[發明專利]布局方法、標記檢測方法、曝光方法、測量裝置、曝光裝置、以及組件制造方法

有效

• 申請號: 201680018342.3
• 申請日: 2016-03-25
• 公開（公告）號: CN107430356B
• 公開（公告）日: 2021-02-26
• 發明（設計）人: 柴崎祐一
• 申請（專利權）人: 株式會社尼康
• 主分類號: G03F9/00
• 分類號: G03F9/00;G03F7/20;H01L21/68
• 代理公司: 中國貿促會專利商標事務所有限公司 11038
• 代理人: 肖靖

一種供使用沿著X軸方向以既定間隔配置有檢測中心的多個標記檢測系(AL1,AL2₁～AL2₄)檢測的多個標記的布局方法，在依據該多個標記的布局方法的基板上，在X軸方向及在XY平面內與其正交的Y軸方向形成多個照射區域Si(i＝1,2,……)且在X軸方向分離的至少2個標記(WMj)(j＝1,2,3,4,5)所屬的組，以照射區域(Si)在X軸方向的長度(w)的間隔沿著X軸方向重復配置，屬于各組的標記，彼此在X軸方向分離根據多個標記檢測系(AL1,AL2₁～AL2₄)的X軸方向的配置與長度(w)定出的間隔量。藉此，能使用多個標記檢測系確實地檢測基板上的多個標記。

技術領域

本發明是關于布局方法、標記檢測方法、曝光方法、測量裝置、曝光裝置、以及組件制造方法，更詳言之，是關于形成在基板上的多個標記的布局方法、檢測形成在基板上的多個標記的標記檢測方法、使用標記檢測方法的曝光方法、測量形成在基板上的多個標記的位置信息的測量裝置、具備測量裝置的曝光裝置以及使用曝光方法或曝光裝置的組件制造方法。

背景技術

制造半導體組件等的光刻制程中，雖在晶圓或玻璃板等基板(以下總稱為晶圓)上迭合形成多層電路圖案，但若在各層間的迭合精度差，則半導體組件等無法發揮既定的電路特性，視情形不同亦會成為不良品。由此，通常預先在晶圓上的多個照射區域的各個形成標記(對準標記)，并檢測曝光裝置的載臺坐標系上該標記的位置(坐標值)。如此之后，根據此標記位置信息與新形成的圖案(例如標線片圖案)的已知位置信息，進行將晶圓上的1個照射區域對齊于該圖案的晶圓對準。

作為晶圓對準的方式，從兼顧產能的觀點來看，僅檢測晶圓上的數個照射區域(亦稱為取樣照射區域或對準照射區域)的對準標記，并以統計方法算出晶圓上照射區域的排列的加強型全晶圓對準(EGA)為主流。為了利用EGA高精度地求出晶圓上的照射區域的排列，必須增加取樣照射區域的數目來檢測更多對準標記。

為了不使產能過度降低，作為檢測較多對準標記的手法，可考慮例如使用多個標記檢測系(對準檢測系)一次檢測多個標記。然而，晶圓的照射圖(map)(關于形成于晶圓上的照射區域的排列的數據)有各式各樣，照射區域的尺寸及標記的配置亦有各式各樣。是以，為了能對應各種照射圖，已知有以彼此間隔為可變的方式使多個對準檢測系中的一部分對準檢測系為可動的曝光裝置(參照例如發明專利文獻1)。

然而，可動的對準檢測系相較于固定的對準檢測系，設計上的限制較多，就成本面而言亦為不利。

先行技術文獻

[專利文獻1]美國發明專利第8,432,534號說明書

發明內容

用以解決課題的手段

根據第1方案，提供一種多個標記的布局方法，該多個標記供使用沿著既定面內的第1方向以既定間隔配置有檢測中心的2以上的N個標記檢測系檢測且形成在基板上，其特征在于：在前述基板上，在前述第1方向及在前述既定面內與其交叉的第2方向形成多個區劃區域且在前述第1方向分離的至少2個標記所屬的組，以前述區劃區域在前述第1方向的長度的間隔沿著前述第1方向重復配置；屬于前述各組的標記彼此，在前述第1方向彼此分離根據前述N個標記檢測系的前述第1方向的配置與前述長度定出的間隔量。

根據第2方案，提供一種多個標記的布局方法，該多個標記供使用2以上的N個標記檢測系檢測且形成于基板上，其特征在于：在前述基板上，在第1方向及與前述第1方向交叉的第2方向界定出多個區劃區域，且形成于前述多個區劃區域的各個的至少1個標記的配置，根據前述N個標記檢測系各自的檢測位置與前述區劃區域在前述第1方向的長度來決定。