[發明專利]輻射熱計型THz檢測器

有效

• 申請號: 201680005713.4
• 申請日: 2016-01-13
• 公開（公告）號: CN107209055B
• 公開（公告）日: 2019-03-29
• 發明（設計）人: 北浦隆介;石原正敏;山崎理弘;高橋宏典
• 申請（專利權）人: 浜松光子學株式會社
• 主分類號: G01J1/02
• 分類號: G01J1/02;G01N21/3581;G01R29/08;H01Q19/30
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 楊琦;黃浩

1.一種輻射熱計型THz檢測器，其特征在于，

具備：

接收并放射THz波的指向性天線；

與所述指向性天線相對配置的收信天線；及

檢測由流經所述收信天線的電流引起的發熱的輻射熱計，

所述指向性天線在俯視時與所述收信天線重疊，

所述指向性天線的長度方向長比所述收信天線的長度方向長短，

所述輻射熱計型THz檢測器還具備：

具有凹部的蓋部件；及

被所述蓋部件蓋住，且與所述蓋部件共同劃分密閉空間的支撐基板，

所述指向性天線固定于所述凹部的底面，

所述指向性天線、所述收信天線、及所述輻射熱計配置于所述密閉空間內。

2.如權利要求1所述的輻射熱計型THz檢測器，其中，

將所述THz波的波長設為λ，

所述指向性天線與所述收信天線的距離為λ/4以下。

3.如權利要求1或2所述的輻射熱計型THz檢測器，其中，

進一步具備反射天線，其配置于與所述指向性天線共同夾著所述收信天線的位置。

4.如權利要求1所述的輻射熱計型THz檢測器，其中

所述蓋部件具備：具有所述凹部的硅基板，

所述硅基板的所述凹部的深度d1為10μm以上且400μm以下，

所述硅基板的周緣部的厚度d2為200μm以上且2mm以下，

所述密閉空間內設定為比大氣壓低的壓力。

5.如權利要求4所述的輻射熱計型THz檢測器，其中

具備：

設置于所述硅基板的所述凹部的相反側的面的抗反射膜；及

設置于所述硅基板的所述凹部的內面的絕緣膜，

所述抗反射膜的材料為SiO₂或聚對二甲苯，

所述絕緣膜的材料為SiO₂或聚對二甲苯，

所述硅基板的比電阻設定為1kΩcm以上。

6.一種輻射熱計型THz檢測器，其特征在于，

具備：

接收并放射THz波的指向性天線；

與所述指向性天線相對配置的收信天線；及

檢測由流經所述收信天線的電流引起的發熱的輻射熱計，

所述指向性天線在俯視時與所述收信天線重疊，

所述指向性天線的長度方向長比所述收信天線的長度方向長短，

進一步具備反射天線，其配置于與所述指向性天線共同夾著所述收信天線的位置。