[發明專利]電荷傳輸性膜、有機電致發光元件及它們的制造方法有效
| 申請號： | 201680023237.9 | 申請日： | 2016-04-07 |
| 公開（公告）號： | CN107535031B | 公開（公告）日： | 2019-03-01 |
| 發明（設計）人： | 東將之 | 申請（專利權）人： | 日產化學工業株式會社 |
| 主分類號： | H05B33/10 | 分類號： | H05B33/10;H01L51/50 |
| 代理公司： | 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 劉新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 電荷 傳輸 制造 方法 有機 電致發光 元件 提高 | ||
1.一種電荷傳輸性膜的制造方法，其特征在于，其是制造具有50nm～300nm范圍內的膜厚的電荷傳輸性膜的方法，其具備下述工序：
將包含僅由N,N’-二芳基聯苯胺衍生物組成的電荷傳輸性物質、摻雜劑物質和有機溶劑的電荷傳輸性膜形成用清漆涂布在基材上的工序；以及
將所得涂膜以式(S1)所示的燒成溫度進行燒成的工序，
燒成溫度>[232.5℃+(所述膜厚/20nm)×5℃](S1)。
2.根據權利要求1所述的電荷傳輸性膜的制造方法，其中，所述燒成溫度用式(S2)表示，
燒成溫度>[237.5℃+(所述膜厚/20nm)×5℃](S2)。
3.根據權利要求1所述的電荷傳輸性膜的制造方法，其中，所述摻雜劑物質包含芳基磺酸化合物。
4.根據權利要求1所述的電荷傳輸性膜的制造方法，其中，所述摻雜劑物質包含雜多酸。
5.根據權利要求1所述的電荷傳輸性膜的制造方法，其中，所述N,N’-二芳基聯苯胺衍生物為N,N’-二苯基聯苯胺。
6.一種電荷傳輸性膜，其特征在于，其是通過權利要求1～5中任一項所述的電荷傳輸性膜的制造方法制造的。
7.一種有機電致發光元件，其特征在于，其具有權利要求6所述的電荷傳輸性膜。
8.根據權利要求7所述的有機電致發光元件，其中，所述電荷傳輸性膜為空穴注入層、空穴傳輸層或空穴注入傳輸層。
9.一種有機電致發光元件的制造方法，其特征在于，其包括權利要求1～5中任一項所述的電荷傳輸性膜的制造方法。
10.一種提高電荷傳輸性膜的電荷傳輸性的方法，其特征在于，其是提高由電荷傳輸性膜形成用清漆得到的、具有50nm～300nm范圍內的膜厚的電荷傳輸性膜的電荷傳輸性的方法，所述電荷傳輸性膜形成用清漆包含僅由N,N’-二芳基聯苯胺衍生物組成的電荷傳輸性物質、摻雜劑物質和有機溶劑，所述方法具備：
將由所述電荷傳輸性膜形成用清漆得到的涂膜以式(S1)所示的燒成溫度進行燒成的工序，
燒成溫度>[232.5℃+(所述膜厚/20nm)×5℃] (S1)。
11.根據權利要求10所述的提高電荷傳輸性膜的電荷傳輸性的方法，其中，所述燒成溫度用式(S2)表示，
燒成溫度>[237.5℃+(所述膜厚/20nm)×5℃] (S2)。
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