[發明專利]基板處理裝置有效
| 申請號: | 201680005590.4 | 申請日: | 2016-01-07 |
| 公開(公告)號: | CN107112231B | 公開(公告)日: | 2020-05-01 |
| 發明(設計)人: | 中井仁司 | 申請(專利權)人: | 株式會社斯庫林集團 |
| 主分類號: | H01L21/304 | 分類號: | H01L21/304;H01L21/027;H01L21/306 |
| 代理公司: | 隆天知識產權代理有限公司 72003 | 代理人: | 崔炳哲;向勇 |
| 地址: | 日本京都*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 處理 裝置 | ||
1.一種處理基板的基板處理裝置,其中,包括:
基板保持部,將基板保持為水平狀態;
處理液供給部,向上述基板上供給處理液;
杯部,呈以沿上下方向的中心軸為中心的環狀,接受來自上述基板的處理液;
室,在內部容納有上述基板保持部及上述杯部;
杯升降機構,使上述杯部相對上述基板保持部沿上述上下方向相對移動;以及
控制部,利用上述杯升降機構使上述杯部相對移動,確定上述杯部相對上述基板保持部的相對位置;
上述杯部包括:
圓環狀的杯底部;
筒狀的杯內側壁部,從上述杯底部的內周部向上方擴展;以及
筒狀的杯外側壁部,從上述杯底部的外周部向上方擴展;
在上述杯內側壁部或上述杯外側壁部設置有杯排氣口;
在上述杯內側壁部的內側設置有第一室排氣口及第二室排氣口,上述第一室排氣口及第二室排氣口與上述杯內側壁部相對,或者在上述杯外側壁部的外側設置有第一室排氣口及第二室排氣口,上述第一室排氣口及第二室排氣口與上述杯外側壁部相對;
通過上述控制部控制上述杯升降機構,上述杯排氣口有選擇地與上述第一室排氣口或上述第二室排氣口重疊;
在上述杯排氣口與上述第一室排氣口重疊的狀態下,利用與上述第一室排氣口連接的第一排氣機構,使上述杯部內的氣體經由上述杯排氣口及上述第一室排氣口向上述室外排出;
在上述杯排氣口與上述第二室排氣口重疊的狀態下,利用與上述第二室排氣口連接的第二排氣機構,使上述杯部內的氣體經由上述杯排氣口及上述第二室排氣口向上述室外排出。
2.根據權利要求1所述的基板處理裝置,其中,
上述第二室排氣口在周向上位于與上述第一室排氣口不同的位置;
上述杯排氣口包括:
第一杯排氣口,在周向上位于與上述第一室排氣口相同的位置;以及
第二杯排氣口,在周向上位于與上述第二室排氣口相同的位置。
3.根據權利要求1所述的基板處理裝置,其中,
上述杯排氣口設置于上述杯內側壁部。
4.根據權利要求1所述的基板處理裝置,其中,
上述基板保持部具有以上述中心軸為中心的圓板狀的保持部主體;
上述杯部具有從上述杯外側壁部的上端部向內側擴展的圓環狀的杯檐部;
搬入搬出基板時,上述杯升降機構被上述控制部控制,上述保持部主體在上述上下方向上與上述杯檐部的內周部相同的位置位于與上述杯檐部的上述內周部接近的位置。
5.根據權利要求1所述的基板處理裝置,其中,
上述杯部還具有筒狀的杯中間壁部,上述筒狀的杯中間壁部在上述杯內側壁部和上述杯外側壁部之間從上述杯底部向上方擴展;
在上述杯底部設置有:
第一杯排液口,位于比上述杯中間壁部靠近內側的位置;以及
第二杯排液口,位于比上述杯中間壁部靠近外側的位置;
上述第一杯排液口經由設置于上述室的室底部的第一室排液口與上述室外的第一排液部連接;
上述第二杯排液口經由設置于上述室底部的第二室排液口與上述室外的第二排液部連接;
利用上述杯升降機構,使上述杯部在以上述基板保持部為基準的第一位置和位于比上述第一位置靠近下方的位置的第二位置之間移動;
在上述杯部位于上述第一位置的狀態下,從上述處理液供給部向上述基板上供給到的處理液,流入到上述杯部的上述杯內側壁部和上述杯中間壁部之間的空間,從上述第一排液部排出;
在上述杯部位于上述第二位置的狀態下,從上述處理液供給部向上述基板上供給到的處理液,流入到上述杯部的上述杯中間壁部和上述杯外側壁部之間的空間,向上述第二排液部排出。
6.根據權利要求1所述的基板處理裝置,其中,
上述基板保持部具有以上述中心軸為中心的圓板狀的保持部主體;
上述保持部主體在上述杯部的上方與上述杯部在上述上下方向上相對;
上述基板保持部設置有環狀的凸出部,上述環狀的凸出部從上述保持部主體的下表面向下方凸出且包圍上述中心軸的周圍。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





