[發明專利]層疊體及阻氣膜

有效

• 申請號: 201680021107.1
• 申請日: 2016-04-15
• 公開（公告）號: CN107428126B
• 公開（公告）日: 2020-11-03
• 發明（設計）人: 堀池喬文;佐藤盡;高島菜穗
• 申請（專利權）人: 凸版印刷株式會社
• 主分類號: B32B27/36
• 分類號: B32B27/36;B32B27/08;B32B27/32;C23C16/30;C23C16/56;C23C16/455
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 張蘇娜;常海濤

本發明提供一種層疊體，其具備：基材；原子層沉積膜，其配置于所述基材的至少一面上且由無機材料形成；以及保護膜，其以覆蓋所述原子層沉積膜的方式貼附于所述原子層沉積膜，并具有與所述原子層沉積膜接觸的粘合層。

技術領域

本發明涉及層疊體及阻氣膜，特別是涉及這樣的層疊體及包含該層疊體的阻氣膜，所述層疊體在基材的外表面上具有通過原子層沉積法(ALD法)而形成的原子層沉積膜。

本申請基于2015年4月16日在日本申請的特愿2015-084031號及2015年4月20日在日本申請的特愿2015-085812號主張優先權，其內容以引用方式并入本文。

背景技術

目前，作為利用使物質像氣體那樣呈在原子或分子水平上運動的狀態的氣相從而在物體的表面形成薄膜的方法，有化學氣相沉積(也稱為CVD(Chemical VaporDeposition))法和物理氣相沉積(也稱為PVD(Physical Vapor Deposition))法。

作為PVD法，例如有真空蒸鍍法或濺射法等。對于濺射法來說，由于可進行膜質及厚度的均勻性優異的高質量的薄膜的成膜，因此被廣泛應用于液晶顯示器等顯示器件中。

CVD法是向真空室內導入原料氣體，通過熱能使一種或兩種以上的氣體在基板上分解或反應從而使固體薄膜生長的方法。

此時，為了促進成膜時的反應，或為了降低反應溫度，有并用等離子體或催化劑(Catalyst)反應的方法。

其中，將使用等離子體反應的CVD法稱為PECVD(Plasma Enhanced CVD)法。另外，將利用催化劑反應的CVD法稱為Cat-CVD法。

當使用這樣的CVD法時，成膜缺陷變少，因此，適用于例如半導體器件的制造工序(例如，柵極絕緣膜的成膜工序)等。

近年來，作為成膜方法，原子層沉積法(ALD(Atomic Layer Deposition)法。以下稱為“ALD法”。)備受關注。

ALD法是將表面吸附的物質通過表面的化學反應而以原子水平逐層成膜的方法。上述ALD法被分類于CVD法的范疇。

所謂CVD法(普通的CVD法)是使用單一氣體或同時使用多種氣體在基板上使其反應而使薄膜生長的方法。與此相對，ALD法是通過交替使用前體(以下，稱為“第一前體”。例如，TMA(Tri-Methyl Aluminum))或被稱為前驅物質的富有活性的氣體和反應性氣體(ALD法中被稱為前體。以下，將該前體稱為“第二前體”。)，通過在基板表面上的吸附和與吸附接續的化學反應而使薄膜以原子水平逐層生長的特殊的成膜方法。

ALD法的具體的成膜方法通過如下的方法進行。

首先，利用所謂的自限制效應(在基板上的表面吸附中，當表面被某種氣體覆蓋時，則不再發生該氣體的吸附的現象。)，在基板上僅吸附一層前體后，就對未反應的前體排氣(第一步驟)。

接著，向腔室內導入反應性氣體，使先前的前體氧化或還原而僅形成一層具有期望組成的薄膜后，將反應性氣體排氣(第二步驟)。

在ALD法中，通過將上述第一及第二步驟設為一個循環，并重復進行該循環而使薄膜在基板上生長。

因此，ALD法中，薄膜二維地生長。另外，與現有的真空蒸鍍法或濺射法等相比，ALD法的生長缺陷較少，即使與一般的CVD法相比，ALD法的生長缺陷也較少。