[發(fā)明專(zhuān)利]制備互補(bǔ)器件的方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201680018686.4
• 申請(qǐng)日: 2016-05-27
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107810543A
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-03-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 拉爾斯-埃里克·維爾納松;約翰內(nèi)斯·斯文松;阿尼爾·戴伊
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 拉爾斯-埃里克·維爾納松
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/02
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/02;H01L21/8238;H01L21/8252;H01L27/092;H01L29/06;H01L29/205;H01L29/423;H01L29/775;B82Y10/00
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11112
• 代理人: 顧麗波,井杰

1.一種在一個(gè)生長(zhǎng)過(guò)程中制備至少兩組納米線的方法，包括以下步驟：

-提供硅平臺(tái)；以及

-在一個(gè)生長(zhǎng)過(guò)程中，使用金顆粒來(lái)生長(zhǎng)至少一組III-Vn型納米線和至少一組III-Vp型納米線，其中，所述金顆粒具有對(duì)于所述III-Vn型納米線的一個(gè)尺寸和對(duì)于所述III-Vp型納米線的一個(gè)尺寸。

2.一種在一個(gè)生長(zhǎng)過(guò)程中制備至少兩組納米線的方法，包括以下步驟：

-提供硅平臺(tái)；以及

-在一個(gè)生長(zhǎng)過(guò)程中，使用金顆粒來(lái)生長(zhǎng)至少一組III-Vn型納米線和至少一組III-Vp型納米線，其中，所述金顆粒具有對(duì)于所述III-Vn型納米線的一個(gè)尺寸和對(duì)于所述III-Vp型納米線的與所述n型納米線不同的一個(gè)尺寸，且其中，所述p型納米線含有Sb。

3.一種在一個(gè)生長(zhǎng)過(guò)程中制備至少兩組納米線的方法，包括以下步驟：

-提供硅平臺(tái)；以及

-在一個(gè)生長(zhǎng)過(guò)程中，使用金顆粒來(lái)生長(zhǎng)至少一組III-Vn型納米線和至少一組III-Vp型納米線，其中，所述金顆粒具有對(duì)于所述III-Vn型納米線的一個(gè)尺寸和對(duì)于所述III-Vp型納米線的一個(gè)尺寸，且其中，納米線并行布置。

4.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其中，所述硅平臺(tái)由p型Si襯底組成。

5.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，還包括將InAs層設(shè)置在所述硅平臺(tái)上的步驟。

6.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其中，所述金顆粒具有范圍在3nm至100nm內(nèi)的直徑。

7.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其中，所述至少一組n型納米線和所述至少一組p型納米線生長(zhǎng)至范圍在10nm至1000nm內(nèi)的相同的高度。

8.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，將至少一個(gè)金屬柵極放置為與所述至少一組n型納米線或所述至少一組p型納米線中的一組中的至少一個(gè)納米線接觸。

9.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，將至少一個(gè)金屬柵極放置為與所述至少一組n型納米線中的至少一個(gè)納米線和所述至少一組p型納米線中的至少一個(gè)納米線接觸。

10.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其中，所述至少一組n型納米線是n-InAs納米線，并且其中，所述至少一組p型納米線是p-GaSb納米線。

11.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，還包括：將III-V半導(dǎo)體殼設(shè)置為圍繞所述至少一組p型納米線中的至少一個(gè)p型納米線。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，所述III-V半導(dǎo)體殼由InGaAs和/或GaInAsSb組成。

13.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其中，所述納米線是軸向異質(zhì)結(jié)構(gòu)納米線。

14.一種制備至少兩組納米線的方法，包括以下步驟：

-提供硅平臺(tái)；

-在所述硅平臺(tái)上設(shè)置至少兩個(gè)金盤(pán)；

-用電介質(zhì)膜覆蓋所述盤(pán)中的至少一個(gè)；

-在所述盤(pán)中的至少一個(gè)盤(pán)的所述電介質(zhì)膜中形成開(kāi)口；

-使用所述金盤(pán)來(lái)生長(zhǎng)至少一組III-Vn型納米線或至少一組III-Vp型納米線；

-去除所述電介質(zhì)膜；

-為所述至少一組n型納米線或所述至少一組p型納米線設(shè)置至少一個(gè)金種子；以及

-使用所述至少一個(gè)金種子來(lái)生長(zhǎng)至少一組III-Vn型納米線或至少一組III-Vp型納米線。

15.一種半導(dǎo)體器件，包括至少一組III-Vn型納米線和至少一組III-Vp型納米線，其中，所述至少一組n型納米線和所述至少一組p型納米線在根據(jù)權(quán)利要求1至14所述的一個(gè)生長(zhǎng)過(guò)程中生長(zhǎng)。