[發明專利]在邏輯芯片中基于電壓對比的錯誤及缺陷推導

有效

• 申請號: 201680025510.1
• 申請日: 2016-05-17
• 公開（公告）號: CN107533103B
• 公開（公告）日: 2021-06-08
• 發明（設計）人: B·達菲
• 申請（專利權）人: 科磊股份有限公司
• 主分類號: G01R31/305
• 分類號: G01R31/305;G01R31/307
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 張世俊

本發明揭示一種電壓對比成像缺陷檢測系統，其包含電壓對比成像工具及耦合到所述電壓對比成像工具的控制器。所述控制器經配置以：針對樣本上的一或多個結構產生一或多個電壓對比成像度量；基于所述一或多個電壓對比成像度量而確定所述樣本上的一或多個目標區域；從所述電壓對比成像工具接收所述樣本上的所述一或多個目標區域的電壓對比成像數據集；以及基于所述電壓對比成像數據集而檢測一或多個缺陷。

相關申請案的交叉參考

本申請案根據35 U.S.C.§119(e)規則主張2015年5月20日申請的以名為布萊恩·達菲(Brian Duffy)為發明者的標題為“在隨機邏輯產品芯片中的基于電壓對比的故障及缺陷干擾的方法及設備(METHODS AND APPARATUS FOR VOLTAGE CONTRAST BASED FAULTAND DEFECT INFERENCE IN RANDOM LOGIC PRODUCT CHIPS)”的第62/164,081號美國臨時申請案的權利，所述臨時申請案的全部內容以引用的方式并入本文中。

技術領域

本發明大體上涉及缺陷檢測，且更特定來說，本發明涉及使用電壓對比成像的目標缺陷檢測。

背景技術

檢驗系統識別并分類半導體晶片上的缺陷以在晶片上產生缺陷群體。給定半導體晶片可包含數百個芯片，每一芯片含有所關注的數千個組件，且所關注的每一組件可在芯片的給定層上具有數百萬個例子。因此，檢驗系統可在給定晶片上產生大量數據點(例如用于一些系統的數千億個數據點)。此外，對不斷縮小裝置的需求導致對檢驗系統的增加需求。需求包含：需要在不犧牲檢驗速率或準確度的情況下提高推導識別缺陷的根本原因所需的分辨率及容量。因此，可期望提供一種用于克服例如上文所識別的缺點的缺點的系統及方法。

發明內容

根據本發明的一或多個說明性實施例，揭示一種電壓對比成像缺陷檢測系統。在一個說明性實施例中，所述系統包含電壓對比成像工具。在另一說明性實施例中，所述系統包含耦合到所述電壓對比成像工具的控制器，其中所述控制器包含一或多個處理器。在另一說明性實施例中，所述一或多個處理器經配置以執行經配置以致使所述一或多個處理器針對樣本上的一或多個結構產生一或多個電壓對比成像度量的程序指令。在另一說明性實施例中，所述一或多個處理器經配置以執行經配置以致使所述一或多個處理器基于所述一或多個電壓對比成像度量而確定所述樣本上的一或多個目標區域的程序指令。在另一說明性實施例中，所述一或多個處理器經配置以執行經配置以致使所述一或多個處理器從所述電壓對比成像工具接收所述樣本上的所述一或多個目標區域的電壓對比成像數據集的程序指令。在另一說明性實施例中，所述一或多個處理器經配置以執行經配置以致使所述一或多個處理器基于所述電壓對比成像數據集而檢測一或多個缺陷的程序指令。

根據本發明的一或多個說明性實施例，揭示一種電壓對比成像缺陷檢測設備。在一個說明性實施例中，所述設備包含經配置以產生一或多個粒子束的粒子束源。在另一說明性實施例中，所述設備包含經定位以將所述一或多個粒子束導引到樣本上的一或多個粒子束元件。在另一說明性實施例中，所述設備包含經定位以接收從所述樣本發出的一或多個粒子的檢測器。在另一說明性實施例中，所述設備包含耦合到所述檢測器的控制器。在另一說明性實施例中，所述控制器包含一或多個處理器。在另一說明性實施例中，所述一或多個處理器經配置以執行經配置以致使所述一或多個處理器針對樣本上的一或多個結構產生一或多個電壓對比成像度量的程序指令。在另一說明性實施例中，所述一或多個處理器經配置以執行經配置以致使所述一或多個處理器基于所述一或多個電壓對比成像度量而確定所述樣本上的一或多個目標區域的程序指令。在另一說明性實施例中，所述一或多個處理器經配置以執行經配置以致使所述一或多個處理器基于由所述檢測器捕獲的從所述樣本發出的一或多個粒子而針對所述樣本上的所述一或多個目標區域產生電壓對比成像數據集的程序指令。在另一說明性實施例中，所述一或多個處理器經配置以執行經配置以致使所述一或多個處理器基于所述電壓對比成像數據集而檢測一或多個缺陷的程序指令。