[發明專利]等離子體處理裝置有效
| 申請號： | 201680009474.X | 申請日： | 2016-02-01 |
| 公開（公告）號： | CN107251657B | 公開（公告）日： | 2019-11-26 |
| 發明（設計）人： | 高橋英治 | 申請（專利權）人： | 日新電機株式會社 |
| 主分類號： | H05H1/46 | 分類號： | H05H1/46;C23C16/509;H01L21/205;H01L21/3065;H01L21/31 |
| 代理公司： | 11205 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 | 代理人： | 馬爽;臧建明<國際申請>=PCT/JP2 |
| 地址： | 日本京都府京都*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 等離子體 處理 裝置 | ||
【權利要求書】：
1.一種等離子體處理裝置，其為感應耦合型的等離子體處理裝置，通過使高頻電流自高頻電源向配置于被真空排氣且導入了氣體的真空容器內的高頻天線流動，使所述真空容器內產生感應電場而生成等離子體，使用所述等離子體對基板實施處理，所述等離子體處理裝置的特征在于包括：
副天線，在所述真空容器內沿著所述高頻天線配置，僅于其兩端部附近隔著絕緣物由所述真空容器支持，且以電性浮動狀態放置，且相對于所述高頻天線配置于所述基板的相反側；以及
絕緣罩體，將位于所述真空容器內的部分的所述高頻天線及所述副天線統一覆蓋。
2.根據權利要求1所述的等離子體處理裝置，其中，將所述高頻天線的表面與所述副天線的表面之間的距離設為超過0mm、25mm以下。
3.根據權利要求1或2所述的等離子體處理裝置，其中，所述高頻天線及所述副天線隔著空間配置于所述絕緣罩體內。
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