[發(fā)明專利]發(fā)光器件及其制造和運行方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201680006688.1 | 申請日: | 2016-01-21 |
| 公開(公告)號: | CN107431083B | 公開(公告)日: | 2020-06-16 |
| 發(fā)明(設計)人: | A.勞施;D.屈恩萊因 | 申請(專利權)人: | 歐司朗OLED股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/50 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 臧永杰;杜荔南 |
| 地址: | 德國雷*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 發(fā)光 器件 及其 制造 運行 方法 | ||
1.具有發(fā)射體層(112)的發(fā)光器件(100),
? 其中所述發(fā)射體層(112)具有發(fā)磷光的發(fā)射體材料(124)和發(fā)熒光的發(fā)射體材料(126),并且
? 其中所述發(fā)射體層(112)具有至少一個預先給定的第一顯示區(qū)域(102)和第二顯示區(qū)域(104),
o其中所述第一顯示區(qū)域(102)具有所述發(fā)磷光的發(fā)射體材料(124)和帶有發(fā)熒光的發(fā)射體材料(126)的摻雜物,并且
o其中所述第二顯示區(qū)域(104)具有所述發(fā)磷光的發(fā)射體材料(124)并且沒有所述發(fā)熒光的發(fā)射體材料(126);
? 其中所述發(fā)磷光的發(fā)射體材料(124)具有至少一個第一激發(fā)狀態(tài)(T1(1))和第二激發(fā)狀態(tài)(S1(1)),其中所述第二激發(fā)狀態(tài)(S1(1))在能量上在所述第一激發(fā)狀態(tài)(T1(1))之上,并且在從所述發(fā)磷光的發(fā)射體材料(124)的所述第一激發(fā)狀態(tài)(T1(1))過渡(202)到基本狀態(tài)(S0(1))的情況下發(fā)射第一電磁輻射(128),并且
? 其中所述發(fā)熒光的發(fā)射體材料(126)具有至少一個激發(fā)狀態(tài)(S1(2)),其中在從所述發(fā)熒光的發(fā)射體材料(126)的所述激發(fā)狀態(tài)(S1(2))過渡(210)到所述發(fā)熒光的發(fā)射體材料(126)的基本狀態(tài)(S0(2))的情況下發(fā)射第二電磁輻射(130);并且
? 其中對所述發(fā)熒光的發(fā)射體材料(126)的所述激發(fā)狀態(tài)(S1(2))的占用借助從所述發(fā)磷光的發(fā)射體材料(124)的所述第二激發(fā)狀態(tài)(S1(1))到所述發(fā)熒光的發(fā)射體材料(126)的所述激發(fā)狀態(tài)(S1(2))的能量轉(zhuǎn)移(208)來進行,使得能夠從所述第一顯示區(qū)域(102)發(fā)射由第一電磁輻射(128)和第二電磁輻射(130)組成的混合光(132),并且能夠從所述第二顯示區(qū)域(104)所發(fā)射的光沒有第二電磁輻射(130)。
2.根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光器件(100),其中所述發(fā)磷光的發(fā)射體材料(124)另外具有至少一個第三激發(fā)狀態(tài)(Sn(1)),所述第三激發(fā)狀態(tài)在能量上處于所述第二激發(fā)狀態(tài)(S1(1))之上,其中從所述第三激發(fā)狀態(tài)(Sn(1))占用所述第二激發(fā)狀態(tài)(S1(1))。
3.根據(jù)權利要求2所述的發(fā)光器件(100),其中通過內(nèi)部轉(zhuǎn)換從所述第三激發(fā)狀態(tài)(Sn(1))占用所述第二激發(fā)狀態(tài)(S1(1))。
4.根據(jù)權利要求2所述的發(fā)光器件(100),其中通過第一激發(fā)狀態(tài)(T1(1))的雙分子消除過程而占用所述第三激發(fā)狀態(tài)(Sn(1))。
5.根據(jù)權利要求1至4之一所述的發(fā)光器件(100),其中所述發(fā)射體層(112)具有基質(zhì)材料(122),并且所述發(fā)磷光的發(fā)射體材料(124)和所述發(fā)熒光的發(fā)射體材料(126)分布在所述基質(zhì)材料(122)中。
6.根據(jù)權利要求1至4之一所述的發(fā)光器件(100),其中所述能夠由所述第二顯示區(qū)域(104)發(fā)射的光僅具有所述第一電磁輻射(128)。
7.根據(jù)權利要求1至4之一所述的發(fā)光器件(100),其中所述發(fā)熒光的發(fā)射體材料(126)的所述激發(fā)狀態(tài)(S1(2))的能量水平在能量上處于所述發(fā)磷光的發(fā)射體材料(124)的所述第一激發(fā)狀態(tài)(T1(1))的能量水平和所述第二激發(fā)狀態(tài)(S1(1))的能量水平之間。
8.根據(jù)權利要求1至4之一所述的發(fā)光器件(100),其中所述發(fā)熒光的發(fā)射體材料(126)的所述激發(fā)狀態(tài)(S1(2))與所述發(fā)熒光的發(fā)射體材料(126)的所述基本狀態(tài)(S0(2))的能量差異大于所述發(fā)磷光的發(fā)射體材料(124)的所述第一激發(fā)狀態(tài)(T1(1))與所述發(fā)磷光的發(fā)射體材料(124)的所述基本狀態(tài)(S0(1))的能量差異。
9.根據(jù)權利要求1至4之一所述的發(fā)光器件(100),其中所述第一顯示區(qū)域(102)和所述第二顯示區(qū)域(104)毗鄰地布置。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





