[發(fā)明專(zhuān)利]具有多個(gè)可彼此分開(kāi)運(yùn)行的像素的顯示設(shè)備在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201680027611.2 | 申請(qǐng)日: | 2016-05-11 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN107636832A | 公開(kāi)(公告)日: | 2018-01-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 亞歷山大·普福伊費(fèi)爾;多米尼克·斯科爾茨 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 歐司朗光電半導(dǎo)體有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L27/15 | 分類(lèi)號(hào): | H01L27/15;H01L33/38;H01L33/62 |
| 代理公司: | 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11227 | 代理人: | 丁永凡,李建航 |
| 地址: | 德國(guó)雷*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 具有 多個(gè)可 彼此 分開(kāi) 運(yùn)行 像素 顯示 設(shè)備 | ||
1.一種具有多個(gè)能彼此分開(kāi)運(yùn)行的像素(1a,1b,1c)的顯示設(shè)備(1),所述顯示設(shè)備包括:
-用于產(chǎn)生電磁輻射的半導(dǎo)體層序列(3),所述半導(dǎo)體層序列具有第一半導(dǎo)體層(31)、有源層(33)和第二半導(dǎo)體層(35),
-用于接觸所述第一半導(dǎo)體層(31)的第一接觸結(jié)構(gòu)(51)和用于接觸所述第二半導(dǎo)體層(35)的第二接觸結(jié)構(gòu)(55),其中
-所述第一接觸結(jié)構(gòu)(51)具有能彼此分開(kāi)運(yùn)行的第一接觸部(51a,51b,51c),所述第一接觸部分別橫向無(wú)中斷地沿著所述第一半導(dǎo)體層(31)延伸,并且分別借助其輪廓對(duì)像素(1a,1b,1c)橫向限界,
-所述半導(dǎo)體層序列(3)和所述第一接觸結(jié)構(gòu)(51)具有至少一個(gè)關(guān)于相應(yīng)的像素(1a,1b,1c)橫向鄰接的凹部(7a,7b),所述凹部穿過(guò)所述第一接觸結(jié)構(gòu)(51)、所述第一半導(dǎo)體層(31)和所述有源層(33)延伸進(jìn)入到所述第二半導(dǎo)體層(35)中,和
-所述第二接觸結(jié)構(gòu)(55)具有第二接觸部(55a,55b),所述第二接觸部從所述半導(dǎo)體層序列(3)的朝向所述第一接觸結(jié)構(gòu)(51)的一側(cè)延伸穿過(guò)至少一個(gè)所述凹部(7a,7b)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示設(shè)備(1),
其中所述第一接觸部和第二接觸部(51a,51b,51c,55a,55b)分別與所述第一半導(dǎo)體層和第二半導(dǎo)體層(31,35)直接接觸。
3.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的顯示設(shè)備(1),
其中多個(gè)第二接觸部(55a,55b)與至少一個(gè)所述像素(1a,1b,1c)相關(guān)聯(lián),所述第二接觸部冗余地接觸相應(yīng)的所述像素(1a,1b,1c)。
4.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的顯示設(shè)備(1),
其中所述第二接觸部(55a,55b)中的至少一個(gè)第二接觸部橫向地鄰接于多個(gè)相鄰的像素(1a,1b,1c)設(shè)置,并且構(gòu)成用于接觸多個(gè)相鄰的所述像素(1a,1b,1c)。
5.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的顯示設(shè)備(1),
其中所述像素(1a,1b,1c)橫向網(wǎng)格狀分離地設(shè)置,其中所述第二接觸部(55a,55b)中的至少一個(gè)第二接觸部設(shè)置在網(wǎng)格(100)的節(jié)點(diǎn)(100x)上。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的顯示設(shè)備(1),
其中在所述網(wǎng)格(100)的每個(gè)節(jié)點(diǎn)(100x)上設(shè)置有所述第二接觸部(55a,55b)中的一個(gè)第二接觸部。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的顯示設(shè)備(1),
其中在所述網(wǎng)格(100)的每第二個(gè)橫向依次的節(jié)點(diǎn)(100x)上設(shè)置有所述第二接觸部(55a,55b)中的一個(gè)第二接觸部。
8.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的顯示設(shè)備(1),
其中所述第二接觸部(55a,55b)中與下述像素(1a,1b,1c)相關(guān)聯(lián)的至少一個(gè)第二接觸部平行地以沿著邊緣區(qū)域(10c)延伸的方式構(gòu)成,該像素鄰接于所述顯示設(shè)備(1)的橫向的邊緣區(qū)域(10c)。
9.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的顯示設(shè)備(1),
其中與像素(1a,1b,1c)相關(guān)聯(lián)的第二接觸部(55a,55b)的橫向延伸分別與同相應(yīng)的像素(1a,1b,1c)相關(guān)聯(lián)的第二接觸部(55a,55b)的數(shù)量相關(guān)。
10.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的顯示設(shè)備(1),
其中所述第二接觸部(55a,55b)中的與下述像素(1a,1b,1c)相關(guān)聯(lián)的至少一個(gè)第二接觸部具有預(yù)設(shè)的間距,相應(yīng)的第二接觸部(55a,55b)以所述間距朝向所述顯示設(shè)備(1)的橫向內(nèi)部錯(cuò)開(kāi)地設(shè)置,該像素鄰接于所述顯示設(shè)備(1)的橫向的邊緣區(qū)域(10c)。
11.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的顯示設(shè)備(1),
其中所述第二接觸部(55a,55b)中的至少一個(gè)第二接觸部的橫向延伸圓形地構(gòu)成。
12.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的顯示設(shè)備(1),
其中所述第二接觸部(55a,55b)中的至少一個(gè)第二接觸部橫向地包圍像素(1a,1b,1c)。
13.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的顯示設(shè)備(1),
其中所述第二接觸結(jié)構(gòu)(55)網(wǎng)格形地構(gòu)成。
該專(zhuān)利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)。該專(zhuān)利全部權(quán)利屬于歐司朗光電半導(dǎo)體有限公司,未經(jīng)歐司朗光電半導(dǎo)體有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買(mǎi)此專(zhuān)利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201680027611.2/1.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專(zhuān)利網(wǎng)。
- 上一篇:光電傳感器基板
- 下一篇:存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)及其相關(guān)的交叉點(diǎn)存儲(chǔ)器陣列、電子系統(tǒng)及形成存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)的方法
- 同類(lèi)專(zhuān)利
- 專(zhuān)利分類(lèi)
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專(zhuān)門(mén)適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專(zhuān)門(mén)適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專(zhuān)門(mén)適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





