[發(fā)明專利]半導體加工用帶

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201680025557.8
• 申請日: 2016-10-05
• 公開（公告）號: CN107960133B
• 公開（公告）日: 2021-10-26
• 發(fā)明（設計）人: 青山真沙美;佐野透
• 申請（專利權(quán)）人: 古河電氣工業(yè)株式會社
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683;H01L23/36;C09J7/20
• 代理公司: 北京匯思誠業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11444
• 代理人: 龔敏;王剛

1.一種半導體加工用帶，其特征在于，具有：

切割帶，其具有基材膜和粘合劑層；

金屬層，其設置于所述粘合劑層上；以及

粘接劑層，其設置于所述金屬層上，用于將所述金屬層粘接于半導體芯片的背面，

所述粘接劑層的吸水率為1.5vol％以下，

所述粘接劑層的殘存揮發(fā)成分為3.0wt％以下，

所述金屬層的線膨脹系數(shù)相對于粘接劑層的線膨脹系數(shù)的比為0.3以上，

所述切割帶的環(huán)剛度為20mN以上且低于200mN。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體加工用帶，其特征在于，

所述金屬層包含選自鋁、鐵、鈦、錫、鎳及銅構(gòu)成的組中的至少1種金屬和/或它們的合金中的任一種。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導體加工用帶，其特征在于，

所述切割帶的厚度為55μm以上且低于215μm。