[發明專利]半導體封裝件及其制造方法

在審

• 申請號: 201680020112.0
• 申請日: 2016-04-04
• 公開（公告）號: CN107431048A
• 公開（公告）日: 2017-12-01
• 發明（設計）人: 金知澔
• 申請（專利權）人: 天津威盛電子有限公司
• 主分類號: H01L23/28
• 分類號: H01L23/28;H01L23/552
• 代理公司: 北京冠和權律師事務所11399
• 代理人: 朱健,陳國軍

1.一種半導體封裝件，其特征在于，包括：

基板；

金屬端子，形成于上述基板；

半導體部件，安裝于上述基板；

電磁波屏蔽層，包圍上述半導體部件而形成，并與上述金屬端子直接接觸；

模具，包圍上述電磁波屏蔽層。

2.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其特征在于，還包括保護膜，上述保護膜涂敷于上述金屬端子及上述半導體部件上而形成，上述電磁波屏蔽層包圍上述保護膜上而形成。

3.根據權利要求2所述的半導體封裝件，其特征在于，上述保護膜去除與上述金屬端子相連的部分來使上述金屬端子露出。

4.根據權利要求3所述的半導體封裝件，其特征在于，上述電磁波屏蔽層形成于去除的保護膜部分上，與露出的上述金屬端子直接接觸。

5.根據權利要求2所述的半導體封裝件，其特征在于，上述半導體部件為聲表面波濾波器。

6.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其特征在于，上述電磁波屏蔽層在上述半導體部件上以具有既定的規定厚度的方式形成。

7.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其特征在于，上述電磁波屏蔽層形成于兩個以上的上述半導體部件之間，對上述半導體部件之間的電磁波干擾進行屏蔽。

8.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其特征在于，上述電磁波屏蔽層在上述半導體部件上以無彎曲的方式平平地形成。

9.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其特征在于，上述電磁波屏蔽層為金屬膜。

10.根據權利要求9所述的半導體封裝件，其特征在于，上述電磁波屏蔽層通過鍍敷、濺射、金屬噴涂或印刷中的至少一種方法來形成。

11.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其特征在于，還包括用于使上述半導體部件接地的接地板。

12.根據權利要求11所述的半導體封裝件，其特征在于，上述金屬端子通過通孔與上述接地板相連接。

13.一種半導體封裝件的制造方法，其特征在于，包括：

步驟(a)，將金屬端子形成于基板；

步驟(b)，在上述基板安裝半導體部件；

步驟(d)，包圍上述半導體部件來形成電磁波屏蔽層；

步驟(e)，形成包圍上述電磁波屏蔽層的模具。

14.根據權利要求13所述的半導體封裝件的制造方法，其特征在于，還包括步驟(c)，在上述步驟(c)中，在上述金屬端子及上述半導體部件上涂敷保護膜而形成，在上述步驟(d)中，上述電磁波屏蔽層包圍上述保護膜而形成。

15.根據權利要求14所述的半導體封裝件的制造方法，其特征在于，在上述步驟(c)中，去除與上述金屬端子相連的部分來使上述金屬端子露出。

16.根據權利要求15所述的半導體封裝件的制造方法，其特征在于，在上述步驟(d)中，將上述電磁波屏蔽層形成于去除的保護膜部分上，與露出的上述金屬端子直接接觸。