[發明專利]半導體加工用帶

有效

• 申請號: 201680025557.8
• 申請日: 2016-10-05
• 公開（公告）號: CN107960133B
• 公開（公告）日: 2021-10-26
• 發明（設計）人: 青山真沙美;佐野透
• 申請（專利權）人: 古河電氣工業株式會社
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683;H01L23/36;C09J7/20
• 代理公司: 北京匯思誠業知識產權代理有限公司 11444
• 代理人: 龔敏;王剛

本發明提供一種能夠防止在向半導體晶圓貼合時金屬層產生褶皺的半導體加工用帶。本發明的半導體加工用帶(10)的特征在于，具有：具有基材膜(11)和粘合劑層(12)的切割帶(13)、設置于所述粘合劑層(12)上且用于保護半導體芯片的背面的金屬層(14)、以及設置于所述金屬層(14)上且用于將所述金屬層(14)粘接于半導體芯片的背面的粘接劑層(15)，所述切割帶(13)的環剛度為20mN以上且低于200mN。

技術領域

本發明涉及半導體加工用帶，特別是涉及具有用于保護以面朝下(face down)方式安裝的半導體芯片的背面的金屬層的半導體加工用帶。

背景技術

近年來，進一步尋求半導體裝置及其封裝的薄型化、小型化。正在進行使用了被稱作所謂的面朝下(face down)方式的安裝法的半導體裝置的制造。面朝下方式中，使用電路面上形成有用于確保導通的被稱作凸塊的凸狀的電極而成的半導體芯片，使電路面反轉(面朝下)，形成使電極與基板連接的結構(所謂的倒裝片連接)。

在這種半導體裝置中，有時由半導體加工用帶保護半導體芯片的背面，防止半導體芯片的損傷等(參照專利文獻1)。進而，還已知有經由粘接層在半導體元件上貼附由金屬層和粘接層構成的單面粘接膜的方案(參照專利文獻2)。

作為倒裝片連接的代表的步驟，將粘接有半導體加工用帶的半導體芯片表面上形成的焊料凸塊等浸漬于助焊劑中，其后使凸塊和形成于基板上的電極(根據需要在該電極上也形成有焊料凸塊)接觸，最后使焊料凸塊熔融，將焊料凸塊和電極回流連接。助焊劑出于軟釬焊時的焊料凸塊的清洗或氧化的防止、焊料的潤濕性的改善等目的而使用。通過以上的步驟，能夠構筑半導體芯片和基板之間的良好的電連接。

因此，作為即使助焊劑附著也能夠防止污染的產生、可制造外觀性優異的半導體裝置的半導體加工用帶，提案有一種倒裝片型半導體背面用膜，其具備粘接劑層、和層疊于該粘接劑層上的保護層，保護層由玻璃化轉變溫度為200℃以上的耐熱性樹脂或金屬構成(參照專利文獻3)。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2007-158026號公報

專利文獻2：日本特開2007-235022號公報

專利文獻3：日本特開2012-033626號公報

發明內容

發明所要解決的課題

但是，如上述專利文獻1那樣通過輻射線或熱使含有輻射固化性成分或熱固化性成分的樹脂固化而形成保護膜的情況下，因為固化后的保護膜和半導體晶圓的熱膨脹系數差大，所以存在在加工中途半導體晶圓或半導體芯片產生翹曲的問題。

在這一點上，如上述專利文獻2及專利文獻3，通過將金屬的保護層(以下稱作金屬層)經由粘接劑層與半導體晶圓粘接，能夠防止翹曲。在此，專利文獻3中也公開有在基材上層疊有粘合劑層的切割帶的粘合劑層上設置有保護層及粘接劑層的倒裝片型半導體背面用膜。

關于這種切割帶一體型的倒裝片型半導體背面用膜(以下稱作半導體加工用帶)，通常為了保護粘接劑層而在粘接劑層上設置有間隔件，在半導體晶圓上貼合粘接劑層時，為了避免以褶皺集中于粘接劑層的狀態貼合半導體晶圓，以粘接劑層側為下側地將間隔件一點一點地剝離，同時從切割帶側用貼合輥一邊按壓一邊進行貼合。在這樣進行貼合時，現有的半導體加工用帶存在金屬層產生褶皺的問題。