[發(fā)明專利]非晶態(tài)烴基膜、以及具有所述膜的滑動(dòng)構(gòu)件和滑動(dòng)系統(tǒng)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201680008136.4 | 申請(qǐng)日: | 2016-01-29 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN107208263B | 公開(kāi)(公告)日: | 2019-09-20 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 加藤孝久;野坂正隆;遠(yuǎn)山護(hù);村瀨篤;中井恭子;鈴木雅裕 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 株式會(huì)社捷太格特;國(guó)立大學(xué)法人東京大學(xué) |
| 主分類號(hào): | C23C16/26 | 分類號(hào): | C23C16/26;C10M103/02;F16C19/00;F16C33/12;F16C33/24;F16C33/64 |
| 代理公司: | 中原信達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11219 | 代理人: | 王海川;穆德駿 |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 晶態(tài) 烴基膜 以及 有所 滑動(dòng) 構(gòu)件 系統(tǒng) | ||
一種低摩擦覆膜5,其包含:在紅外吸收光譜中的2900cm?1至3000cm?1的區(qū)域中顯示峰的脂族烴基;在紅外吸收光譜中的1650cm?1至1800cm?1的區(qū)域中顯示峰的羰基;在通過(guò)TOF?SIMS獲得的正離子譜圖中的91.1的質(zhì)量處顯示峰的芳族成分(C7H7+);以及在通過(guò)TOF?SIMS獲得的正離子譜圖中的115.2的質(zhì)量處顯示峰的稠環(huán)類成分(C9H7+)。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及非晶態(tài)烴基膜、以及具有所述膜的滑動(dòng)構(gòu)件和滑動(dòng)系統(tǒng)。
背景技術(shù)
為了減少滑動(dòng)系統(tǒng)的摩擦,已經(jīng)提出將固體潤(rùn)滑膜配置在滑動(dòng)構(gòu)件的滑動(dòng)面上。例如,已知DLC(類金剛石碳)膜是這樣的固體潤(rùn)滑膜。以下專利文獻(xiàn)1公開(kāi)了一種低摩擦滑動(dòng)機(jī)構(gòu),通過(guò)該機(jī)構(gòu)使含有含氧有機(jī)化合物或脂肪族胺化合物的低摩擦劑組合物供應(yīng)到包含DLC膜的滑動(dòng)面。
此外,以下專利文獻(xiàn)2公開(kāi)了一種低摩擦潤(rùn)滑組件,其包含具有第一滑動(dòng)面的第一構(gòu)件和具有第二滑動(dòng)面的第二構(gòu)件。第一滑動(dòng)面對(duì)O-H基具有化學(xué)親和力。第二滑動(dòng)面是最外側(cè)具有OH基的滑動(dòng)面。在第一滑動(dòng)面與第二滑動(dòng)面之間供應(yīng)含氧有機(jī)化合物(液體潤(rùn)滑劑),從而可以在第一滑動(dòng)面與第二滑動(dòng)面之間形成最外側(cè)具有氫基的摩擦膜。
現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
專利文獻(xiàn)
專利文獻(xiàn)1:日本特開(kāi)2005-98495號(hào)公報(bào)
專利文獻(xiàn)2:日本特開(kāi)2012-92351號(hào)公報(bào)
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的問(wèn)題
在專利文獻(xiàn)1中所公開(kāi)的低摩擦滑動(dòng)機(jī)構(gòu)和專利文獻(xiàn)2中所公開(kāi)的低摩擦潤(rùn)滑組件中,意圖降低滑動(dòng)部的摩擦系數(shù)。
然而,在專利文獻(xiàn)1和專利文獻(xiàn)2中,在于滑動(dòng)面上供應(yīng)有液體潤(rùn)滑劑的狀態(tài)(流體潤(rùn)滑)下進(jìn)行滑動(dòng)。也就是說(shuō),在專利文獻(xiàn)1和專利文獻(xiàn)2中,在不另外使用諸如液體潤(rùn)滑劑的潤(rùn)滑劑的條件(干式潤(rùn)滑)下不能提供低摩擦化。
人們要求在不使用任何其它潤(rùn)滑劑的情況下降低滑動(dòng)面(滑動(dòng)部)的摩擦系數(shù)。另外,還希望進(jìn)一步降低滑動(dòng)面的摩擦系數(shù)以進(jìn)一步提高滑動(dòng)系統(tǒng)的效率。
因此,本發(fā)明的一個(gè)目的為提供實(shí)現(xiàn)低摩擦系數(shù)的非晶態(tài)烴基膜。
此外,本發(fā)明的另一目的為提供滑動(dòng)構(gòu)件,其能夠在不使用任何其它潤(rùn)滑劑的情況下降低滑動(dòng)面的摩擦系數(shù)。
本發(fā)明的又一目的為提供滑動(dòng)系統(tǒng),其能夠在不使用任何其它潤(rùn)滑劑的情況下降低滑動(dòng)面與被滑動(dòng)面之間產(chǎn)生的摩擦力,由此大幅地降低摩擦損失。
解決問(wèn)題的手段
本發(fā)明的第一方式提供一種非晶態(tài)烴基膜(5),其包含在紅外吸收光譜中的2900cm-1至3000cm-1的區(qū)域中顯示峰的脂族烴基;以及在通過(guò)飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜法(TOF-SIMS)獲得的正離子譜圖中的91.1的質(zhì)量處顯示峰的芳族成分(C7H7+)和在通過(guò)TOF-SIMS獲得的正離子譜圖中的115.2的質(zhì)量處顯示峰的稠環(huán)類成分(C9H7+)中的至少一者。
本發(fā)明的第二方式提供根據(jù)上述第一方式的非晶態(tài)烴基膜,其還包含在紅外吸收光譜中的1650cm-1至1800cm-1的區(qū)域中顯示峰的羰基。
本發(fā)明的第三方式提供根據(jù)上述第一或第二方式的非晶態(tài)烴基膜,其包含所述芳族成分和所述稠環(huán)類成分兩者。
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- 專利分類
C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過(guò)氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應(yīng)產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學(xué)鍍覆,例如化學(xué)氣相沉積
C23C16-01 .在臨時(shí)基體上,例如在隨后通過(guò)浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無(wú)機(jī)材料為特征的
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