[發(fā)明專利]防止觸電的裝置以及包含防止觸電的裝置的電子裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201680004538.7
• 申請日: 2016-05-04
• 公開（公告）號: CN107112135A
• 公開（公告）日: 2017-08-29
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 趙承勳;許星珍;李東錫
• 申請（專利權(quán)）人: 摩達伊諾琴股份有限公司
• 主分類號: H01G4/40
• 分類號: H01G4/40;H01G4/232;H01C7/10;H05K9/00
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11205
• 代理人: 楊貝貝,臧建明

1.一種防止觸電的裝置，所述防止觸電的裝置包括：

堆疊式本體，其中多個絕緣薄片堆疊；

電容器部分，包括安置于所述堆疊式本體中的多個內(nèi)部電極；

ESD保護部分，安置于所述絕緣薄片中的每一者的至少一部分上以保護ESD電壓；以及

外部電極，安置于所述堆疊式本體外部的至少兩個側(cè)表面中的每一者上且連接至所述電容器部分以及所述ESD保護部分，

其中所述ESD保護部分包括至少兩個或大于兩個放電電極以及安置在所述放電電極之間的至少一個ESD保護層，且

所述外部電極中的一者連接至電子裝置的金屬殼，且所述外部電極中的另一者連接至接地端子以阻斷觸電電壓且旁通所述ESD電壓。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的防止觸電的裝置，其中所述ESD保護層包括多孔絕緣材料、導(dǎo)電材料以及空隙，且

所述空隙通過連接彼此鄰近的所述絕緣材料的至少兩個空隙而形成。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的防止觸電的裝置，其中放電電壓小于放電開始電壓，且所述ESD電壓大于所述放電開始電壓。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的防止觸電的裝置，其中所述放電電極以及所述ESD保護層分別安置于彼此不同的平面上或安置于相同平面上。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的防止觸電的裝置，其中所述放電電極以及鄰近于所述放電電極的所述內(nèi)部電極連接至相同所述外部電極。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的防止觸電的裝置，其中所述放電電極以及鄰近于所述放電電極的所述內(nèi)部電極連接至彼此不同的所述外部電極。

7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的防止觸電的裝置，其中在所述放電電極與鄰近于所述放電電極的所述內(nèi)部電極之間的距離為A，所述放電電極之間的距離為B，且所述內(nèi)部電極之間的距離為C時，滿足A≤C或A≤B。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的防止觸電的裝置，其中在最上部絕緣薄片以及最下部絕緣薄片具有厚度D1以及D2時，滿足B≤D1以及B≤D2，且D1等于或不同于D2。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的防止觸電的裝置，其中所述最上部絕緣薄片以及所述最下部絕緣薄片中的每一者具有等于或大于10μm以及等于或小于所述堆疊式本體的厚度的50％的厚度。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的防止觸電的裝置，其中所述放電電極具有與所述內(nèi)部電極相同的厚度。

11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的防止觸電的裝置，其中在所述堆疊式本體外部調(diào)整電容。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的防止觸電的裝置，其中所述外部電極延伸至所述堆疊式本體的上部以及下部部分中的至少一者以與所述內(nèi)部電極部分重疊。

13.根據(jù)權(quán)利要求7所述的防止觸電的裝置，其中至少兩個或大于兩個電容器部分以及至少兩個或大于兩個ESD保護部分水平地安置于所述堆疊式本體內(nèi)。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的防止觸電的裝置，其中所述內(nèi)部電極垂直地堆疊以形成一個電容器部分，且水平地布置以形成多個電容器部分。

15.一種包括防止觸電的裝置的電子裝置，所述防止觸電的裝置安置于金屬殼與內(nèi)部電路之間以阻斷觸電電壓且旁通ESD電壓，

其中所述防止觸電的裝置包括：

堆疊式本體，其中多個絕緣薄片堆疊；

電容器部分，包括安置于所述堆疊式本體中的多個內(nèi)部電極；

ESD保護部分，包括安置于所述絕緣薄片的至少一部分上的至少兩個或大于兩個放電電極以及至少一個ESD保護層；以及

外部電極，安置于所述堆疊式本體外部的至少兩個側(cè)表面中的每一者上且連接至所述電容器部分以及所述ESD保護部分，且

所述放電電極以及鄰近于所述放電電極的所述內(nèi)部電極連接至相同所述外部電極。