[發明專利]硅基電荷中和系統

有效

• 申請號: 201680028350.6
• 申請日: 2016-03-03
• 公開（公告）號: CN107624083B
• 公開（公告）日: 2020-09-01
• 發明（設計）人: 彼得·格夫特;阿列克謝·克洛奇科夫
• 申請（專利權）人: 伊利諾斯工具制品有限公司
• 主分類號: B08B7/00
• 分類號: B08B7/00;B32B17/10;H01L31/048;H05F3/06;B32B15/085;B32B27/32;B32B7/12;B32B27/30;B32B15/08;H01T23/00;B32B15/18;H01T19/00;B32B15/082
• 代理公司: 上海脫穎律師事務所 31259
• 代理人: 脫穎

本發明的實施例提供了一種用于低發射電荷中和的方法，包含：生成高頻交流(AC)電壓；將高頻AC電壓傳輸到至少一個非金屬發射體(300a)；其中，至少一個非金屬發射體包含至少70重量％的硅且小于99.99重量％的硅；其中，所述至少一個發射體包含具有被摧毀的氧化層的至少一個已處理表面部分(310a)；以及響應于高頻AC電壓從至少一個非金屬發射體生成離子。本發明的另一個實施例提供了一種用于低發射電荷中和的設備，其中，該設備可以執行上述操作。

相關申請的交叉引用

本申請為2009年6月18日提交的申請號12/456526的題為“用于具有高頻波形的電離器的硅發射體(SILICON EMITTERS FOR IONIZERS WITH HIGH FREQUENCY WAVEFORMS)”的美國專利申請的部分繼續申請，并且要求該美國專利申請的優先權。該美國專利申請要求于2008年6月18日提交的美國臨時申請號61/132422的權益和優先權。美國專利申請第12/456626號和第61/132422號通過引用并入本文。

關于聯邦資助研究的聲明

不適用

縮微膠片附錄

不適用

背景技術

1、技術領域

本發明的實施例主要涉及用于靜電荷中和及控制的電離裝置。更具體地，本發明的實施例面向半導體、電子設備和/或平板產業中的可靠和低粒子發射的電離器的需求。

使用AC電離器，每個發射體在一個時間段期間接收高的正電壓，在另一時間段期間接收高的負電壓。因此，每個發射體生成具有正離子和負離子輸出的電暈放電。

正離子和負離子的流(云)被引向帶電目標，以便中和電荷并防止與靜電荷相關聯的技術問題。

2、相關技術說明

在此提供的背景描述是用來總體地給出本公開的背景。當前命名的發明人的工作，即在該背景技術章節以及本說明書的各個方面描述的工作(在本申請遞交的時候可能還不夠資格作為現有技術)，不管是明確地還是含蓄地，都不應當被承認為本公開的現有技術。

電荷中和器的離子發射體生成正離子和負離子兩者，并且將其供應至周圍空氣或氣體介質中。為生成氣體離子，所施加電壓的幅值必須足夠高以在布置為電離單元的至少兩個電極之間產生電暈放電。在電離單元中，至少一個電極是離子發射體，另一個電極可為參考電極。電離單元也可以包括至少兩個電離電極。

除了有用的正氣體離子和負氣體離子之外，電荷中和器的發射體可能產生并發射包括不希望的粒子的電暈副產物。在半導體工藝和類似的清潔工藝中，粒子發射物/污染物與缺陷、產品可靠性問題和利潤損失相關。

本領域中已知的幾個因素影響不希望的粒子發射的量。一些首要因素包括例如離子發射體的材料組成、幾何形狀和設計。第二個因素包括發射體與高電壓電源的連接布置。另一個關鍵因素與施加至離子發射體的電功率(高電壓和電流的幅值和時間依存性)的分布相關聯。

功率波形可以用于控制由高壓電源施加至發射體的電壓分布。電壓/電流波形可以用于控制發射體的離子生成和粒子發射。

電暈放電可以通過DC(直流)電壓、AC(交流)電壓或兩個電壓的組合來供能。如下面將討論的，對于本發明的許多應用來說，優選的功率波形是來自高頻(HF)電源的高頻高電壓(HF-HV)輸出。該高電壓輸出可以是持續的而不是連續的。也就是說，電壓輸出的幅度可能隨時間而變化或周期性地截止。