[發明專利]發光器件及其制造和運行方法有效
| 申請號: | 201680006688.1 | 申請日: | 2016-01-21 |
| 公開(公告)號: | CN107431083B | 公開(公告)日: | 2020-06-16 |
| 發明(設計)人: | A.勞施;D.屈恩萊因 | 申請(專利權)人: | 歐司朗OLED股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/50 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 臧永杰;杜荔南 |
| 地址: | 德國雷*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 發光 器件 及其 制造 運行 方法 | ||
本發明涉及發光器件及其制造和運行方法。在發光器件中,第一發射體材料具有至少一個第一激發狀態和第二激發狀態,其中第二激發狀態在能量上在第一激發狀態之上,并且在從第一發射體材料的第一激發狀態過渡到基本狀態的情況下發射第一電磁輻射,并且其中第二發射體材料具有至少一個激發狀態,其中在從第二發射體材料的激發狀態過渡到第二發射體材料的基本狀態的情況下發射第二電磁輻射;對第二發射體材料的激發狀態的占用借助從第一發射體材料的第二激發狀態到第二發射體材料的激發狀態的能量轉移來進行,使得能夠從第一顯示區域發射由第一電磁輻射和第二電磁輻射組成的混合光,且從第二顯示區域所發射的光沒有第二電磁輻射。
技術領域
本發明涉及發光器件、用于制造發光器件的方法和用于運行發光器件的方法。
背景技術
在常規的有機發光器件、例如有機發光二極管(OLED)的情況下,在陽極和陰極之間布置發射體層,在所述發射體層中生成電磁輻射。針對OLED的應用例如是作為普通照明中的面光源、作為顯示器中的像點或背景照明或者用于在標牌或顯示上表示信息(標志應用(Signage-Anwendung))的使用。
在基于OLED的標志應用的情況下,在常見的方法中在構造了OLED之后借助激光對發射體層進行結構化,以便在OLED中表示信息。在另一常見方法的情況下,通過使用濃縮的光致抗蝕劑氣體(Resistgas)利用隨后的剝離圖案化(Lift-Off-Patterning)對發射體層進行結構化。在另一常見的方法情況下,借助部分地修改載流子從電極之一到發射體層中的注入能力來實現信息的表示。在另一方法中,借助單獨成型的OLED元件的串聯來表示信息。
然而,常見的方法是比較成本密集的并且在技術上是要求高的,尤其是對于標志應用而言。
發明內容
本發明的任務是,提供發光器件、用于制造發光器件的方法和用于運行發光器件的方法,利用所述發光器件能夠以可電切換的方式表示信息,并且所述發光器件能以技術上簡單的方式被構造。
根據本發明的一個方面,通過具有發射體層的發光器件解決所述任務,其中所述發射體層具有第一發射體材料和第二發射體材料。發射體層具有至少一個預先給定的第一顯示區域和第二顯示區域。第一顯示區域具有第一發射體材料和第二發射體材料,并且第二顯示區域具有第一發射體材料并且基本上沒有第二發射體材料。所述第一發射體材料具有至少一個第一激發狀態和第二激發狀態,其中所述第二激發狀態在能量上(energetisch)在第一激發狀態之上,并且在從第一發射體材料的第一激發狀態過渡到基本狀態的情況下發射第一電磁輻射。第二發射體材料具有至少一個激發狀態,其中在從第二發射體材料的激發狀態過渡到第二發射體材料的基本狀態的情況下發射第二電磁輻射。基本上借助從第一發射體材料的第二激發狀態到第二發射體材料的激發狀態的能量轉移進行對第二發射體材料的激發狀態的占用(Besetzung),使得能夠從第一顯示區域發射由第一電磁輻射和第二電磁輻射組成的混合光,并且能夠從第二顯示區域發射的光基本上沒有第二電磁輻射。
換言之:第一發射體材料的第二激發狀態不由直接的電子空穴復合(Elektron-Loch-Rekombination)構成。例如間接地、例如通過第一發射體材料的兩個相鄰的所激發的分子的三重態-三重態湮滅進行對第一發射體材料的第二激發狀態的占用。由此部分地構成第三激發狀態,所述第三激發狀態在能量上(energetisch)處于第二激發狀態之上,其中第三激發狀態通過能量轉移過渡到第二激發狀態。
激發狀態是在發光器件的通電的和不通電的狀態中的激發狀態。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





