[發(fā)明專利]硅晶圓的制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201680006293.1
• 申請日: 2016-01-07
• 公開（公告）號: CN107210223B
• 公開（公告）日: 2020-08-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 鈴木克佳;竹野博;江原幸治
• 申請（專利權(quán)）人: 信越半導(dǎo)體株式會社
• 主分類號: H01L21/322
• 分類號: H01L21/322;C30B29/06;C30B33/12;H01L21/26
• 代理公司: 北京京萬通知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11440
• 代理人: 許天易

1.一種硅晶圓的制造方法，透過施加熱處理于一被處理硅晶圓，而制造于表層具有無缺陷區(qū)域的硅晶圓，該制造方法包含：

步驟A，透過自上方加熱該被處理硅晶圓的第一熱源，而僅對該被處理硅晶圓的上側(cè)的表層以1300℃以上且硅的熔點(diǎn)以下的溫度，進(jìn)行0.01msec以上且100msec以下的第一急速熱處理；以及

步驟B，透過加熱該被處理硅晶圓的第二熱源所進(jìn)行的第二急速熱處理，而對該被處理硅晶圓以1100℃以上且不超過1300℃的溫度維持1秒以上且100秒以下，并以30℃/sec以上且150℃/sec以下的降溫速度降溫；

其中于該步驟B進(jìn)行中進(jìn)行該步驟A，且該步驟B中透過該第二熱源自下方加熱該被處理硅晶圓。

2.如權(quán)利要求1所述的硅晶圓的制造方法，其中使用氙氣燈作為該第一熱源。

3.如權(quán)利要求1所述的硅晶圓的制造方法，其中使用鹵素?zé)糇鳛樵摰诙嵩础?/p>

4.如權(quán)利要求1所述的硅晶圓的制造方法，其中該被處理硅晶圓為自透過柴可斯基法所育成的氧濃度在7ppma以上20ppma以下的單晶硅鑄錠所切出。

5.如權(quán)利要求1所述的硅晶圓的制造方法，其中該被處理硅晶圓為自透過柴可斯基法所育成的氮濃度為1×10¹¹至1×10¹⁵atoms/cm³的單晶硅鑄錠所切出。

6.如權(quán)利要求1所述的硅晶圓的制造方法，其中該被處理硅晶圓為自透過柴可斯基法所育成的碳濃度為1×10¹⁶至1×10¹⁷atoms/cm³的單晶硅鑄錠所切出。

7.如權(quán)利要求1所述的硅晶圓的制造方法，其中該被處理硅晶圓為自透過柴可斯基法所育成的半徑方向的全表面為N區(qū)域的單晶硅鑄錠所切出。