[發(fā)明專利]電子部件有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201680008762.3 | 申請日: | 2016-03-25 |
| 公開(公告)號(hào): | CN107210727B | 公開(公告)日: | 2020-10-23 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 竹下徹 | 申請(專利權(quán))人: | 株式會(huì)社村田制作所 |
| 主分類號(hào): | H03H9/25 | 分類號(hào): | H03H9/25 |
| 代理公司: | 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021 | 代理人: | 趙琳琳 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 電子 部件 | ||
提供模制樹脂層形成時(shí)的罩蓋構(gòu)件的變形難以產(chǎn)生、散熱性高的電子部件。壓電基板(2)上設(shè)置有構(gòu)成功能部的電極。為了形成功能部所面對的中空部而設(shè)置有框狀的第1支承構(gòu)件(11)、和在被第1支承構(gòu)件(11)圍起來的內(nèi)側(cè)區(qū)域中設(shè)置于壓電基板(2)上的第2支承構(gòu)件(12~14)。在第1、第2支承構(gòu)件(11、12~14)上層疊罩蓋構(gòu)件(17),由此構(gòu)成中空部。使第2支承構(gòu)件(12~14)的高度比第1支承構(gòu)件(11)的高度更高。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及例如聲表面波裝置等電子部件。
背景技術(shù)
聲表面波裝置等中,采用具有中空部的封裝件構(gòu)造。例如下述的專利文獻(xiàn)1所述的電子部件封裝件中,在部件基板上配置有多個(gè)電子部件元件。設(shè)置有將多個(gè)電子部件元件間分隔開的間隔壁。該間隔壁上設(shè)置有用于構(gòu)成中空部的罩蓋構(gòu)件。
另一方面,下述的專利文獻(xiàn)2所述的聲表面波器件中,在壓電基板的下表面形成有IDT電極。為了對形成有IDT電極的部分進(jìn)行密封,設(shè)置環(huán)狀的側(cè)壁、和將環(huán)狀的側(cè)壁的開口部密封的蓋體。再有,在蓋體的外表面層疊有密封膜。保護(hù)樹脂部被設(shè)置成覆蓋該密封膜。保護(hù)樹脂部抵達(dá)蓋體的外側(cè)、且在蓋體的外側(cè)抵達(dá)壓電基板側(cè)。
在先技術(shù)文獻(xiàn)
專利文獻(xiàn)
專利文獻(xiàn)1:JP特開2007-129002號(hào)公報(bào)
專利文獻(xiàn)2:JP特開2007-19943號(hào)公報(bào)
發(fā)明內(nèi)容
-發(fā)明所要解決的技術(shù)問題-
專利文獻(xiàn)1或?qū)@墨I(xiàn)2所述的使用罩蓋構(gòu)件或蓋體等來構(gòu)成中空部的構(gòu)造中,大多進(jìn)一步在外側(cè)設(shè)置模制樹脂層。這種構(gòu)造中,熱容易充滿內(nèi)部。為此,存在頻率溫度特性易于劣化的問題。
再有,由于模制時(shí)的樹脂的流入壓力,罩蓋構(gòu)件、蓋體或?qū)@墨I(xiàn)2所述的保護(hù)樹脂部在中空部的中央?yún)^(qū)域內(nèi)有可能朝著壓電基板側(cè)突出地變形。若變形量增大,則罩蓋構(gòu)件或蓋體等有可能與IDT電極等接觸。
本發(fā)明的目的在于,提供一種能夠抑制模制樹脂層形成時(shí)的罩蓋構(gòu)件的變形、且能提高散熱性的電子部件。
-用于解決技術(shù)問題的手段-
本發(fā)明涉及的電子部件具備:壓電基板;電極,設(shè)置在所述壓電基板上,且構(gòu)成了功能部;框狀的第1支承構(gòu)件,為了形成所述功能部所面對的中空部而被設(shè)置在所述壓電基板上;第2支承構(gòu)件,在被所述第1支承構(gòu)件圍起來的內(nèi)側(cè)區(qū)域內(nèi)被設(shè)置在所述壓電基板上;和罩蓋構(gòu)件,層疊于所述第1及第2支承構(gòu)件上而構(gòu)成了所述中空部,被設(shè)為所述第2支承構(gòu)件的高度比所述第1支承構(gòu)件的高度還高。
本發(fā)明涉及的電子部件的某一特定的方面中,設(shè)置有多個(gè)所述第2支承構(gòu)件。
本發(fā)明涉及的電子部件的其他特定的方面中,多個(gè)所述第2支承構(gòu)件的高度被設(shè)為相等。
根據(jù)本發(fā)明涉及的電子部件的另一特定的方面,至少1個(gè)所述第2支承構(gòu)件的高度和其余的第2支承構(gòu)件的高度不同。
本發(fā)明涉及的電子部件的又一特定的方面中,至少1個(gè)所述第2支承構(gòu)件具有多個(gè)材料層。
本發(fā)明涉及的電子部件的另一特定的方面中,所述第1支承構(gòu)件的至少一部分由金屬構(gòu)成。
本發(fā)明涉及的電子部件的又一特定的方面中,還具備:接合構(gòu)件,被設(shè)置在所述第1支承構(gòu)件上。
本發(fā)明涉及的電子部件的又一特定的方面中,所述罩蓋構(gòu)件的最上部的高度比所述接合構(gòu)件的上端還低。
本發(fā)明涉及的電子部件的另一特定的方面中,所述罩蓋構(gòu)件的最上部的高度比所述接合構(gòu)件的上端還高。
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