[發明專利]在邏輯芯片中基于電壓對比的錯誤及缺陷推導

有效

• 申請號: 201680025510.1
• 申請日: 2016-05-17
• 公開（公告）號: CN107533103B
• 公開（公告）日: 2021-06-08
• 發明（設計）人: B·達菲
• 申請（專利權）人: 科磊股份有限公司
• 主分類號: G01R31/305
• 分類號: G01R31/305;G01R31/307
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 張世俊

1.一種電壓對比成像缺陷檢測系統，其包括：

電壓對比成像工具；及

控制器，其耦合到所述電壓對比成像工具，其中所述控制器包含一或多個處理器，所述一或多個處理器經配置以執行經配置以致使所述一或多個處理器進行以下操作的程序指令：

分析與樣本相關聯的設計數據以針對所述樣本上的一或多個結構產生一或多個電壓對比成像度量；

基于所述一或多個電壓對比成像度量而確定所述樣本上的一或多個目標區域；

導引所述電壓對比成像工具以產生限于所述樣本上的所述一或多個目標區域的電壓對比成像數據集；

從所述電壓對比成像工具接收所述樣本上的所述一或多個目標區域的所述電壓對比成像數據集；以及

基于所述電壓對比成像數據集而檢測一或多個缺陷。

2.根據權利要求1所述的電壓對比成像缺陷檢測系統，其中所述一或多個電壓對比成像度量包含所述一或多個結構的一或多個電壓對比圖像的預測信號強度。

3.根據權利要求2所述的電壓對比成像缺陷檢測系統，其中所述一或多個電壓對比成像信號的所述預測信號強度包括：

灰階電壓對比圖像的灰階值。

4.根據權利要求1所述的電壓對比成像缺陷檢測系統，其中所述一或多個電壓對比成像度量包含使用電壓對比成像來檢測所述一或多個結構上的缺陷的可能性。

5.根據權利要求1所述的電壓對比成像缺陷檢測系統，其中所述一或多個電壓對比成像度量包含與所述一或多個結構相關聯的預測缺陷機制。

6.根據權利要求1所述的電壓對比成像缺陷檢測系統，其中所述一或多個電壓對比成像度量包含與所述一或多個結構相關聯的預測錯誤機制。

7.根據權利要求1所述的電壓對比成像缺陷檢測系統，其中針對樣本上的所述一或多個結構產生一或多個電壓對比成像度量包括：

基于所述一或多個結構的物理布局而產生一或多個電壓對比成像度量。

8.根據權利要求1所述的電壓對比成像缺陷檢測系統，其中針對樣本上的所述一或多個結構產生一或多個電壓對比成像度量包括：

基于包含所述一或多個結構的接線對照表而產生一或多個電壓對比成像度量。

9.根據權利要求8所述的電壓對比成像缺陷檢測系統，其中基于包含所述一或多個結構的接線對照表而產生一或多個電壓對比成像度量包括：

識別與所述接線對照表的一或多個接線網相關聯的一或多個子電路；

基于所述一或多個子電路而產生一或多個電壓對比成像度量。

10.根據權利要求1所述的電壓對比成像缺陷檢測系統，其中針對樣本上的所述一或多個結構產生一或多個電壓對比成像度量包括：

基于所述一或多個結構的一或多個電性質而產生一或多個電壓對比成像度量。

11.根據權利要求10所述的電壓對比成像缺陷檢測系統，其中所述一或多個結構的所述電性質包括：

電阻、阻抗或電容中的至少一者。

12.根據權利要求1所述的電壓對比成像缺陷檢測系統，其中針對樣本上的所述一或多個結構產生一或多個電壓對比成像度量包括：

基于與所述電壓對比成像工具相關聯的電壓對比成像條件而產生一或多個電壓對比成像度量。

13.根據權利要求12所述的電壓對比成像缺陷檢測系統，其中與所述電壓對比成像工具相關聯的所述電壓對比成像條件包含以下中的至少一者：分辨率、掃描束相對于電接地的電壓、所述掃描束的速度或含有所述一或多個結構的腔室的壓力。