[發(fā)明專利]采用多個堆疊式金屬層中的源線和/或位線以減小MRAM位單元電阻的MRAM位單元有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201680011900.3 | 申請日： | 2016-02-08 |
| 公開（公告）號： | CN107258016B | 公開（公告）日： | 2022-08-26 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | Y·陸;X·朱;S·H·康 | 申請（專利權(quán)）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/22 | 分類號： | H01L27/22;H01L43/08;H01L43/12;G11C11/16 |
| 代理公司： | 上海專利商標事務(wù)所有限公司 31100 | 代理人： | 周敏;陳煒 |
| 地址： | 美國加利*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 采用 堆疊 金屬 中的 減小 mram 單元 電阻 | ||
1.一種包括至少一個磁性隨機存取存儲器(MRAM)位單元的集成電路(IC)，所述至少一個MRAM位單元包括：
存取晶體管，其被布置在所述IC的半導(dǎo)體層中，所述存取晶體管包括柵極、源極和漏極；
磁性隧道結(jié)(MTJ)，其被布置在所述IC中布置在所述半導(dǎo)體層之上的金屬層中，所述MTJ包括第一端電極和第二端電極；
漏極側(cè)連接柱，其被布置在所述IC中在所述半導(dǎo)體層之上的至少一個金屬層中，所述漏極側(cè)連接柱將所述存取晶體管的漏極耦合到所述MTJ的所述第一端電極；
位線，其被布置在所述IC中在所述半導(dǎo)體層之上的至少一個金屬層中，所述位線被耦合到所述MTJ的所述第二端電極；以及
源線，其被布置在所述IC中在所述半導(dǎo)體層之上的多個堆疊式金屬層中并被耦合到所述存取晶體管的源極。
2.如權(quán)利要求1所述的IC，其中，所述源線包括布置在所述多個堆疊式金屬層中并電耦合在一起的多條堆疊式金屬線。
3.如權(quán)利要求2所述的IC，其中，所述源線的所述多條堆疊式金屬線當中的至少兩條金屬線具有彼此不同的長度。
4.如權(quán)利要求2所述的IC，其中，所述源線的所述多條堆疊式金屬線當中的至少兩條金屬線具有彼此不同的寬度。
5.如權(quán)利要求2所述的IC，其中，所述源線的所述多條堆疊式金屬線當中的至少兩條金屬線具有彼此不同的長度和寬度。
6.如權(quán)利要求2所述的IC，進一步包括：布置在所述IC中在所述源線的所述多條堆疊式金屬線當中的至少兩條金屬線之間的至少一個延長通孔，所述至少一個延長通孔將所述源線的所述多條堆疊式金屬線當中的所述至少兩條金屬線電耦合在一起。
7.如權(quán)利要求1所述的IC，其中，所述位線被布置在所述IC中布置在所述半導(dǎo)體層之上的多個堆疊式金屬層中。
8.如權(quán)利要求7所述的IC，其中，所述位線包括布置在所述多個堆疊式金屬層中并電耦合在一起的多條堆疊式金屬線。
9.如權(quán)利要求8所述的IC，其中，所述位線的所述多條堆疊式金屬線當中的至少兩條金屬線具有彼此不同的長度和寬度。
10.如權(quán)利要求8所述的IC，進一步包括：布置在所述IC中在所述位線的所述多條堆疊式金屬線當中的至少兩條金屬線之間的至少一個延長通孔，所述至少一個延長通孔將所述位線的所述多條堆疊式金屬線當中的所述至少兩條金屬線電耦合在一起。
11.如權(quán)利要求1所述的IC，進一步包括：布置在所述IC中的至少一個MRAM專用金屬層，其中所述位線被布置在所述至少一個MRAM專用金屬層中。
12.如權(quán)利要求1所述的IC，其特征在于：
所述至少一個MRAM位單元包括多個MRAM位單元；以及
所述位線包括耦合在所述多個MRAM位單元的所述MTJ的所述第一端電極與所述多個MRAM位單元的每個存取晶體管的漏極之間的共享位線。
13.如權(quán)利要求1所述的IC，其中，所述源線的電阻和所述位線的電阻為相等的電阻。
14.如權(quán)利要求1所述的IC，其中，所述MTJ進一步包括：
隧道勢壘，其在所述第一端電極與所述第二端電極之間；
自由層，其在所述第二端電極與所述隧道勢壘之間；以及
釘扎層，其在所述第一端電極與所述隧道勢壘之間。
15.如權(quán)利要求1所述的IC，進一步包括：布置在所述IC中的字線，其中所述字線被耦合到所述存取晶體管的柵極。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于高通股份有限公司，未經(jīng)高通股份有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201680011900.3/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
