[發(fā)明專利]蒸鍍單元、蒸鍍裝置及蒸鍍方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201680010578.2 | 申請日: | 2016-02-18 |
| 公開(公告)號: | CN107250423A | 公開(公告)日: | 2017-10-13 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 小林勇毅;川戶伸一 | 申請(專利權(quán))人: | 夏普株式會社 |
| 主分類號: | C23C14/24 | 分類號: | C23C14/24;H01L51/50;H05B33/10 |
| 代理公司: | 深圳市賽恩倍吉知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司44334 | 代理人: | 汪飛亞 |
| 地址: | 日本國大*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 單元 裝置 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及用于在被成膜基板上形成規(guī)定圖案的蒸鍍膜的蒸鍍單元、蒸鍍裝置以及蒸鍍方法。
背景技術(shù)
近年來,在各種商品和領(lǐng)域中利用平板顯示器,且要求平板顯示器進(jìn)一步大型化、高畫質(zhì)化、低消耗電力化。
在這樣的狀況下,具備利用有機(jī)材料的電場發(fā)光(電致發(fā)光;以下記為「EL」)的有機(jī)EL元件的有機(jī)EL顯示裝置,作為全固體型且在低電壓驅(qū)動、高速響應(yīng)性、自發(fā)光性等方面優(yōu)異的平板顯示器,受到高度關(guān)注。
有機(jī)EL顯示裝置,例如在有源矩陣方式的情況下,具有如下結(jié)構(gòu):在設(shè)置有TFT(薄膜晶體管)的由玻璃基板等構(gòu)成的基板上,設(shè)置有與TFT電連接的薄膜狀的有機(jī)EL元件。
在全彩色的有機(jī)EL顯示裝置中,一般而言,在基板上作為子像素排列形成有紅色(R)、綠色(G)、藍(lán)色(B)的各色的有機(jī)EL元件,使用TFT使這些有機(jī)EL元件有選擇地以期望的亮度發(fā)光,由此,進(jìn)行圖像顯示。
因此,為了制造這樣的有機(jī)EL顯示裝置,需要在每個(gè)有機(jī)EL元件以規(guī)定圖案形成至少發(fā)光層,該發(fā)光層包含發(fā)出各色的光的有機(jī)發(fā)光材料。
使用例如真空蒸鍍法形成發(fā)光層的圖案。在真空蒸鍍法中,通過形成有規(guī)定圖案的開口的蒸鍍掩膜(也被稱為陰影掩膜(shadow mask))蒸鍍蒸鍍顆粒于被成膜基板。此時(shí),按發(fā)光層的每種顏色進(jìn)行蒸鍍(將此稱為「分涂蒸鍍」)。
此時(shí),批量生產(chǎn)工藝一般使用于被成膜基板密合與所述被成膜基板相同大小的蒸鍍掩膜進(jìn)行蒸鍍的方法。然而,在該情況下,伴隨被成膜基板的大型化,蒸鍍掩膜也大型化。
當(dāng)蒸鍍掩膜大型化時(shí),由于蒸鍍掩膜的自重彎曲和伸長,在被成膜基板與蒸鍍掩膜之間容易產(chǎn)生間隙。因此,在大型的被成膜基板的情況下,難以進(jìn)行高精度的圖案化,會發(fā)生蒸鍍位置的錯(cuò)位或混色,難以實(shí)現(xiàn)高精細(xì)化。
另外,當(dāng)被成膜基板大型化時(shí),蒸鍍掩膜和保持其的框架等也變得巨大,其重量也增加。因此,當(dāng)被成膜基板變大時(shí),蒸鍍掩膜和框架等的操作變得困難,有可能對生產(chǎn)率和安全性造成障礙。另外,蒸鍍裝置本身和附隨于其的裝置也同樣巨大化、復(fù)雜化,因此,裝置設(shè)計(jì)變得困難,設(shè)置成本也變高。
相對于此,將被成膜基板及蒸鍍掩膜隔開地掃描的同時(shí)蒸鍍于被成膜基板整面上的掃描蒸鍍法,使用比被成膜基板小的蒸鍍掩膜。因此,在掃描蒸鍍法中,在使用大型的蒸鍍掩膜的情況可以解決特有的上述問題。
在掃描蒸鍍法中,在蒸鍍源,在與掃描方向垂直的方向上以一定間距設(shè)置有射出蒸鍍顆粒的多個(gè)射出口。
因此,近年來,提出了如下方法:通過使用限制板對蒸鍍顆粒的流動(蒸鍍流)進(jìn)行限制,使得在被成膜基板的被成膜面中與某個(gè)射出口對應(yīng)的區(qū)域,蒸鍍區(qū)域(成膜區(qū)域),不會飛來來自射出口(相鄰噴嘴)的蒸鍍顆粒,該射出口使蒸鍍顆粒射出到與該蒸鍍區(qū)域相鄰的區(qū)域(以下記為「相鄰被成膜區(qū)域」)。
例如,專利文獻(xiàn)1中公開了在蒸鍍源的一側(cè)設(shè)置遮斷壁組件,該遮斷壁組件具備將蒸鍍源與蒸鍍掩膜之間的空間劃分成多個(gè)蒸鍍空間的多個(gè)遮斷壁作為限制板。根據(jù)專利文獻(xiàn)1,通過利用遮斷壁來限制蒸鍍范圍,能夠不使蒸鍍圖案變寬而進(jìn)行高精細(xì)的圖案蒸鍍。
專利文獻(xiàn)1:日本國公開專利公報(bào)「特開2010-270396號公報(bào)(2010年12月2日公開)」
專利文獻(xiàn)2:日本國公開專利公報(bào)「特開2014-162969號公報(bào)(2014年9月8日公開)」
發(fā)明內(nèi)容
然而,當(dāng)蒸鍍密度變高時(shí)(即,在高速率時(shí)),在僅使用限制板的情況下,不能防止來自相鄰噴嘴的蒸鍍顆粒的飛來。
圖10(a)、(b)是示意性地表示俯視時(shí)在蒸鍍源401與蒸鍍掩膜411之間,沿著與掃描方向垂直的方向設(shè)置有多片限制板421的情況下,由蒸鍍密度的不同導(dǎo)致的蒸鍍流的差異的圖。
其中,圖10(a)表示蒸鍍密度相對低的情況(低速率時(shí)),圖10(b)表示蒸鍍密度相對高的情況(高速率時(shí))。
另外,圖10(a)、(b)中,Y軸表示沿著被成膜基板200的掃描方向的水平方向軸,X軸表示不沿著與被成膜基板200的掃描方向垂直的方向的水平方向軸,Z軸表示作為被成膜基板200的被成膜面201(被成膜面)的法線方向和與被成膜面201正交的蒸鍍軸線延伸的方向的、與X軸和Y軸垂直的垂直方向軸(上下方向軸)。
如圖10(a)所示,在低速率時(shí),從蒸鍍源401的各射出口402(噴嘴)射出的蒸鍍顆粒301通過各限制板421間的限制板開口422遮擋(捕捉)指向性不好的蒸鍍顆粒,限制于高指向性分布。結(jié)果,成膜規(guī)定圖案的蒸鍍膜302于相對應(yīng)于各射出口402的區(qū)域。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理





