[發(fā)明專利]樹脂膜形成用片及樹脂膜形成用復(fù)合片有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201680003816.7 | 申請(qǐng)日: | 2016-03-25 |
| 公開(公告)號(hào): | CN107001876B | 公開(公告)日: | 2020-11-20 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 小橋力也;佐伯尚哉;米山裕之 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 琳得科株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | C09J7/20 | 分類號(hào): | C09J7/20;C09J7/30;B32B27/30;B32B27/20;B32B27/06;B32B9/00;B32B9/04;B32B33/00;B32B27/26;C09J11/04;C09J133/00;C09J163/00;C09J201/00;H01L21/30 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105 | 代理人: | 王利波 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 樹脂 形成 復(fù)合 | ||
本發(fā)明提供再剝離性優(yōu)異的樹脂膜形成用片、以及具有該樹脂膜形成用片和支撐體直接疊層而成的結(jié)構(gòu)的樹脂膜形成用復(fù)合片,所述樹脂膜形成用片是粘貼于硅晶片、用于在該硅晶片上形成樹脂膜的片,其中,待與硅晶片粘貼一側(cè)的該片的表面(α)的表面粗糙度(Ra)為40nm以上。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及樹脂膜形成用片及樹脂膜形成用復(fù)合片。
背景技術(shù)
近年來,使用了被稱為所謂倒裝(face down)方式的安裝法來進(jìn)行半導(dǎo)體裝置的制造。在倒裝方式中,使用的是在電路面上具有凸塊等電極的半導(dǎo)體芯片(以下也簡(jiǎn)稱為“芯片”),且該電極與基板接合。因此,有時(shí)會(huì)導(dǎo)致芯片的與電路面相反側(cè)的表面(以下也稱為“芯片的背面”)發(fā)生剝露。
在該發(fā)生了剝露的芯片的背面,有時(shí)形成由有機(jī)材料形成的樹脂膜,從而以帶樹脂膜的芯片的形式組裝在半導(dǎo)體裝置中。樹脂膜是作為用于防止在切割工序、封裝之后產(chǎn)生裂紋的保護(hù)膜、或作為用于將所得芯片粘接在晶墊部或另外的半導(dǎo)體芯片等其它構(gòu)件上的粘接膜而形成的。
一般來說,該帶樹脂膜的芯片是通過在將包含樹脂的組合物的溶液利用旋涂法等涂布在晶片的背面而形成涂膜之后,使該涂膜干燥及固化而形成樹脂膜,并對(duì)所得帶樹脂膜的晶片進(jìn)行切割而制造的。
作為在這樣的芯片的背面、晶片的背面上設(shè)置的保護(hù)膜、粘接膜的形成材料,已提出了各種樹脂膜形成用片。
例如,在專利文獻(xiàn)1中公開了一種芯片保護(hù)用膜,其是具有能量線固化型保護(hù)膜形成層被2片剝離片夾持而成的結(jié)構(gòu)的芯片保護(hù)用膜,所述能量線固化型保護(hù)膜形成層包含:包含丙烯酸類共聚物的聚合物成分、能量線固化性成分、染料或顏料、無機(jī)填充材料、及光聚合引發(fā)劑。
根據(jù)專利文獻(xiàn)1的記載,該芯片保護(hù)用膜能夠通過照射能量線而形成激光打標(biāo)識(shí)別性、硬度、以及與晶片的密合性得到了提高的保護(hù)膜,并且與現(xiàn)有的芯片保護(hù)用膜相比,能夠?qū)崿F(xiàn)工序的簡(jiǎn)化。
另外,專利文獻(xiàn)2中公開了一種切割膠帶一體型晶片背面保護(hù)膜,其具有包含基材及粘合劑層的切割膠帶,并在該切割膠帶的粘合劑層上具有經(jīng)過了著色且具有給定彈性模量的晶片背面保護(hù)膜。
根據(jù)專利文獻(xiàn)2的記載,該晶片背面保護(hù)膜在半導(dǎo)體晶片的切割工序中能夠發(fā)揮出與半導(dǎo)體晶片之間的優(yōu)異的保持力。
現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
專利文獻(xiàn)
專利文獻(xiàn)1:日本特開2009-138026號(hào)公報(bào)
專利文獻(xiàn)2:日本特開2010-199543號(hào)公報(bào)
發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的問題
然而,在將專利文獻(xiàn)1及2中公開的保護(hù)膜粘貼在晶片上的工序中,在保護(hù)膜的粘貼位置產(chǎn)生錯(cuò)位、或在未發(fā)現(xiàn)晶片上的異物的狀態(tài)下以還包含異物的方式粘貼了保護(hù)膜的情況下,很難在將保護(hù)膜剝離后進(jìn)行晶片的再剝離。
對(duì)于專利文獻(xiàn)1及2中公開的保護(hù)膜而言,如果出于提高粘貼時(shí)與晶片之間的密合性、粘貼后與晶片之間的保持力的目的而暫時(shí)地粘貼在晶片上,則由于與晶片之間的密合性高,因而在再剝離性方面存在問題。而如果要強(qiáng)行將暫時(shí)粘貼在晶片上的保護(hù)膜剝離,則可能出現(xiàn)由剝離力而導(dǎo)致晶片發(fā)生破損、或在晶片上殘存部分保護(hù)膜的情況。因此,難以實(shí)現(xiàn)與保護(hù)膜粘貼之后的晶片的再利用。
也就是說,在專利文獻(xiàn)1及2中,針對(duì)所記載的保護(hù)膜,從粘貼時(shí)與晶片之間的密合性、粘貼后與晶片之間的保持力的觀點(diǎn)出發(fā)而進(jìn)行了研究,但完全沒有關(guān)于保護(hù)膜的再剝離性的研究。
本發(fā)明鑒于上述問題點(diǎn)而完成,其目的在于提供再剝離性優(yōu)異的樹脂膜形成用片、及具有該樹脂膜形成用片和支撐體的樹脂膜形成用復(fù)合片。
解決問題的方法
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于琳得科株式會(huì)社,未經(jīng)琳得科株式會(huì)社許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201680003816.7/2.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。





