[發明專利]形成分裂柵存儲器單元陣列及低和高電壓邏輯器件的方法

有效

• 申請號: 201680006721.0
• 申請日: 2016-01-19
• 公開（公告）號: CN107251199B
• 公開（公告）日: 2020-10-30
• 發明（設計）人: M-T.吳;J-W.楊;C.蘇;C-M.陳;N.杜
• 申請（專利權）人: 硅存儲技術公司
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28;H01L27/11519;H01L27/11546;H01L29/423;H01L29/66
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 申屠偉進;鄭冀之

1.一種形成存儲器設備的方法，包括：

提供硅襯底，其中所述襯底具有存儲器區域、LV區域和HV區域，所述區域通過延伸到所述襯底的表面中的絕緣材料彼此絕緣，并且其中所述襯底具有第一導電類型；

在所述襯底上并且在所述存儲器區域中形成數對間隔開的存儲器疊堆，其中每個存儲器疊堆包括：

設置在所述襯底上方并與所述襯底絕緣的浮柵，和

設置在所述浮柵上方并與所述浮柵絕緣的控制柵；

在所述存儲器區域、所述LV區域和所述HV區域中在所述襯底上方形成與所述襯底絕緣的第一導電層，其中所述第一導電層向上延伸越過所述數對存儲器疊堆；

在所述存儲器區域、所述LV區域和所述HV區域中的所述第一導電層上形成第一絕緣層；

從所述存儲器區域和所述HV區域去除所述第一絕緣層，同時保持所述LV區域中的所述第一絕緣層；

執行導電材料沉積以加厚所述存儲器區域和所述HV區域中的所述第一導電層并在所述LV區域中的所述第一絕緣層上形成第二導電層；

執行蝕刻以減薄所述存儲器區域和所述HV區域中的所述第一導電層并去除所述LV區域中的所述第二導電層，其中所述存儲器區域和所述HV區域中的所述第一導電層的頂表面高于所述LV區域中的所述第一絕緣層的底表面；

從所述LV區域去除所述第一絕緣層；以及

對所述第一導電層進行圖案化，以在所述存儲器區域、所述LV區域和所述HV區域中形成所述第一導電層的區塊，其中所述LV區域中的所述第一導電層的所述區塊的高度小于所述HV區域中的所述第一導電層的所述區塊的高度。

2.根據權利要求1所述的方法，還包括：

執行第一次注入，以在所述襯底的所述存儲器區域和所述LV區域中形成具有與所述第一導電類型不同的第二導電類型的區；以及

執行第二次注入，以在所述襯底的所述HV區域中形成具有與所述第一導電類型不同的第二導電類型的區。

3.根據權利要求2所述的方法，其中所述第二次注入的注入能量大于所述第一次注入的注入能量。

4.根據權利要求2所述的方法，還包括：

在所述第二次注入之前，在所述存儲器區域和所述LV區域中在所述襯底上方形成光刻膠，其中所述光刻膠阻擋所述第二次注入到達所述存儲器區域和所述LV區域。

5.根據權利要求2所述的方法，其中所述存儲器區域和所述LV區域中的所述第二導電類型的區的擊穿電壓低于所述HV區域中的所述第二導電類型的區的擊穿電壓。

6.根據權利要求1所述的方法，其中執行所述蝕刻以減薄所述第一導電層包括化學機械拋光蝕刻。