[發明專利]基板處理裝置有效
| 申請號: | 201680005590.4 | 申請日: | 2016-01-07 |
| 公開(公告)號: | CN107112231B | 公開(公告)日: | 2020-05-01 |
| 發明(設計)人: | 中井仁司 | 申請(專利權)人: | 株式會社斯庫林集團 |
| 主分類號: | H01L21/304 | 分類號: | H01L21/304;H01L21/027;H01L21/306 |
| 代理公司: | 隆天知識產權代理有限公司 72003 | 代理人: | 崔炳哲;向勇 |
| 地址: | 日本京都*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 處理 裝置 | ||
在基板處理裝置(1)中,杯部(4)沿上下方向移動,杯排氣口(即,第一杯排氣口(421)及第二杯排氣口(422)中的一個杯排氣口)有選擇地與第一室排氣口(631)或第二室排氣口(632)重疊。在杯排氣口與第一室排氣口(631)重疊的狀態下,利用第一排氣機構(951)使杯部(4)內的氣體經由杯排氣口及第一室排氣口(631)向室(6)外排出。另外,在杯排氣口與第二室排氣口(632)重疊的狀態下,利用第二排氣機構(952)使杯部(4)內的氣體經由杯排氣口及第二室排氣口(632)向室(6)外排出。這樣,能夠使從杯部(4)進行排氣的排氣機構在第一排氣機構(951)及第二排氣機構(952)之間容易進行切換。
技術領域
本發明涉及處理基板的基板處理裝置。
背景技術
一直以來,在半導體基板(以下簡稱為“基板”。)的制造工序中,利用向旋轉的基板供給處理液來進行各種處理的基板處理裝置。在這樣的基板處理裝置中,接收借助離心力從基板飛散的處理液等的杯部設置在基板的周圍。
例如,在日本特開2010-10251號公報(文獻1)的抗蝕劑涂覆處理裝置中,排氣口設置在處理杯的底部。處理杯具有從基板的周圍向徑向外側擴展的檐部。基板上方的氣體從處理杯的檐部的內周緣和基板之間的間隙流入處理杯內,經由排氣口向處理杯外排出。在檐部的外周部設置有多個通氣孔,在檐部的上方設置有從上方覆蓋多個通氣孔來進行封閉的開閉機構。在基板上生成抗蝕劑膜時,使該開閉機構上升而從檐部分離,由此開放多個通氣孔。因此,基板上方的氣體從處理杯的檐部的內周緣和基板之間的間隙及多個通氣孔流入處理杯內。由此,控制基板的外周緣部附近的氣流,從而能夠抑制抗蝕劑液在基板的外周緣部上升的現象。
在日本特開2010-10555號公報(文獻2)的基板的處理裝置中,由從杯體的底部向上方擴展的圓筒狀的可動分隔體,杯體的內部空間被分隔成內周空間部和外周空間部。在可動分隔體形成有開口,在該開口設置有氣體通過但阻止液體通過的材料(例如,由布料或多孔質材料形成的通氣性構件)。向基板供給純水的情況下,可動分隔體下降并位于比基板靠近下方的位置,純水下落到外周空間部。外周空間部的底部經由氣液分離器與排氣鼓風機連接,下落到外周空間部的純水及外周空間部的環境氣體經由氣液分離器向杯體的外部排出。向基板供給藥液的情況下,可動分隔體上升并位于基板的周圍,藥液下落到內周空間部。另外,內周空間部的環境氣體經由可動分隔體的上述開口向外周空間部被吸引,經由氣液分離器向杯體的外部排出。
在日本特開2012-146835號公報(文獻3)的晶片清洗裝置中,排氣口和排液口設置在旋轉杯的底部附近。在該晶片清洗裝置中,對設置在旋轉杯的底部附近的排氣口和在比旋轉杯及基板靠近上方的位置設置于室的側面的排氣口進行切換。具體地,設置有開閉設置于室的側面的排氣口的擋板,該擋板與旋轉杯的升降聯動地升降。另外,在搬入搬出基板時,旋轉杯下降,設置于旋轉杯的底部附近的排氣口被封閉,設置于室的側面的排氣口被開放。另外,對基板進行液處理時,旋轉杯上升,設置于旋轉杯的底部附近的排氣口被開放,設置于室的側面的排氣口被封閉。由此,室的內壓保持為大致恒定。
但是,在文獻1至文獻3的裝置中,即使用于對基板進行處理的處理液的種類不同,排出處理杯內的環境氣體的排氣口還是同一個排氣口。因此,在與排氣口連接的配管等的內部,被吸引的處理液的環境氣體與殘留在配管內等的其他處理液的環境氣體混合,從而可能產生不期望的化學反應。在文獻2的處理裝置中,如上所述,氣液分離器設置于杯體的外部,因此有可能導致處理裝置變大。另外,在如上所述的基板處理裝置中,被要求調節來自排氣口的排氣流量的情況下,將調節排氣流量的機構設置在排氣管上,因此可能導致裝置結構復雜并且裝置變大。
發明內容
本發明涉及對基板進行處理的基板處理裝置,其目的在于,能夠容易對排氣機構進行切換。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





