠更加均勻地處理基板表面。

附圖說明

圖1為用于說明第一實(shí)施方式的基板處理裝置的示意圖；

圖2為對第一實(shí)施方式的基板處理裝置的水流進(jìn)行分析的模擬結(jié)果；

圖3為用于說明現(xiàn)有基板處理裝置的一例的示意圖；

圖4為對現(xiàn)有的一例基板處理裝置的水流進(jìn)行分析的模擬結(jié)果；

圖5為用于說明現(xiàn)有基板處理裝置的另一例的示意圖；

圖6為對現(xiàn)有另一例的基板處理裝置的水流進(jìn)行分析的模擬結(jié)果；

圖7為用于說明第二實(shí)施方式的基板處理裝置的示意圖；