[發明專利]公共N阱狀態保持觸發器

有效

• 申請號: 201680008458.9
• 申請日: 2016-01-28
• 公開（公告）號: CN107210735B
• 公開（公告）日: 2021-10-29
• 發明（設計）人: A·阿加瓦爾;S·K·須;R·K·克里西那莫西
• 申請（專利權）人: 英特爾公司
• 主分類號: H03K3/356
• 分類號: H03K3/356;H03K3/3562
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 高見

實施例包括用于狀態保持電子器件的裝置、方法和系統。在實施例中，一種電子器件可以包括狀態保持觸發器，所述狀態保持觸發器具有與公共N阱耦合的多個P型金屬氧化物半導體(PMOS)器件，其中所述多個PMOS器件中的一個或多個由常通電源來供電，并且所述多個PMOS器件中的一個或多個由功率門控電源來供電。可以描述并要求保護其他實施例。

相關申請

本申請要求于2015年3月2日提交的名稱為“COMMON N-WELL STATE RETENTIONFLIP-FLOP(公共N阱狀態保持觸發器)”的美國申請號14/635,849的優先權。

技術領域

本發明的實施例總體上涉及電子電路的技術領域，并且更具體地涉及狀態保持觸發器。

背景技術

本文中所提供的背景描述是為了一般地呈現本公開的背景的目的。就在本背景技術部分中的描述而言，當前指定的諸位發明人的工作以及提交日時可以不另外取得現有技術資格的描述的多個方面，既不顯式地也不隱含地承認視為與本公開抵觸的現有技術。除非在本文中另外指出，否則在此部分中描述的方法對于本公開中的權利要求不是現有技術并且也不會因為被包含在此部分中而被承認是現有技術。

常規的保持觸發器使用附加保持器晶體管以及功率門控部件和常通部件的隔離N阱。這與非保持觸發器相比可導致大致3.5倍大的面積以及30％的延遲增大。

附圖說明

結合附圖，借助于以下具體實施方式將很容易理解實施例。為了便于本描述，相同的參考標號指代相同的結構元件。在附圖的各圖中通過舉例而非通過限制的方式來展示實施例。

圖1展示了根據各實施例的包括公共N阱的保持觸發器電路。

圖2展示了根據各實施例的包括與或非門的保持觸發器電路。

圖3展示了根據各實施例的示出公共N阱的集成電路的布局。

圖4展示了根據各實施例的包括選擇性公共N阱的集成電路的布局。

圖5展示了根據各實施例的包括部分聚類的常通單元(cell)的集成電路的布局。

圖6展示了根據各實施例的包括聚類的常通單元的集成電路的布局。

圖7展示了根據各實施例被配置用于采用本文所述的設備、電路和布局的示例系統。

具體實施方式

在以下具體實施方式中，參考形成其一部分并且通過可實踐的說明實施例示出的附圖，其中，相同的標號指示相同的部件。應當理解的是，在不脫離本公開的范圍的情況下，可以利用其他實施例并且可以做出結構或邏輯改變。因此，以下具體實施方式不應被認為具有限制意義，并且實施例的范圍由所附權利要求書及其等效物來限定。

可以以對理解要求保護的主題最有幫助的方式將各種操作依次描述為多個分立動作或操作。然而，描述的順序不應被解釋為暗示這些操作一定是順序相關的。具體地，可以不按所呈現的順序來執行這些操作。可以按與所描述的實施例不同的順序來執行所描述的操作。可以執行各種附加的操作和/或可以在附加實施例中省略所描述的操作。

出于本公開的目的，短語“A和/或B”以及“A或B”意指(A)、(B)或(A和B)。出于本公開的目的，短語“A、B和/或C”意指(A)、(B)、(C)、(A和B)、(A和C)、(B和C)、或(A、B和C)。

本描述可能使用短語“在實施例中(in an embodiment)”或“在實施例中(inembodiments)”，所述短語可以各自指代相同或不同實施例中的一個或多個實施例。此外，如關于本公開的實施例使用的術語“包括(comprising)”、“包括(including)”、“具有(having)”等是同義的。