[發(fā)明專利]基板處理裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201680029796.0 | 申請日: | 2016-06-13 |
| 公開(公告)號: | CN107710388B | 公開(公告)日: | 2021-08-24 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 莊盛博文;木村敦夫 | 申請(專利權(quán))人: | 株式會社JET |
| 主分類號: | H01L21/306 | 分類號: | H01L21/306;H01L21/304 |
| 代理公司: | 北京海智友知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11455 | 代理人: | 吳京順 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 處理 裝置 | ||
1.一種基板處理裝置,對以預(yù)定間隔配置的多個(gè)基板進(jìn)行處理,其特征在于,包括:
處理槽,用于存儲處理液,具有沿所述多個(gè)基板的厚度方向的相對而置的一對側(cè)面和底面,且具有上部開口,且包括外槽;
排出部,配置在所述處理槽的底部,朝向所述側(cè)面向上方排出處理液,
排液口,在所述處理槽的所述底面的相對而置的一對側(cè)面的中央附近,沿著所述多個(gè)基板的排列而設(shè)置,
其中,所述排出部配置在比所述多個(gè)基板中與所述處理槽的所述底面最接近的外邊緣位于下側(cè)的位置上,且比所述多個(gè)基板中與所述處理槽的所述側(cè)面最接近的外邊緣位于內(nèi)側(cè)的位置上,
在所述基板的處理中,
從所述排出部朝向所述處理槽的所述側(cè)面向上方排出所述處理液,由此產(chǎn)生沿所述處理槽的所述側(cè)面上升的所述處理液的水流,所述上升的所述處理液的水流將流入所述基板的中心區(qū)域,在從所述處理槽的所述側(cè)面相距開的所述基板的中心區(qū)域,產(chǎn)生朝向所述處理槽的所述底部下降的所述處理液的水流,下降的所述處理液朝向所述排出部的方向,與排出自所述排出部的處理液匯合,所述匯合的所述處理液沿所述處理槽的所述側(cè)面上升,并沿著所述基板的表面和背面在所述處理槽內(nèi)部進(jìn)行循環(huán),
所述上升的所述處理液的一部分從所述處理槽的所述上部開口溢出而流入到所述外槽,
通過從所述排液口排出預(yù)定量的所述處理液,由此產(chǎn)生流向所述排液口的所述處理液的水流,促進(jìn)所述處理液的下降。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理裝置,其特征在于,所述處理槽的所述側(cè)面為沿垂直于所述底面方向延伸的一對平面。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的基板處理裝置,其特征在于,
包括第一引入路徑,將排出自所述排液口的所述處理液引入到所述排出部。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的基板處理裝置,其特征在于,
包括第二引入路徑,將流入到所述外槽的所述處理液引入到所述排出部,
所述第一引入路徑與所述第二引入路徑上的泵的上游相連接。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





