[發(fā)明專利]聲表面波裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201680009761.0
• 申請日: 2016-02-02
• 公開（公告）號: CN107210729B
• 公開（公告）日: 2021-02-26
• 發(fā)明（設計）人: 豐田祐二
• 申請（專利權）人: 株式會社村田制作所
• 主分類號: H03H9/25
• 分類號: H03H9/25
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 韓聰

具備：壓電基板(10)其在一方的主面設置激振聲表面波的IDT電極(13)；覆蓋層(20)，其配置于與該一方的主面對置的位置，覆蓋IDT電極(13)；支承構件(30)，其立設于該一方的主面上的IDT電極(13)的周圍，在覆蓋層(20)與IDT電極(13)分開的狀態(tài)下支承覆蓋層(20)的壓電基板(10)側的面；和接合構件(40)，其設于覆蓋層(20)的壓電基板(10)側的面，將覆蓋層(20)和支承構件(30)接合，支承構件(30)中的覆蓋層(20)側的端部的至少一部分存在于接合構件(40)內，該一方的主面所對應的法線方向上的接合構件(40)的尺寸小于該法線方向上的支承構件(30)的尺寸。

技術領域

本發(fā)明涉及由設于壓電基板上的電極激振聲表面波的聲表面波裝置。

背景技術

過去，作為在通信設備等的RF(Radio Frequency，射頻)電路中使用的帶通濾波器，使用聲表面波裝置。在便攜電話機等通信設備中，由于謀求小型化以及薄型化，因此朝著聲表面波裝置等的構成部件的小型化以及薄型化不斷努力。在聲表面波裝置中，作為用于小型化以及薄型化的封裝結構而提出WLP(Wafer Level Package，晶片級封裝)結構(例如專利文獻1以及2)。

圖17以及圖18分別是表示專利文獻1以及2公開的具有WLP結構的聲表面波裝置501以及502的截面圖。如圖17以及圖18所示那樣，聲表面波裝置501以及502分別具備設有IDT(Inter Digital Transducer，叉指式換能器)電極513以及514的壓電基板511以及512、支承構件531以及532和覆蓋層521以及522。在聲表面波裝置501以及502中，分別由支承構件531以及532和覆蓋層521以及522覆蓋形成有IDT電極513以及514的區(qū)域，且為了不妨礙IDT電極513以及514等的振動而在該IDT電極的上方確保中空的空間。如以上那樣，在具有WLP結構的聲表面波裝置中，通過將壓電基板利用為封裝的一部分來實現小型化。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：國際公開第2009/116222號

專利文獻2：JP特開2014-7727號公報

發(fā)明內容

發(fā)明要解決的課題

在專利文獻1公開的聲表面波裝置501中，如圖17所示那樣覆蓋層521層疊在支承構件531。但由于覆蓋層521僅在支承構件531的覆蓋層521側的端面與支承構件531接合，因此覆蓋層521與支承構件531的接合強度不充分。即，封裝結構的強度不充分。

另一方面，在專利文獻2公開的聲表面波裝置502中，如圖18所示那樣，覆蓋層522在支承構件532的覆蓋層522側的端面以及內壁與支承構件532接合。如此，由于覆蓋層522與支承構件532的接合面積被做大，因此與專利文獻1公開的聲表面波裝置501相比，覆蓋層522與支承構件532的接合強度更高。

但在專利文獻2公開的聲表面波裝置502中，通過加熱覆蓋層522使其下垂到支承構件532的內壁，來將覆蓋層522和支承構件532的內壁接合。在該情況下，有可能覆蓋層522會與IDT電極514接觸。在覆蓋層522接觸到IDT電極514的情況下，由于不能在IDT電極514上確保空間，因此有在聲表面波裝置502中得不到所期望的特性的情況。

為此，本發(fā)明的目的在于，提供能確保IDT電極上的空間且具有強度高的WLP結構的聲表面波裝置。

用于解決課題的手段