[發(fā)明專(zhuān)利]等離子體處理裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201680009474.X
• 申請(qǐng)日: 2016-02-01
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107251657B
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-11-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 高橋英治
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 日新電機(jī)株式會(huì)社
• 主分類(lèi)號(hào): H05H1/46
• 分類(lèi)號(hào): H05H1/46;C23C16/509;H01L21/205;H01L21/3065;H01L21/31
• 代理公司: 11205 北京同立鈞成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 馬爽;臧建明<國(guó)際申請(qǐng)>=PCT/JP2

本發(fā)明提供一種即便在延長(zhǎng)高頻天線(xiàn)的情況下也能夠效率優(yōu)良地產(chǎn)生感應(yīng)耦合型等離子體的等離子體處理裝置。所述等離子體處理裝置包括高頻天線(xiàn)(18)，所述高頻天線(xiàn)(18)配置于被真空排氣且導(dǎo)入了氣體(8)的真空容器(2)內(nèi)。所述等離子體處理裝置進(jìn)而包括：副天線(xiàn)(20)，在真空容器(2)內(nèi)沿著高頻天線(xiàn)(18)配置且其兩端部附近隔著絕緣物(22)由真空容器(2)支持，且以電性浮動(dòng)狀態(tài)放置；以及絕緣罩體(24)，將位于真空容器(2)內(nèi)的部分的高頻天線(xiàn)(18)、副天線(xiàn)(20)統(tǒng)一覆蓋。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種感應(yīng)耦合型的等離子體處理裝置，所述等離子體處理裝置通過(guò)使高頻電流自高頻電源向高頻天線(xiàn)流動(dòng)而使真空容器內(nèi)產(chǎn)生感應(yīng)電場(chǎng)從而生成等離子體(感應(yīng)耦合型等離子體，簡(jiǎn)稱(chēng)作ICP(inductively coupled plasma))，使用所述等離子體對(duì)基板實(shí)施例如利用等離子體化學(xué)氣相沉積(Chemical Vapor Deposition，CVD)法的膜形成、蝕刻、灰化、濺鍍等處理。

背景技術(shù)

作為感應(yīng)耦合型的等離子體處理裝置的一例，專(zhuān)利文獻(xiàn)1中記載了如下的等離子體處理裝置，即，將平板狀的高頻天線(xiàn)隔著絕緣框安裝于真空容器的開(kāi)口部，自高頻電源向所述高頻天線(xiàn)的一端與另一端間供給高頻電力而使高頻電流流動(dòng)，利用由此所產(chǎn)生的感應(yīng)電場(chǎng)生成等離子體，使用所述等離子體對(duì)基板實(shí)施處理。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

專(zhuān)利文獻(xiàn)

專(zhuān)利文獻(xiàn)1國(guó)際公開(kāi)第WO 2009/142016號(hào)手冊(cè)(段落0024-段落0026，圖1)

發(fā)明內(nèi)容

發(fā)明所要解決的問(wèn)題

所述現(xiàn)有的等離子體處理裝置中，若為了應(yīng)對(duì)大型基板等而延長(zhǎng)高頻天線(xiàn)，則所述高頻天線(xiàn)的阻抗(尤其電感)增大而高頻電流變得不易流動(dòng)，由此抑制高頻天線(xiàn)所產(chǎn)生的感應(yīng)電場(chǎng)，因而存在難以效率優(yōu)良地產(chǎn)生感應(yīng)耦合型等離子體的課題。

因此，本發(fā)明的主要目的在于提供如下的等離子體處理裝置：即便在延長(zhǎng)高頻天線(xiàn)的情況下，也可效率優(yōu)良地產(chǎn)生感應(yīng)耦合型等離子體。

解決問(wèn)題的技術(shù)手段

本發(fā)明的等離子體處理裝置是感應(yīng)耦合型的等離子體處理裝置，通過(guò)使高頻電流自高頻電源向配置于被真空排氣且導(dǎo)入了氣體的真空容器內(nèi)的高頻天線(xiàn)流動(dòng)，使所述真空容器內(nèi)產(chǎn)生感應(yīng)電場(chǎng)而生成等離子體，使用所述等離子體對(duì)基板實(shí)施處理，所述等離子體處理裝置的特征在于包括：副天線(xiàn)，在所述真空容器內(nèi)沿著所述高頻天線(xiàn)配置，其兩端部附近隔著絕緣物由所述真空容器支持，且以電性浮動(dòng)狀態(tài)放置；以及絕緣罩體(cover)，將位于所述真空容器內(nèi)的部分的所述高頻天線(xiàn)及所述副天線(xiàn)統(tǒng)一覆蓋。

根據(jù)所述等離子體處理裝置，通過(guò)使高頻電流向高頻天線(xiàn)流動(dòng)而在副天線(xiàn)產(chǎn)生感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)(induced electromotive force)，由此，即便將副天線(xiàn)以電性浮動(dòng)狀態(tài)放置，感應(yīng)電流也會(huì)經(jīng)由主要自然存在于副天線(xiàn)的兩端部附近的絕緣物部分的靜電電容而向副天線(xiàn)流動(dòng)。若流經(jīng)所述副天線(xiàn)的感應(yīng)電流引起的感應(yīng)電場(chǎng)與流經(jīng)高頻天線(xiàn)的高頻電流引起的感應(yīng)電場(chǎng)協(xié)作，則可效率優(yōu)良地產(chǎn)生感應(yīng)耦合型等離子體。因此，即便在延長(zhǎng)高頻天線(xiàn)的情況下也可效率優(yōu)良地產(chǎn)生感應(yīng)耦合型等離子體。

可將所述高頻天線(xiàn)的表面與所述副天線(xiàn)的表面之間的距離設(shè)為25mm以下(不含0)。

所述高頻天線(xiàn)及所述副天線(xiàn)可隔著空間配置于所述絕緣罩體內(nèi)。

發(fā)明的效果