[發明專利]具有碳化硅的導熱電磁干擾(EMI)吸收劑有效
| 申請號: | 201680006672.0 | 申請日: | 2016-01-25 |
| 公開(公告)號: | CN107207950B | 公開(公告)日: | 2021-05-14 |
| 發明(設計)人: | H·D·多;R·H·小布迪爾;J·斯特拉德;M·S·普蘭特 | 申請(專利權)人: | 萊爾德電子材料(上海)有限公司 |
| 主分類號: | C09K5/14 | 分類號: | C09K5/14;H05K9/00 |
| 代理公司: | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人: | 呂俊剛;楊薇 |
| 地址: | 201108 上海市閔*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 具有 碳化硅 導熱 電磁 干擾 emi 吸收劑 | ||
根據各種方面,公開了導熱EMI吸收劑的示例性實施方式,其通常包括導熱顆粒、EMI吸收顆粒以及碳化硅。碳化硅以足以協同地增強熱導率和/或EMI吸收的量存在。舉例而言,導熱EMI吸收劑的示例性實施方式可以包括碳化硅、磁性碎片、錳鋅鐵氧體、氧化鋁以及羰基鐵。
相關申請的交叉引用
本申請是2015年2月6日提交的美國第62/112758號臨時專利申請、2015年4月10日提交的美國第14/683870號專利申請以及2015年10月30日提交的美國第14/928189號專利申請的PCT國際申請。
美國第14/683870號專利申請要求美國第62/112758號臨時專利申請的權益和優先權。
美國第14/928189號專利申請是2015年4月10日提交的美國第14/683870號專利申請的部分繼續,并且還要求美國第62/112758號臨時專利申請的權益和優先權。
此處以引證的方式將上述申請的整個公開并入。
技術領域
本公開總體涉及導熱電磁干擾(EMI)吸收劑。
背景技術
本節提供了與本公開有關的背景信息,其不一定是現有技術。
諸如半導體、晶體管等的電部件通常具有電部件最佳操作的預設計溫度。理想地,預設計的溫度接近于周圍空氣的溫度。但電部件的操作生成熱量,如果不去除熱量,那么將使得電部件在顯著高于其正常或期望操作溫度的溫度下操作。這種過高的溫度會不利地影響電部件的操作特性和關聯裝置的操作。
為了避免或至少減少來自熱量生成的不利操作特性,例如應通過從操作的電部件向散熱器傳導熱量來去除熱量。然后通過傳統的對流和/或輻射技術冷卻散熱器。在傳導期間,熱量可以由電部件與散熱器之間的直接表面接觸和/或由電部件和散熱器表面借助中間介質或熱界面材料(TIM)的接觸從操作的電部件傳遞到散熱器。為了與使間隙填充有作為較差熱導體的空氣相比提高熱傳遞,熱界面材料可以用于填充熱界面材料之間的間隙。
除了生成熱量之外,電子裝置的操作在設備的電子電路內生成電磁輻射。這種輻射可能導致電磁干擾(EMI)或射頻干擾(RFI),該EMI或RFI會干擾特定接近度內的其他電子裝置的操作。在沒有充足屏蔽的情況下,EMI/RFI干擾會引起重要信號的劣化或完全損失,從而致使電子設備低效或不可操作。
減輕EMI/RFI效應的常見技術方案時通過使用能夠吸收和/或反射和/或重新引導EMI能量的屏蔽件。這些屏蔽件通常被采用來使EMI/RFI局部化在其源內,并且使接近EMI/RFI源的其他裝置絕緣。
如這里所用的術語“EMI”應被認為通常包括且是指EMI發射和RFI發射,并且術語“電磁”應被認為通常包括且是指來自外部源和內部源的電磁頻率和射頻。因此,術語屏蔽(如這里所用的)廣泛地包括且是指諸如通過吸收、反射、阻擋和/或重新引導能量或其某一組合減輕(或限制)EMI和/或RFI,使得它例如對于政府依從性和/或電子部件系統的內部功能不再干擾。
發明內容
本節提供了公開的簡要綜述,并且不是其全范圍或其所有特征的綜合公開。
根據各種方面,公開了導熱EMI吸收劑的示例性實施方式,導熱EMI吸收劑包括導熱顆粒、EMI吸收顆粒以及碳化硅。碳化硅以足以協同地增強熱導率和/或EMI吸收的量存在。舉例而言,導熱EMI吸收劑的示例性實施方式包括碳化硅、磁性碎片、錳鋅鐵氧體以及羰基鐵。
進一步的應用領域根據這里所提供的描述將變得顯而易見。該綜述中的描述和具體示例僅是用于例示的目的,并且不旨在限制本公開的范圍。
附圖說明
這里所描述的附圖僅用于例示所選實施方式而不是所有可能的實施,并且不旨在限制本公開的范圍。
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