[發明專利]硅基電荷中和系統

有效

• 申請號: 201680028350.6
• 申請日: 2016-03-03
• 公開（公告）號: CN107624083B
• 公開（公告）日: 2020-09-01
• 發明（設計）人: 彼得·格夫特;阿列克謝·克洛奇科夫
• 申請（專利權）人: 伊利諾斯工具制品有限公司
• 主分類號: B08B7/00
• 分類號: B08B7/00;B32B17/10;H01L31/048;H05F3/06;B32B15/085;B32B27/32;B32B7/12;B32B27/30;B32B15/08;H01T23/00;B32B15/18;H01T19/00;B32B15/082
• 代理公司: 上海脫穎律師事務所 31259
• 代理人: 脫穎

1.一種用于低發射電荷中和的方法，包含：

生成高頻交流(AC)電壓；

將所述高頻交流(AC)電壓傳輸到至少一個非金屬發射體；

其中，所述至少一個非金屬發射體包含至少70重量％的硅且小于99.99重量％的硅；

其中，所述至少一個非金屬發射體包含具有被摧毀的氧化層的至少一個已處理表面部分；以及

響應于所述高頻交流(AC)電壓從所述至少一個非金屬發射體生成離子。

2.如權利要求1所述的方法，其中，所述至少一個非金屬發射體的所述至少一個已處理表面部分包含由于粗糙化或噴砂處理而具有預選粗糙度的區域。

3.如權利要求1所述的方法，其中，所述已處理表面部分包含金屬鍍層或金屬涂層。

4.如權利要求1所述的方法，進一步包含：

提供用于監測所述至少一個非金屬發射體的電阻和組成的測量裝置。

5.如權利要求1所述的方法，其中，所述至少一個非金屬發射體包含發射體軸，所述發射體軸包含硅基部分，其中所述至少一個非金屬發射體和金屬電極被插入套管中，并且其中所述套管是彈簧型套管。

6.如權利要求1所述的方法，其中，所述至少一個非金屬發射體包含尖端配置和錐部配置，其中，這兩個配置確定操作HF電暈起始電壓和電離電流參數。

7.如權利要求1所述的方法，進一步包含：

在電暈電離時段的啟動時段期間，通過與操作時段期間的電壓/功率波形不同的電壓/功率波形，執行對所述至少一個非金屬發射體的等離子體的清潔。

8.如權利要求1所述的方法，其中，生成所述離子包含在操作時段期間在最小起始HF電壓和功率下生成正離子和負離子。

9.如權利要求1所述的方法，

其中，所述至少一個非金屬發射體包含在0.03至0.06的范圍內的第一比率S/D；

其中，S是接收所述至少一個非金屬發射體的套管的厚度；以及

其中，D是所述至少一個非金屬發射體的軸的直徑。

10.如權利要求1所述的方法，

其中，所述至少一個非金屬發射體包含在(2-5)/[tan{正切}(0.5α)]的范圍內的第二比率L/S；

其中，L是所述至少一個非金屬發射體的軸的露出部分的長度；

其中，S是接收所述至少一個非金屬發射體的套管的厚度；以及

其中，α是所述至少一個非金屬發射體的所述軸的錐形部分的錐角。

11.如權利要求1所述的方法，其中所述高頻交流(AC)電壓具有至少1KHz的頻率。

12.如權利要求1所述的方法，

其中所述至少一個非金屬發射體包括發射體尖端、發射體軸和發射體尾部，并且其中所述發射體軸在所述發射體尖端和所述發射體尾部之間；

其中所述發射體軸包括至少一個已處理表面部分；以及

其中所述至少一個已處理表面部分被配置為插入電壓插座并且被配置為提供到高電壓電源的電連接。

13.一種用于低發射電荷中和的設備，包含：

至少一個非金屬發射體，所述至少一個非金屬發射體包含至少70重量％的硅且小于99.99重量％的硅；

其中，所述至少一個非金屬發射體包含具有被摧毀的氧化硅層的至少一個已處理表面部分；以及

其中，所述至少一個非金屬發射體響應于高頻交流(AC)電壓而生成離子。

14.如權利要求13所述的設備，其中，所述至少一個已處理表面部分包含粗糙處理部分或噴砂處理部分。