[發明專利]貼合式半導體晶圓以及貼合式半導體晶圓的制造方法

有效

• 申請號: 201680014896.6
• 申請日: 2016-02-05
• 公開（公告）號: CN107430982B
• 公開（公告）日: 2020-08-11
• 發明（設計）人: 石川修;加藤正弘
• 申請（專利權）人: 信越半導體株式會社
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/322;H01L27/12
• 代理公司: 北京京萬通知識產權代理有限公司 11440
• 代理人: 許天易

1.一種貼合式半導體晶圓，為在上表面上具有一單晶硅層，

其中該貼合式半導體晶圓具有自單晶硅所構成的基底晶圓及具有依序向上地位于該基底晶圓上的第一介電質層、多晶硅層、第二介電質層及該單晶硅層，并且該多晶硅層與該第二介電質層之間構成為貼合面，以及

該基底晶圓與該第一介電質層之間形成有載體陷阱層。

2.如權利要求1所述的貼合式半導體晶圓，其中該載體陷阱層為被堆積于該基底晶圓上的多晶硅層。

3.如權利要求1所述的貼合式半導體晶圓，其中該載體陷阱層為通過于該基底晶圓內注入離子所形成的離子注入層。

4.如權利要求1至3中任一項所述的貼合式半導體晶圓，其中該基底晶圓的電阻率為4kΩ·cm以下。

5.一種貼合式半導體晶圓的制造方法，該貼合式半導體晶圓于上表面上具有單晶硅層，該制造方法包含下列步驟：

準備自單晶硅所構成的基底晶圓；

于該基底晶圓之上形成第一介電質層；

于該第一介電質層上形成多晶硅層，并且研磨該多晶硅層的表面；

準備自單晶硅所構成的接合晶圓；

于該接合晶圓的表面形成第二介電質層；

貼合該基底晶圓與該接合晶圓，而使該基底晶圓的多晶硅層與該接合晶圓的第二介電質層相接；

使該接合晶圓薄膜化而成為該單晶硅層；以及

于該基底晶圓與該第一介電質層之間形成載體陷阱層。

6.如權利要求5所述的貼合式半導體晶圓的制造方法，其中該載體陷阱層通過于該基底晶圓上堆層多晶硅層而形成。

7.如權利要求5所述的貼合式半導體晶圓的制造方法，其中該載體陷阱層為通過于該基底晶圓內，貫穿該第一介電質層將離子注入而形成的離子注入層。

8.如權利要求5至7中任一項所述的貼合式半導體晶圓的制造方法，其中該基底晶圓的電阻率為4kΩ·cm以下。