[發明專利]具有多個可彼此分開運行的像素的顯示設備

在審

• 申請號: 201680027611.2
• 申請日: 2016-05-11
• 公開（公告）號: CN107636832A
• 公開（公告）日: 2018-01-26
• 發明（設計）人: 亞歷山大·普福伊費爾;多米尼克·斯科爾茨
• 申請（專利權）人: 歐司朗光電半導體有限公司
• 主分類號: H01L27/15
• 分類號: H01L27/15;H01L33/38;H01L33/62
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司11227
• 代理人: 丁永凡,李建航

技術領域

提出一種顯示設備。

背景技術

發明內容

目的是提出一種顯示設備，所述顯示設備允許顯示設備的尤其可靠的、有效的運行。

提出一種顯示設備。顯示設備尤其包括多個可彼此分開運行的像素，所述顯示設備包括用于產生電磁輻射的半導體層序列。半導體層序列例如具有第一半導體層、有源層和第二半導體層。顯示設備例如能夠為發光二極管，尤其為薄膜發光二極管，所述發光二極管不具有用于半導體層序列的生長襯底。

顯示設備沿豎直方向在第一主平面和第二主平面之間延伸，其中豎直方向能夠橫向于或垂直于第一和/或第二主平面伸展。主平面例如能夠為在顯示設備的頂面和底面上的主延伸平面。顯示設備沿橫向方向、即例如至少局部地平行于主平面面狀擴展并且沿豎直方向具有如下厚度，所述厚度小于顯示設備沿橫向方向的最大延伸。

例如，半導體層序序列、尤其有源層包含III-V族化合物半導體材料。III-V族化合物半導體材料尤其適合于在紫外光譜范圍中(Al_xIn_yGa_1-x-yN)經由可見光譜范圍(尤其對于藍色至綠色輻射為Al_xIn_yGa_1-x-yN，或尤其對于黃色至紅色輻射為Al_xIn_yGa_1-x-yP)直至到紅外光譜范圍(Al_xIn_yGa_1-x-yAs)中產生輻射。在此分別適用的是0≤x≤1，0≤y≤1并且x+y≤1，尤其x≠1，y≠1，x≠0和/或y≠0。此外，借助尤其出自上述材料體系的III-V族半導體材料，在輻射產生時能夠實現高的內部量子效率。

有源層設置在第一半導體層和第二半導體層之間。第一半導體層和第二半導體層適當地具有彼此不同的導電類型。尤其地，第一半導體層能夠是p摻雜的半導體層，并且第二半導體層能夠是n摻雜的半導體層。

在制造顯示設備時，像素優選從共同的半導體層序列中產生。與相應的像素相關聯的半導體層、即半導體層序列的形成像素的橫向區域能夠關于其材料組成和其層厚度方面除了制造引起的波動之外與同顯示設備的另一像素相關聯的半導體層相同。

例如，顯示設備具有載體。載體例如能夠具有多個開關，所述開關分別為了控制至少一個像素而與相應的像素相關聯。載體例如能夠機械地穩定半導體層序列。

第一主平面例如位于半導體層序列的背離載體的一側上。相應地，第二主平面例如位于載體的背離半導體層序列的一側上。

在至少一個實施方式中，顯示設備包括用于接觸第一半導體層的第一接觸結構。此外，顯示設備包括用于接觸第二半導體層的第二接觸結構。

第一接觸結構示例性地設置在半導體層序列和載體之間。第一接觸結構尤其與第一半導體層導電連接。借助于第一接觸結構可從第二主平面起電接觸第一半導體層。

例如，第一接觸結構由金屬層或金屬層堆構成。優選地，第一接觸結構具有光學鏡作用。例如，第一接觸結構由如Al、Ag、Au或Rh的材料構成或者具有這種材料。尤其地，第一接觸結構的層厚度在50nm和500nm之間。

附加地或替選地，在半導體層序列和金屬層或金屬層堆之間引入透明導電氧化物(TCO)。例如，所述透明導電氧化物由如ITO、SnO、ZnO的材料構成或者具有這種材料。尤其地，這種層的層厚度小于100nm。

附加地，在透明導電氧化物層和金屬層或金屬層堆之間能夠設置有電介質或介電的層堆。示例性地，所述電介質或介電的層堆由SiO2構成或具有SiO2。尤其地，其層厚度在100nm和1000nm之間。電介質或介電的層堆例如能夠具有凹部，尤其是分隔開的。因此，透明導電氧化物層和金屬層或金屬層堆之間存在導電連接。

第二接觸結構例如同樣設置在載體和半導體層序列之間。第二接觸結構尤其與第二半導體層導電連接。借助于第二接觸結構，可從第二主平面起電接觸第二半導體層。

第一接觸結構和/或第二接觸結構或其至少一個子層例如構成為是反射性的，尤其關于在顯示設備運行時產生的輻射是反射性的。

在至少一個實施方式中，第一接觸結構具有可彼此分開運行的第一接觸部。第一接觸部分別橫向無中斷地沿著第一半導體層延伸。第一接觸部借助其輪廓分別對像素橫向限界。