[發(fā)明專利]陰極組件

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201680003515.4
• 申請(qǐng)日: 2016-03-15
• 公開（公告）號(hào): CN107109632A
• 公開（公告）日: 2017-08-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 中村真也;山本弘輝
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社愛發(fā)科
• 主分類號(hào): C23C14/34
• 分類號(hào): C23C14/34;C23C14/00
• 代理公司: 北京英特普羅知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11015
• 代理人: 齊永紅

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種濺射裝置用的陰極組件，更詳細(xì)而言，涉及一種具有絕緣材質(zhì)的靶、接合在該靶的一面上的背板，以及以背板的靶側(cè)為下而與比靶的外周端更向外延伸的背板下側(cè)的延展部相對(duì)配置的環(huán)形遮蔽板的陰極組件。

背景技術(shù)

例如，在NAND型閃存或MRAM(磁阻存儲(chǔ)器)的制造工藝中，會(huì)實(shí)施形成氧化鋁膜或氧化鎂膜等絕緣膜的工藝，并使用濺射裝置以批量生產(chǎn)絕緣膜。在這樣的濺射裝置中,在可抽真空的真空室內(nèi)，組裝有具有根據(jù)待形成薄膜的組成而適當(dāng)選擇的靶，用于在濺射形成薄膜時(shí)冷卻該靶的背板，以及與比靶的外周端更向外延伸的背板下側(cè)的延展部相對(duì)配置的環(huán)形遮蔽板的陰極組件。

這樣的陰極組件已知例如有專利文獻(xiàn)1。在該陰極組件中，背板由熱傳導(dǎo)性良好的銅等金屬制成，具有比靶的外周端更向外延伸的延展部，該延展部固定在濺射裝置的規(guī)定位置上。再有，在將背板組裝到濺射裝置上后，為了使放電穩(wěn)定等，通常設(shè)置與延展部相對(duì)的環(huán)狀遮蔽板。

然而，在以往的例子中，在將陰極組件組裝到濺射裝置上的狀態(tài)下，靶和遮蔽板之間存在間隙，一旦成膜時(shí)在真空室中產(chǎn)生等離子體，則等離子體中的電子就會(huì)通過縫隙使延展部帶電。一旦延展部上帶有電子，則由于靶是絕緣材料，導(dǎo)致因該靶的側(cè)面和延展部的電位差而發(fā)生異常放電。

對(duì)此，例如專利文獻(xiàn)2提出了用遮蔽板覆蓋靶的外周部，使得等離子體中的電子不會(huì)使延展部帶電。但是，由于遮蔽板配置在靶的等離子體側(cè)(基板側(cè))，所以濺射粒子轉(zhuǎn)入到靶外周部和遮蔽板之間并再次附著，因此形成所謂的再沉積膜。由于該再沉積膜的附著力弱，所以存在容易從靶上剝離產(chǎn)生顆粒粉塵(パーティクル)的問題。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

【專利文獻(xiàn)1】專利公開2010－255052號(hào)公報(bào)

【專利文獻(xiàn)2】專利公開2009－187682號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容

發(fā)明要解決的問題

鑒于以上情況，本發(fā)明的課題是提供一種可抑制在背板的延展部和靶側(cè)面之間發(fā)生異常放電，同時(shí)抑制產(chǎn)生顆粒粉塵的陰極組件。

解決技術(shù)問題的手段

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的濺射裝置用的陰極組件，具有：絕緣材質(zhì)的靶；與該靶的一面接合的背板；以及以背板的靶側(cè)為下，與比靶的外周端更向外延伸的背板下側(cè)的延展部相對(duì)設(shè)置的環(huán)形遮蔽板，所述陰極組件，其特征在于：背板具有相對(duì)于延展部凸出設(shè)置的接合部，使遮蔽板的內(nèi)周邊部位于在靶已接合在該接合部上的狀態(tài)下從接合部向外探出的靶的探出部和背板的延展部之間的間隙中。

根據(jù)本發(fā)明，由于采用使遮蔽板的內(nèi)周邊部位于靶的探出部和背板的延展部之間的間隙中的結(jié)構(gòu)，所以當(dāng)使靶和基板之間產(chǎn)生等離子體時(shí)，靶和遮蔽板之間不存在可從等離子體直通向延展部的間隙，可抑制等離子體中的電子使背板的延展部帶電引發(fā)異常放電。并且，由于遮蔽板配置在靶的上側(cè)，所以與遮蔽板配置在靶的下側(cè)的已往例相比，濺射粒子難以轉(zhuǎn)入靶和遮蔽板之間的間隙，可抑制對(duì)遮蔽板形成再沉積膜，抑制產(chǎn)生顆粒粉塵。

在本發(fā)明中，所述遮蔽板優(yōu)選分為多個(gè)部分，從而可在將靶與上述背板的接合部相接合的狀態(tài)下，卸下遮蔽板。

在本發(fā)明中，所述靶的探出部和遮蔽板重疊相對(duì)的部分的長度優(yōu)選在所述靶的厚度以上，再有，所述遮蔽板的內(nèi)周邊部優(yōu)選在所述間隙中位于相比所述靶的探出部的中間點(diǎn)更靠近所述接合部側(cè)的位置上。從而，濺射粒子難以轉(zhuǎn)入靶和遮蔽板之間的縫隙中。

再有，在本發(fā)明中，所述遮蔽板和所述背板之間的間隙長度以及所述遮蔽板和所述靶之間的間隙長度優(yōu)選分別設(shè)置為0.5mm～2mm的范圍內(nèi)，從而可實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定放電。

附圖說明

圖1示出安裝有本發(fā)明實(shí)施方式的陰極組件的濺射裝置的剖面示意圖。

圖2示出陰極組件的遮蔽板的平面圖。

圖3示出陰極組件的內(nèi)周邊部位置的剖面放大圖。

圖4(a)和(b)是顯示確認(rèn)本發(fā)明效果的實(shí)驗(yàn)結(jié)果的照片。

具體實(shí)施方式

下面參照附圖，以組裝在濺射裝置上的陰極組件為例，對(duì)本發(fā)明實(shí)施方式的陰極組件進(jìn)行說明。下文中以圖1為基準(zhǔn)，以真空室1的內(nèi)頂部側(cè)為“上”，以其底部側(cè)為“下”進(jìn)行說明。