[發明專利]具有碳化硅的導熱電磁干擾(EMI)吸收劑

有效

• 申請號: 201680006672.0
• 申請日: 2016-01-25
• 公開（公告）號: CN107207950B
• 公開（公告）日: 2021-05-14
• 發明（設計）人: H·D·多;R·H·小布迪爾;J·斯特拉德;M·S·普蘭特
• 申請（專利權）人: 萊爾德電子材料（上海）有限公司
• 主分類號: C09K5/14
• 分類號: C09K5/14;H05K9/00
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 呂俊剛;楊薇

1.一種導熱電磁干擾EMI吸收劑，該EMI吸收劑包括包含導熱顆粒、EMI吸收顆粒和碳化硅的材料，其中，所述EMI吸收顆粒包含羰基鐵粉、磁性碎片和錳鋅鐵氧體，且所述導熱顆粒包括氧化鋁，

其中，所述材料包括硅酮彈性體基體，該硅酮彈性體基體負載有所述磁性碎片、所述羰基鐵粉、所述氧化鋁、所述錳鋅鐵氧體以及所述碳化硅，使得所述導熱電磁干擾EMI吸收劑包括2至4體積百分比的所述磁性碎片、3至5體積百分比的所述羰基鐵粉、18至23體積百分比的所述氧化鋁、27至40體積百分比的所述錳鋅鐵氧體以及4至10體積百分比的所述碳化硅。

2.根據權利要求1所述的導熱電磁干擾EMI吸收劑，其中，

所述導熱電磁干擾EMI吸收劑為非相變填隙料、間隙墊或油灰；和/或

所述導熱電磁干擾EMI吸收劑被配置為通過在20℃至25℃的室溫下彎曲來對于間隙進行調節。

3.根據權利要求1所述的導熱電磁干擾EMI吸收劑，

其中，所述導熱電磁干擾EMI吸收劑被配置為具有至少2瓦特每米每開爾文的熱導率和針對從1千兆赫至6千兆赫的頻率的至少9分貝每厘米的衰減；和

所述導熱電磁干擾EMI吸收劑包括3體積百分比的所述磁性碎片、4體積百分比的所述羰基鐵粉、19.5體積百分比的所述氧化鋁、32.1體積百分比的所述錳鋅鐵氧體以及4.8體積百分比的所述碳化硅。

4.根據權利要求1所述的導熱電磁干擾EMI吸收劑，其中，

所述磁性碎片包括包含鐵、硅以及鋁的合金；或包含鐵和鎳的合金；和/或

所述導熱電磁干擾EMI吸收劑包括3體積百分比的所述磁性碎片、4體積百分比的所述羰基鐵粉、19.5體積百分比的所述氧化鋁、32.1體積百分比的所述錳鋅鐵氧體以及4.8體積百分比的所述碳化硅。

5.根據權利要求1所述的導熱電磁干擾EMI吸收劑，

其中，所述導熱電磁干擾EMI吸收劑被配置為具有至少2瓦特每米每開爾文的熱導率和針對從1千兆赫至6千兆赫的頻率的至少9分貝每厘米的衰減；和/或

其中，

所述磁性碎片包括仙都斯特合金SENDUST和坡莫合金中的一種或更多種；

所述導熱顆粒還包括氧化鋅、氮化硼、氮化硅、鋁、氮化鋁、鐵、石墨以及陶瓷中的一種或更多種；并且

所述EMI吸收顆粒還包括硅化鐵、氧化鐵、鎳基合金以及鉻合金的一種或更多種。

6.一種多片EMI屏蔽件，該多片EMI屏蔽件包括框架、可貼附到所述框架且可從所述框架去除的可去除罩或蓋、以及沿著所述多片EMI屏蔽件的可去除罩或蓋的一部分的、根據權利要求1至5中任一項所述的導熱電磁干擾EMI吸收劑。

7.一種導熱電磁干擾EMI吸收劑，該導熱電磁干擾EMI吸收劑包括基體，該基體包括一種或更多種熱導體、一種或更多種EMI吸收顆粒以及碳化硅，其中，所述碳化硅以足以產生協同效應的量存在，并且所述導熱電磁干擾EMI吸收劑被配置為對于具有至少2瓦特每米每開爾文的熱導率和/或針對從1千兆赫至6千兆赫的頻率的至少9分貝每厘米的衰減，其中，所述一種或更多種熱導體包括氧化鋁，且所述一種或更多種EMI吸收顆粒包含羰基鐵粉、磁性碎片和錳鋅鐵氧體，

其中，所述基體包括硅酮彈性體基體，該硅酮彈性體基體負載有所述磁性碎片、所述羰基鐵粉、所述氧化鋁、所述錳鋅鐵氧體以及所述碳化硅，使得所述導熱電磁干擾EMI吸收劑包括2至4體積百分比的所述磁性碎片、3至5體積百分比的所述羰基鐵粉、18至23體積百分比的所述氧化鋁、27至40體積百分比的所述錳鋅鐵氧體以及4至10體積百分比的所述碳化硅。

8.根據權利要求7所述的導熱電磁干擾EMI吸收劑，其中，

所述磁性碎片包括包含鐵、硅以及鋁的合金，或包含鐵和鎳的合金。