[發(fā)明專利]具有多個(gè)可彼此分開運(yùn)行的像素的顯示設(shè)備

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201680027611.2
• 申請日: 2016-05-11
• 公開（公告）號: CN107636832A
• 公開（公告）日: 2018-01-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 亞歷山大·普福伊費(fèi)爾;多米尼克·斯科爾茨
• 申請（專利權(quán)）人: 歐司朗光電半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號: H01L27/15
• 分類號: H01L27/15;H01L33/38;H01L33/62
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11227
• 代理人: 丁永凡,李建航

技術(shù)領(lǐng)域

提出一種顯示設(shè)備。

背景技術(shù)

發(fā)明內(nèi)容

目的是提出一種顯示設(shè)備，所述顯示設(shè)備允許顯示設(shè)備的尤其可靠的、有效的運(yùn)行。

提出一種顯示設(shè)備。顯示設(shè)備尤其包括多個(gè)可彼此分開運(yùn)行的像素，所述顯示設(shè)備包括用于產(chǎn)生電磁輻射的半導(dǎo)體層序列。半導(dǎo)體層序列例如具有第一半導(dǎo)體層、有源層和第二半導(dǎo)體層。顯示設(shè)備例如能夠?yàn)榘l(fā)光二極管，尤其為薄膜發(fā)光二極管，所述發(fā)光二極管不具有用于半導(dǎo)體層序列的生長襯底。

顯示設(shè)備沿豎直方向在第一主平面和第二主平面之間延伸，其中豎直方向能夠橫向于或垂直于第一和/或第二主平面伸展。主平面例如能夠?yàn)樵陲@示設(shè)備的頂面和底面上的主延伸平面。顯示設(shè)備沿橫向方向、即例如至少局部地平行于主平面面狀擴(kuò)展并且沿豎直方向具有如下厚度，所述厚度小于顯示設(shè)備沿橫向方向的最大延伸。

例如，半導(dǎo)體層序序列、尤其有源層包含III-V族化合物半導(dǎo)體材料。III-V族化合物半導(dǎo)體材料尤其適合于在紫外光譜范圍中(Al_xIn_yGa_1-x-yN)經(jīng)由可見光譜范圍(尤其對于藍(lán)色至綠色輻射為Al_xIn_yGa_1-x-yN，或尤其對于黃色至紅色輻射為Al_xIn_yGa_1-x-yP)直至到紅外光譜范圍(Al_xIn_yGa_1-x-yAs)中產(chǎn)生輻射。在此分別適用的是0≤x≤1，0≤y≤1并且x+y≤1，尤其x≠1，y≠1，x≠0和/或y≠0。此外，借助尤其出自上述材料體系的III-V族半導(dǎo)體材料，在輻射產(chǎn)生時(shí)能夠?qū)崿F(xiàn)高的內(nèi)部量子效率。

有源層設(shè)置在第一半導(dǎo)體層和第二半導(dǎo)體層之間。第一半導(dǎo)體層和第二半導(dǎo)體層適當(dāng)?shù)鼐哂斜舜瞬煌膶?dǎo)電類型。尤其地，第一半導(dǎo)體層能夠是p摻雜的半導(dǎo)體層，并且第二半導(dǎo)體層能夠是n摻雜的半導(dǎo)體層。

在制造顯示設(shè)備時(shí)，像素優(yōu)選從共同的半導(dǎo)體層序列中產(chǎn)生。與相應(yīng)的像素相關(guān)聯(lián)的半導(dǎo)體層、即半導(dǎo)體層序列的形成像素的橫向區(qū)域能夠關(guān)于其材料組成和其層厚度方面除了制造引起的波動(dòng)之外與同顯示設(shè)備的另一像素相關(guān)聯(lián)的半導(dǎo)體層相同。

例如，顯示設(shè)備具有載體。載體例如能夠具有多個(gè)開關(guān)，所述開關(guān)分別為了控制至少一個(gè)像素而與相應(yīng)的像素相關(guān)聯(lián)。載體例如能夠機(jī)械地穩(wěn)定半導(dǎo)體層序列。

第一主平面例如位于半導(dǎo)體層序列的背離載體的一側(cè)上。相應(yīng)地，第二主平面例如位于載體的背離半導(dǎo)體層序列的一側(cè)上。

在至少一個(gè)實(shí)施方式中，顯示設(shè)備包括用于接觸第一半導(dǎo)體層的第一接觸結(jié)構(gòu)。此外，顯示設(shè)備包括用于接觸第二半導(dǎo)體層的第二接觸結(jié)構(gòu)。

第一接觸結(jié)構(gòu)示例性地設(shè)置在半導(dǎo)體層序列和載體之間。第一接觸結(jié)構(gòu)尤其與第一半導(dǎo)體層導(dǎo)電連接。借助于第一接觸結(jié)構(gòu)可從第二主平面起電接觸第一半導(dǎo)體層。

例如，第一接觸結(jié)構(gòu)由金屬層或金屬層堆構(gòu)成。優(yōu)選地，第一接觸結(jié)構(gòu)具有光學(xué)鏡作用。例如，第一接觸結(jié)構(gòu)由如Al、Ag、Au或Rh的材料構(gòu)成或者具有這種材料。尤其地，第一接觸結(jié)構(gòu)的層厚度在50nm和500nm之間。

附加地或替選地，在半導(dǎo)體層序列和金屬層或金屬層堆之間引入透明導(dǎo)電氧化物(TCO)。例如，所述透明導(dǎo)電氧化物由如ITO、SnO、ZnO的材料構(gòu)成或者具有這種材料。尤其地，這種層的層厚度小于100nm。

附加地，在透明導(dǎo)電氧化物層和金屬層或金屬層堆之間能夠設(shè)置有電介質(zhì)或介電的層堆。示例性地，所述電介質(zhì)或介電的層堆由SiO2構(gòu)成或具有SiO2。尤其地，其層厚度在100nm和1000nm之間。電介質(zhì)或介電的層堆例如能夠具有凹部，尤其是分隔開的。因此，透明導(dǎo)電氧化物層和金屬層或金屬層堆之間存在導(dǎo)電連接。

第二接觸結(jié)構(gòu)例如同樣設(shè)置在載體和半導(dǎo)體層序列之間。第二接觸結(jié)構(gòu)尤其與第二半導(dǎo)體層導(dǎo)電連接。借助于第二接觸結(jié)構(gòu)，可從第二主平面起電接觸第二半導(dǎo)體層。

第一接觸結(jié)構(gòu)和/或第二接觸結(jié)構(gòu)或其至少一個(gè)子層例如構(gòu)成為是反射性的，尤其關(guān)于在顯示設(shè)備運(yùn)行時(shí)產(chǎn)生的輻射是反射性的。

在至少一個(gè)實(shí)施方式中，第一接觸結(jié)構(gòu)具有可彼此分開運(yùn)行的第一接觸部。第一接觸部分別橫向無中斷地沿著第一半導(dǎo)體層延伸。第一接觸部借助其輪廓分別對像素橫向限界。