[發(fā)明專利]臭氧氣體產(chǎn)生裝置及臭氧氣體產(chǎn)生裝置的制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201680007700.0
• 申請日: 2016-02-10
• 公開（公告）號: CN107428529B
• 公開（公告）日: 2020-09-25
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 松野敬
• 申請（專利權(quán)）人: 住友精密工業(yè)株式會社
• 主分類號: C01B13/11
• 分類號: C01B13/11
• 代理公司: 北京三友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127
• 代理人: 龐東成;褚瑤楊

1.一種臭氧氣體產(chǎn)生裝置，其具備：

一對電極，隔開規(guī)定間隔彼此對置地配置；

一對電介質(zhì)，分別設(shè)置在所述一對電極的彼此對置的面；以及

功能膜，設(shè)置在所述一對電介質(zhì)的彼此對置的面中的至少一側(cè)，

所述功能膜含有含有TiNb₂O₇及Ti₂Nb₁₀O₂₉中的至少一方的晶系的化合物。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的臭氧氣體產(chǎn)生裝置，其中，

所述功能膜的含有TiNb₂O₇及Ti₂Nb₁₀O₂₉中的至少一方的晶系的化合物由以摩爾數(shù)計Nb₂O₅成為TiO₂的0.1倍以上且6倍以下的氧化鈦及氧化鈮所生成。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的臭氧氣體產(chǎn)生裝置，其中，

所述功能膜還含有氧化鈦的固溶體。

4.一種臭氧氣體產(chǎn)生裝置的制造方法，其具備：

通過在1000℃以上加熱氧化鈦及氧化鈮而生成含有TiNb₂O₇及Ti₂Nb₁₀O₂₉中的至少一方的晶系的化合物的工序；

設(shè)置隔開規(guī)定間隔彼此對置地配置的一對電極的工序；

在所述一對電極的彼此對置的面上分別設(shè)置一對電介質(zhì)的工序；以及

在所述一對電介質(zhì)的彼此對置的面中的至少一側(cè)，設(shè)置含有含有TiNb₂O₇及Ti₂Nb₁₀O₂₉中的至少一方的晶系的化合物的功能膜的工序。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的臭氧氣體產(chǎn)生裝置的制造方法，其中，

生成含有TiNb₂O₇及Ti₂Nb₁₀O₂₉中的至少一方的晶系的化合物的工序包括：混合氧化鈦及氧化鈮的工序；在1000℃以上加熱經(jīng)混合的氧化鈦及氧化鈮而生成晶系的化合物的工序；以及粉碎所生成的化合物的工序。

6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的臭氧氣體產(chǎn)生裝置的制造方法，其中，

所述設(shè)置功能膜的工序包括將所生成的含有TiNb₂O₇及Ti₂Nb₁₀O₂₉中的至少一方的晶系的化合物與氧化鈦的固溶體涂布于所述電介質(zhì)的工序。