[發明專利]半導體封裝件及其制造方法

在審

• 申請號: 201680020112.0
• 申請日: 2016-04-04
• 公開（公告）號: CN107431048A
• 公開（公告）日: 2017-12-01
• 發明（設計）人: 金知澔
• 申請（專利權）人: 天津威盛電子有限公司
• 主分類號: H01L23/28
• 分類號: H01L23/28;H01L23/552
• 代理公司: 北京冠和權律師事務所11399
• 代理人: 朱健,陳國軍

技術領域

本發明涉及半導體封裝件及上述半導體封裝件的制造方法，上述半導體封裝件包括：基板；金屬端子，形成于上述基板；半導體部件，安裝于上述基板；電磁波屏蔽層，包圍上述半導體部件而形成，并與上述金屬端子直接接觸；模具，包圍上述電磁波屏蔽層。

背景技術

在現代社會，使用電子設備是必不可少的，在多種領域中的各種電子設備的使用率暴增的同時數字/半導體技術發達，精密電子設備發達，其應用范圍變得廣泛。從中產生的電磁波干擾包括電波噪聲干擾，引起精密電子設備的相互誤操作及對人體產生的生物體壞影響等，因而在生態系統中，電子能量影響成為非常大的問題。

尤其，半導體裝置通常與多種電/電子設備集成地進行配置，這種情況下，從電/電子設備中直接輻射或傳導的電磁波有可能對互不相同的電子設備的接收功能產生干擾。因此，絕對需要小型化及集成化的便攜式終端中所使用的半導體裝置需要如下方法：因不必要的電磁信號或電磁噪聲而產生所需的電子信號的接收干擾的電磁干擾(EMI，Electo Magnetic Interference)的有效屏蔽方法。

以往的EMI屏蔽方法有電磁干擾屏蔽(EMI Shield)方式，通過這種方式從使用電子產品的過程中產生的電磁波中進行保護。在這種EMI屏蔽方法中，如圖1所示，使金屬端子露出在基板的側面，進行模制之后，形成多層金屬膜，從而實現了EMI屏蔽的特性。

但是，在以往的EMI屏蔽方法中，由于在基板及部件的周圍形成金屬膜來實現屏蔽特性，因而存在如下問題，需要在最后一層單獨形成防氧化層，以防止金屬膜自身氧化，在模具上由激光等體現的打標的可視性降低。并且，不僅具有嚴重的工程制約，而且還存在產品本身的耐久性也變得脆弱，工程費用高，生產率低，EMI屏蔽效果也不高的缺點。

發明內容

技術問題

本發明用于解決上述的現有技術的問題，以往在形成包圍基板和部件的模具之后，將多個金屬膜使用于電磁波屏蔽方法中，但本發明的目的在于，提供在模具內部實現電磁波屏蔽物的半導體封裝件。

并且，本發明的目的在于，提供如下的半導體封裝件，作為用于金屬屏蔽的電磁波屏蔽層的制造方法，可使用鍍敷、濺射、金屬噴涂等多種方法來形成，電磁波屏蔽層還可形成在多個半導體部件之間，還可在保護膜上以無彎曲的方式平平地形成。

解決問題的方案

用于解決如上所述的問題的本發明一實施例的半導體封裝件，其特征在于，包括：基板；金屬端子，形成于上述基板；半導體部件，安裝于上述基板；電磁波屏蔽層，包圍上述半導體部件而形成，并與上述金屬端子直接接觸；模具，包圍上述電磁波屏蔽層。

此時，本發明一實施例的半導體封裝件，其特征在于，還包括保護膜，上述保護膜涂敷于上述金屬端子及上述半導體部件上而形成，上述電磁波屏蔽層包圍上述保護膜而形成。

并且，本發明一實施例的半導體封裝件，其特征在于，上述保護膜去除與上述金屬端子相連的部分來使上述金屬端子露出，上述電磁波屏蔽層形成于去除的保護膜部分上，與露出的上述金屬端子直接接觸。此時，本發明的特征在于，半導體部件為聲表面波(SAW)濾波器。

并且，本發明一實施例的半導體封裝件，其特征在于，在上述半導體部件上以具有既定的規定厚度的方式形成，本發明的特征在于，上述電磁波屏蔽層形成于兩個以上的上述半導體部件之間，對上述半導體部件之間的電磁波干擾進行屏蔽，本發明的特征在于，上述電磁波屏蔽層在上述半導體部件上以無彎曲的方式平平地形成。

并且，本發明一實施例的半導體封裝件，其特征在于，上述電磁波屏蔽層為金屬膜，本發明的特征在于，上述電磁波屏蔽層通過鍍敷、濺射、金屬噴涂或印刷中的至少一種方法來形成。

并且，本發明一實施例的半導體封裝件，其特征在于，還可包括用于使上述半導體部件接地的接地板，上述金屬端子通過通孔與上述接地板相連接。

另一方面，本發明一實施例的半導體封裝件的制造方法，其特征在于，包括：步驟(a)，將金屬端子形成于基板；步驟(b)，在上述基板安裝半導體部件；步驟(d)，包圍上述半導體部件來形成電磁波屏蔽層；步驟(e)，形成包圍上述電磁波屏蔽層的模具。

此時，本發明一實施例的半導體封裝件的制造方法，其特征在于，還包括步驟(c)，在上述步驟(c)中，在上述金屬端子及上述半導體部件上涂敷保護膜而形成，在上述步驟(d)中，上述電磁波屏蔽層包圍上述保護膜而形成。