[發(fā)明專利]電子器件及其制造方法以及電路基板

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201680016340.0
• 申請日: 2016-03-17
• 公開（公告）號: CN107409466A
• 公開（公告）日: 2017-11-28
• 發(fā)明（設計）人: 半古明彥
• 申請（專利權(quán)）人: 斯坦雷電氣株式會社
• 主分類號: H05K1/09
• 分類號: H05K1/09;H01L21/60;H05K1/02;H05K3/10
• 代理公司: 北京三友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11127
• 代理人: 黃綸偉,朱麗娟

1.一種電子器件，其特征在于，具有：基板；用于搭載電子部件的區(qū)域，其被設置于所述基板；第1電路圖案，其被配置在所述區(qū)域內(nèi)，與所述電子部件電連接；第2電路圖案，其與所述第1電路圖案連接，從所述區(qū)域的外側(cè)對所述第1電路圖案供給電流；以及電子部件，其被搭載于所述區(qū)域，與所述第1電路圖案連接，

所述第1電路圖案的一部分或全部由對粒徑小于1μm的導電性納米級粒子進行燒結(jié)而成的層構(gòu)成，

所述第2電路圖案的厚度大于所述第1電路圖案的厚度。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子器件，其特征在于，

所述第2電路圖案的一部分或全部由對導電性粒子進行燒結(jié)而成的層構(gòu)成，所述導電性粒子包含粒徑小于1μm的導電性納米級粒子和粒徑在1μm以上的導電性微米級粒子。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電子器件，其特征在于，

所述第1電路圖案包含與對所述導電性納米級粒子進行燒結(jié)而成的層連續(xù)的非導電性層，所述非導電性層含有被絕緣膜覆蓋的導電性納米級粒子。

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中的任意一項所述的電子器件，其特征在于，

所述第1電路圖案的通過對所述導電性納米級粒子進行燒結(jié)而成的層的寬度小于所述第2電路圖案。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電子器件，其特征在于，

所述第2電路圖案被配置在用于搭載所述電子部件的所述區(qū)域的兩肋，

在所述區(qū)域內(nèi)至少配置有一對所述第1電路圖案，一對所述第1電路圖案與所述區(qū)域的兩肋的所述第2電路圖案分別連接，

在所述一對第1電路圖案之間配置有所述非導電性層。

6.一種電子器件的制造方法，其特征在于，具有：

第1工序，將分散有粒徑小于1μm的導電性納米級粒子和絕緣材料的溶液或分散有被絕緣材料層覆蓋的所述導電性納米級粒子的溶液以期望的形狀涂布在基板表面上，形成膜；

第2工序，以規(guī)定的圖案對所述膜照射光，利用所述光對導電性納米級粒子進行燒結(jié)，形成作為所述規(guī)定的圖案的導電性納米級粒子層的第1電路圖案；

第3工序，在所述膜上搭載了電子部件后，將所述電子部件的電極與所述導電性納米級粒子層連接；以及

第4工序，在所述基板表面上形成與所述第1電路圖案連續(xù)的第2電路圖案，

所述第2電路圖案形成為比所述第1電路圖案的膜厚大的膜厚。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電子器件的制造方法，其特征在于，

作為所述基板使用透光的基板，

所述第4工序具有：

第4-1工序，將分散有粒徑小于1μm的導電性納米級粒子、粒徑在1μm以上的導電性微米級粒子和絕緣材料的溶液或分散有被絕緣材料層分別覆蓋的所述導電性納米級粒子和所述導電性微米級粒子的溶液以期望的形狀涂布在所述基板的表面，形成被所述絕緣材料覆蓋的所述導電性納米級粒子和所述導電性微米級粒子的第2膜；以及

第4-2工序，從所述基板的背面?zhèn)纫砸?guī)定的圖案對所述第2膜照射光，利用所述光對導電性納米級粒子和導電性微米級粒子進行燒結(jié)，形成第2電路圖案。

8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的電子器件的制造方法，其特征在于，

作為所述基板使用透光的基板，

在所述第2工序中，從基板的背面?zhèn)韧ㄟ^所述基板對所述膜照射所述光。

9.一種電路基板，其特征在于，具有：

基板；用于搭載電子部件的區(qū)域，其被設置于所述基板；第1電路圖案，其被配置在所述區(qū)域內(nèi)，與所述電子部件電連接；以及第2電路圖案，其與所述第1電路圖案連接，從所述區(qū)域的外側(cè)對所述第1電路圖案供給電流，

所述第1電路圖案的一部分或全部由通過對粒徑小于1μm的導電性納米級粒子進行燒結(jié)而成的層構(gòu)成，

所述第2電路圖案的厚度大于所述第1電路圖案的厚度。