[發(fā)明專(zhuān)利]磁性隧道結(jié)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201680025720.0 | 申請(qǐng)日: | 2016-03-25 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN107534084B | 公開(kāi)(公告)日: | 2020-11-10 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 強(qiáng)納森·D·哈瑪斯;陳偉;蘇尼爾·S·默西;維托·庫(kù)拉 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 美光科技公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L43/08 | 分類(lèi)號(hào): | H01L43/08 |
| 代理公司: | 北京律盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287 | 代理人: | 王龍 |
| 地址: | 美國(guó)愛(ài)*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 磁性 隧道 | ||
1.一種磁性隧道結(jié),其包括:
導(dǎo)電第一磁性電極,其包括磁性記錄材料;
導(dǎo)電第二磁性電極,其與所述第一磁性電極隔開(kāi)且包括磁性參考材料;
所述第一磁性電極和所述第二磁性電極中的至少一者包括(a)和(b)中的一者,其中:
(a)為非晶的;及
(b)其中具有非晶材料或者為晶質(zhì)的;
非磁性隧道絕緣體材料,其在所述第一磁性電極與第二磁性電極之間;且
所述第一磁性電極的所述磁性記錄材料包括第一磁性區(qū)域、與所述第一磁性區(qū)域隔開(kāi)的第二磁性區(qū)域、及與所述第一及第二磁性區(qū)域隔開(kāi)的第三磁性區(qū)域;包括金屬氧化物的第一非磁性絕緣體區(qū)域在所述第一與第二磁性區(qū)域之間;且包括金屬氧化物的第二非磁性絕緣體區(qū)域在所述第二與第三磁性區(qū)域之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁性隧道結(jié),其中包括金屬氧化物的所述第一非磁性絕緣體區(qū)域及所述第二非磁性絕緣體區(qū)域具有彼此相同的組合物。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁性隧道結(jié),其中包括金屬氧化物的所述第一非磁性絕緣體區(qū)域及所述第二非磁性絕緣體區(qū)域具有彼此不同的組合物。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁性隧道結(jié),其中包括金屬氧化物的所述第一非磁性絕緣體區(qū)域及所述第二非磁性絕緣體區(qū)域具有彼此相同的最小厚度。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁性隧道結(jié),其中包括金屬氧化物的所述第一非磁性絕緣體區(qū)域及所述第二非磁性絕緣體區(qū)域具有彼此不同的最小厚度。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁性隧道結(jié),其中包括金屬氧化物的所述第一非磁性絕緣體區(qū)域及所述第二非磁性絕緣體區(qū)域具有彼此相同的組合物且具有彼此相同的最小厚度。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁性隧道結(jié),其中包括金屬氧化物的所述第一非磁性絕緣體區(qū)域直接抵靠所述第一及第二磁性區(qū)域。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁性隧道結(jié),其中包括金屬氧化物的所述第二非磁性絕緣體區(qū)域直接抵靠所述第二及第三磁性區(qū)域。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁性隧道結(jié),其中所述第一磁性電極的所述磁性記錄材料包括與所述第三磁性區(qū)域隔開(kāi)的至少一個(gè)偏磁性區(qū)域,且包括在所述第三磁性區(qū)域與所述至少一個(gè)偏磁性區(qū)域之間的包括金屬氧化物的至少一個(gè)偏非磁性絕緣體區(qū)域。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁性隧道結(jié),其中所述第一磁性電極的所述磁性記錄材料包括與所述第三磁性區(qū)域隔開(kāi)且彼此隔開(kāi)的多個(gè)偏磁性區(qū)域,且包括包括金屬氧化物的多個(gè)偏非磁性絕緣體區(qū)域;所述多個(gè)偏磁性區(qū)域中的一者比所述多個(gè)偏磁性區(qū)域的所有其它者更接近所述第三磁性區(qū)域,包括金屬氧化物的所述多個(gè)偏非磁性絕緣體區(qū)域中的一者在所述第三磁性區(qū)域與所述最接近磁性區(qū)域之間,包括金屬氧化物的所述多個(gè)偏非磁性絕緣體區(qū)域的所有相應(yīng)其它者在所述多個(gè)偏磁性區(qū)域的直接相鄰者之間。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁性隧道結(jié),其是SMTJ。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁性隧道結(jié),其包括:
另一非磁性隧道絕緣體材料,其在所述磁性記錄材料的所述第三磁性區(qū)域上方與包括金屬氧化物的所述第二非磁性絕緣體區(qū)域隔開(kāi);及
第二磁性參考材料,其在所述另一非磁性隧道絕緣體材料上方,所述第二磁性參考材料包括接近所述另一非磁性隧道絕緣體材料的磁性極化體材料。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁性隧道結(jié),其中所述第一磁性電極在所述隧道絕緣體材料的一個(gè)電極側(cè)上,且在所述一個(gè)電極側(cè)上包括最遠(yuǎn)離所述磁性隧道結(jié)的所有絕緣體材料的所述隧道絕緣體材料的非磁性絕緣體材料,所述最遠(yuǎn)絕緣體材料具有與所述隧道絕緣體材料相同的組合物且具有低于所述隧道絕緣體材料的最大厚度的最大厚度。
該專(zhuān)利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)。該專(zhuān)利全部權(quán)利屬于美光科技公司,未經(jīng)美光科技公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買(mǎi)此專(zhuān)利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201680025720.0/1.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專(zhuān)利網(wǎng)。
- 同類(lèi)專(zhuān)利
- 專(zhuān)利分類(lèi)





